پروژه یک الگوریتم موازی و ساده برای مساله‌ی کوتاه ترین مسیر تک منبع بر روی گراف مسطح. doc

اختصاصی از هایدی پروژه یک الگوریتم موازی و ساده برای مساله‌ی کوتاه ترین مسیر تک منبع بر روی گراف مسطح. doc دانلود با لینک مستقیم و پر سرعت .

نوع فایل: word

قابل ویرایش 30 صفحه

چکیده:

در این مقاله یک الگوریتم ساده برای مسئله‌ی کوتاهترین مسیر تک-منبع در یک گراف مسطح با یالهای با وزن غیر‌منفی ارائه خواهیم داد. الگوریتم مزبور در زمان و با انجام ، ، عمل بر روی مدل EREW PRAM اجرا می‌شود. نقطه قوت الگوریتم در سادگی آن است که آنرا برای پیاده‌سازی و استفاده ، در عمل بسیار کارامد می‌سازد. در این مقاله ساختار داده‌هایی برای پیاده‌سازی این الگوریتم بر روی EREW PRAM ارایه شده است. می‌توان این الگوریتم را با انجام تغییراتی بر روی مدل برنامه‌نویسی MPI به سادگی پیاده کرد. الگوریتم ما بر اساس ناحیه‌بندی گراف ورودی و استفاده از روش موازی الگوریتم دایسترا ، بنا شده است.

مقدمه:

مساله‌ی کوتاهترین مسیر یک مساله‌ی زیربنایی و مهم در بهینه‌سازی ترکیبیاتی است که از ارزش عملی و تئوری زیادی برخوردار است. برای یک گراف جهت‌دار که شامل n راس و m یال است، مساله‌ی کوتاهترین مسیر عبارت است از پیدا کردن یک مسیر با کمترین وزن بین هر دو راس u و v که در مجموعه‌ی راسها وجود دارند. وزن مسیر u-v برابر مجموع وزن یالهای بین آنهاست. وزن کوتاهترین مسیر بین u-v ، فاصله از u تا v نامیده می‌شود. مساله‌ی کوتاهترین مسیر، بر حسب جفت راسهای u و v و نحوه‌ی وزن‌گذاری یالهای گراف به گونه‌های مختلفی تقسیم می‌شود.

اگرچه الگوریتم‌های سریال کارا برای بیشتر این گونه مسایل وجود دارند اما هنوز فقدان یک الگوریتم موازی کارا برای آن احساس می‌شود؛ الگورتیم کارا ، یعنی الگوریتمی که میزان کار انجام شده توسط آن برای حل مساله معادل یا نزدیک به تعداد کاری باشد که توسط بهترین الگوریتم سریال لازم است (منظور از کار، مجموع تمام کارهایی است که توسط پروسسورها انجام می‌شود). طراحی یک الگوریتم کارا برای مساله‌ی کوتاهترین مسیر ، یک مساله‌ی حل نشده‌ی مهم را در پردازش موازی تشکیل می‌دهد. یکی از دلایل ممکن برای نبود چنان الگوریتمی می‌تواند این باشد که بیشتر تاکیدها بر روی به دست آودردن یک الگوریتم خیلی سریع (یعنی NC) قرار گرفته است. به هر حال در اغلب موقعیتهای عملی، که تعداد پروسسورهای موجود ثابت و خیلی کوچکتر از اندازه‌ی مساله‌ای است که در دست داریم ، هدف اصلی و ابتدایی ما اینست که یک الگوریتم work-efficient (به‌جای الگوریتم خیلی سریع) داشته باشیم؛ چرا که در چنان مواردی زمان اجرا بر کاری که بین پروسسورها تقسیم می‌شود غالب است. اگر چنان الگوریتمی سایر پارامترهای خاص مانند سادگی و پیاده‌سازی راحت را داشته باشد از اهمیت ویژه‌ای برخوردار خواهد بود.

یکی از گونه‌های مهم مساله‌ی کوتاهترین مسیر ، مساله‌ی کوتاهترین مسیر تک-منبع یا درخت کوتاهترین مسیر است: با داشتن یک گراف جهت‌دار که شامل n راس و m یال و یک راس مشخص که منبع نامیده می‌شود، است، مساله‌ی ما عبارت است از پیدا کردن کوتاهترین مسیر از s به تمام راسهای دیگر در G. مساله‌ی کوتاهترین مسیر تک-منبع یک راه حل سریال کارا دارد مخصوصا وقتی که G هیچ راس منفی نداشته باشد. در این مورد مساله می‌تواند توسط الگوریتم دایسترا در زمان با استفاده از هیپ فیبوناچی یا یک ساختار داده‌ی صف اولویت با زمان حدی مشابه، حل شود[2].

در این مقاله ما برای مساله‌ی کوتاهترین مسیر تک-منبع بر روی یک گراف مسطح G با وزن یال حقیقی و غیرمنفی ، یک الگوریتم ساده ارایه می‌دهیم که پیاده‌سازی آن راحت است. با مصالحه‌ای بر زمان اجرا ، الگوریتمی (قطعی) ارایه می‌دهیم که از لحاظ work-efficiency بهبودی بر الگوریتمهای قبل از آن باشد. این الگوریتم که با جزییات کامل و اثبات در [1] ارایه شده است. در اینجا ما آن الگوریتم را با توضیحات بیشتر توضیح می‌دهیم. به‌طور دقیقتر الگوریتم مزبور بر روی EREW PRAM در زمان و با انجام عمل ، اجرا می‌شود که .

مانند الگوریتمهای کوتاهترین مسیر تک-منبع قبلی ، الگوریتم حاضر بر اساس ناحیه‌بندی گراف و تبدیل مساله به یک دسته از مسایل کوتاهترین مسیر بر روی ناحیه‌ها، عمل می‌کند. عملکرد الگوریتم ما به این صورت است که با داشتن یک ناحیه‌بندی از گراف، ما برای هر ناحیه الگوریتم دایسترا را بکار می‌بریم و در پایان ، الگوریتم دایسترا را بر روی گراف کمکی که با استفاده از اطلاعات کوتاهترین مسیر در نواحی ساخته شده ، اجرا می‌کنیم. جزییات این الگوریتم در بخشهای بعدی آمده است. با تولید کپی‌های مناسب و کافی از یالهای گراف ، از خواندن و نوشتن همزمان پروسسورها در حافظه جلوگیری می‌شود. همانطور که گفتیم ما در الگوریتم خود نیازمند یک ناحیه‌بندی از گراف ورودی هستیم که برای محاسبه‌ی این ناحیه‌بندی ، ما یک پیاده‌سازی EREW PRAM از الگوریتم ارائه شده در [3] را ارایه می‌دهیم. این پیاده‌سازی خاص، یک ناحیه‌بندی از گراف مطابق با نیاز الگوریتم ما را محاسبه می‌کند. در این الگوریتم هم فرض می‌شود که گراف ورودی مسطح است.

مهمترین امتیاز الگوریتم ما سادگی آن است که پیاده‌سازی آنرا راحت می‌کند، طوری که پیاده‌سازی آن بر اساس روتینهای زیربنایی و قابل فهم ، همانطور که در ادامه گفته خواهد شد، استوار است که می‌توان آنها را در همه‌ی کتابخانه‌های الگوریتمهای موازی یافت. می‌توان این الگوریتم را با انجام تغییراتی بر روی مدل برنامه نویسی MPI به راحتی پیاده کرد. ذکر این نکته حایز اهمیت است که برای ماشینی که اجازه‌ی خواندن و نوشتن همزمان را می‌دهد، الگوریتم ما می‌تواند به‌طرز قابل توجهی ساده‌تر شود؛ بخاطر اینکه دیگر ایجاد کپی‌های فراوان از گراف ورودی برای خواندن همروند لازم نیست.

ما در بخش بعدی ، تعاریف را ارایه می‌دهیم و برخی از نکات ابتدایی در مورد جداساز‌ها (separator) و ناحیه‌بندی گراف مسطح را بیان می‌کنیم. الگوریتم ما در بخش 3 ارایه شده است. در بخش 4 هم جزییات مربوط به پیاده‌سازی بدست آوردن یک ناحیه‌بندی از گراف را توضیح می‌دهیم. در بخش 5 در مورد پیاده‌سازی الگوریتم بر روی MPI صحبت می‌کنیم. نتیجه‌گیری و جمع‌بندی هم در بخش 6 ارایه شده است

فهرست مطالب:

چکیده

1 مقدمه

2 مقدمات اولیه

قضیه 1 (قضیه‌ی جداساز مسطح)

روالهای مورد نیاز الگوریتم

الگوریتم دایسترای موازی

3 الگوریتم کوتاهترین مسیر

ورودی

4 بدست آوردن ناحیه‌بندی گراف بصورت موازی

4-1 الگوریتم سریال Lipton-Tarjan برای یافتن جداساز در گراف

4-2 الگوریتم موازی Gazit-Miller برای یافتن جداساز در گراف

الگوریتم: Gazit-Miller

ورودی

خروجی

4-3 الگوریتم موازی برای ناحیه‌بندی گراف

5 پیاده‌سازی بر روی MPI

6 جمع‌بندی و نتیجه‌گیری

منابع و مآخذ

فهرست اشکال:

شکل 1. یک جداساز برای گراف که نودهای آن با رنگ

خاکستری نشان داده شده‌اند.

شکل 2. ناحیه‌بندی گراف به 3 ناحیه‌ی مجزا

شکل 3. ساختار داده‌های لازم برای ارایه‌ی تقسیم-r

شکل 4. ساختن

منابع ومأخذ:

L. Träff, C. D. Zaroliagis, A Simple Parallel Algorithm for the Single-Source Shortest Path Problem on Planar Digraphs , Journal of Parallel and

Distributed Computing 60, 1103-1124 (2000).

H. Cormen, C. E. Leiserson, R. L. Rivest, C. Stein, Introuduction to Algorithms (second edition), chapter 24, McGraw-Hill Book Company.

N. Fredrickson, Fast algorithms for shortest path in planar graphs with applications, SIAM J. Comput. 16, 6 (1987), 1004-1022.

j. Lipton and R. E. Tarjan, A separator theorem for planar graphs, SIAM J. Appl. Math. 36, 2 (1979), 177-189.

Gazit and G. L. Miller, An optimal parallel algorithm for a separator for planar graphs, Unpublished manuscript, 1987.

مقاله درباره نیمه رساناها 2

اختصاصی از هایدی مقاله درباره نیمه رساناها 2 دانلود با لینک مستقیم و پر سرعت .

لینک دانلود و خرید پایین توضیحات

فرمت فایل word  و قابل ویرایش و پرینت

تعداد صفحات: 38

1 بیان ساده شده نظریه نیمرسانا

نیمرسانا ماده ای است که مقاومت ویژه آن خیلی کمتر از مقاومت ویژه عایق و در عین حال خیلی بیشتر از مقاومت ویژه رساناست، و مقاومت ویژه اش با افزایش دما کاستی می پذیرد. مثلا، مقاومت ویژه مس 8-10اهم - متر کوا رتز1012 اهم - متر، و مقاومت ویژه مواد نیمرسانای، یعنی سیلیسیم 5/ . اهم- متر و از آن ژرمانیم 2300 اهم -متر در دمای c27 است. برای درک عملکرد نیمرسانا ها و ابزار نیمرسانا، قدری آشنایی با مفاهیم اساسی ساختار اتمی ماده ضروری است.

2 دیودهای نیمرسانا

ساختمان

دیود نیمرسانا وسیله ای است که در مقابل عبور جریان، در یک جهت مقاومت زیاد و در جهت دیگر مقاومت کمی برو ز می دهد. دیود را به طور گستردهای و برای اهداف گوناگون در مدارهای الکترونیکی به کار می گیرند و اساساً شامل یک پیوند p-n است که از بلور سیلیسیوم و یا ژرمانیم تشکیل می شود. (شکل ب) نماد دیود نیمرسانا در شکل الف نموده شده است.

جهتی که دیود در مقابل عبور جریان مخالفت کمی بروز می دهد با سر پیکان نشان داده شده است.

دیود نیمر سانا نسبت به دیود گرما یونی از مزایای زیادی برخوردار است، این دیود به منبع گرم کن نیاز ندارد، بسیار کوچک تر و سبک تر است ، و قابلیت اطمینان بسیار بیشتری دارد.

ژرمانیم یا سیلیسیمی که در ساخت دیود نیمرسانا به کار می رود باید ابتدا تا رسیدن به غلظت نا خالصی کمتر از یک جزء در 10 10 جزء پالوده شود. سپس اتمهای ناخالصی مطلوب، بخشنده ها یا پذیرنده ها، به مقادیر مورد لزوم اضافه شده و ماده به شکل یک تک بلور ساخته می شود.

برای ساختن پولک ژرمانیم نوع n مقداری ژرمانیم ذاتی را با کمی ناخالصی در یک بوته ودر خلأ ذوب می کنند، ویک بلور هسته را تا عمق چند میلیمتری در مذاب فرو می برند. دمای ژرمانیم مذاب درست بالای نقطه ذوب بلور هسته قرار دارد، و چند میلیمتری از هسته غوطه ور در مذاب نیز ذوب می شود. این هسته با سرعت ثابتی چرخانده می شود و همزمان به آرامی از مذاب بیرون کشیده می شود، بدین سان یک بلور نوع n تشکیل شده است. با کنترل دقیق این فرایند می توان به غلظت نا خالصی مورد نیاز دست یافت.

قرصی از ایندیم در یک پولک ژرمانیم قرار می دهند و به آن دمای با لاتر از نقطه ذوب ایندیم ولی پایین تراز نقطه ذوب ژرمانیم حرارت داده می شود. ایندیم ذوب می شود و ژرمانیم را حل می کند تا اینکه محلول اشباح شده از ژرمانیم در ایندیم به دست آید. سپس پولک به آرامی سرد می شود و در خلال سرد شدن یک ناحیه ژرمانیم نوع p در پولک تولید شده و آلیاژی از ژرمانیم و ایندیم (عمدتاً ایندیم) در پولک ته نشین می شود. پیوند p-n آلیاژ سیلیسیم را نیز می توان با همین روش و با بکارگیری آلومینیوم به عنوان پذیرنده، تشکیل داد.

ژرمانیم نوع p تا دمای خیلی نزدیک به نقطه ذوب ژرمانیم گرم می شود، و پیرامون آن را عنصر بخشنده آنتیموان که گازی شکل است فرا می گیرد. اتم های آنتیموان در ژرمانیم پخش می شود تا یک ناحیه نوع nرا تولید کند. اگر از یک بلور نوع n استفاده شود، گالیوم گازی شکل به عنوان عنصر پذیرنده برای تهیه ناحیه نوع p در بلور بکار می رود. وقتی قرار است وسیله ای سیلیسیمی ساخته شود، از بور به عنوان عنصر پذیرنده و از فسفر به عنوان عنصر بخشنده استفاده می شود.

دیود پیوندی شامل بلوری است که هم دارای ناحیه نوع p و هم ناحیه نوع n است. دیود های پیوندی یا از ژرمانیم ساخته می شود و یا از سیلیسیم، اولی دارای مزیت مقاومت مستقیم کمتر و دومی از مزیت داشتن ولتاژ شکست بیشتر و جریان اشباع معکوس کمتر برخوردار است. اتصال به پیوند با سیمهایی که به هر یک از این دو ناحیه وصل شده، برقرار می شود. معمولاً برای جلوگیری از نفوذ رطوبت کل وسیله را در محفظه ای بسته قرار می دهند.

دیودهای اتصال- نقطه ای

اصولاً دیود اتصال- نقطه ای از یک قرص ژرمانیم نوع n که نوک یا سبیلهایش، از سیم تنگستنی است و بر رویه آن فشرده می شود، تشکیل یافته است. اتصال به سبیل از طریق دو سیم مسی انجام می شود در خلال ساخت دیود اتصال- نقطه ای، یک تپ جریان از دیود عبور می کند و باعث می شود که در مساحتی از قرص و درست در مجاورت نوک سبیل یک ناحیه نوع p تشکیل شود. در این حالت پیوند n-p که ظرفیت در قرص ایجاد شده است.

انواع دیودها و کاربرد آن ها

پارامترهای مهم دیودهای نیمرسانا عبارتند از :

1- مقاومت های a.c. مستقیم و معکوس.

2- جریان مستقیم حداکثر.

3- ظرفیت پیوند.

4- فعالیت در ناحیه شکست.

انواع اصلی دیود که در مدارهای الکترونیکی جدید بکار می روند، عبارتند از :

1- دیودهای سیگنالی.

2- دیودهای توان.

3- دیودهای زنر.

4- دیودهای با طرفیت متغیر (ورکتور).

1. دیودهای سیگنالی

اصطلاح دیود سیگنالی تمامی دیودهایی را در بر می گیرد که در مدارهایی که مقادیر اسمی زیاد جریان یا ولتاژ نیاز نیست بکار می روند. شرایط معمولی عبارتند از نسبت بزرگ مقاومت معکوس به مقاومت مستقیم و حداقل ظرفیت پیوند. برخی دیودهای موجود در بازار از انواعی هستند که کاربردهای آن دارند، دیودهای دیگری از این نوع یافت می شوند که کاربردهای مداری خاص، مثلاً، آشکار ساز، امواج رادیویی، یا کلیدالکترونیکی در مدارهای منطقی بسیار مناسبند. حداکثر ولتاژ معکوس، یا ولتاژ معکوس قله، که معمولاً از دیود انتظار ارائه آن می رود معمولاً خیلی بالا نیست، حداکثر جریان مستقیم هم بالا نیست. بیشتر انواع دیود سیگنالی دارای ولتاژ معکوس قله ای در گستره v30 تا v 150 و حداکثر جریان مستقیم در حدود بین 40 وmA250 است. ولی اخیراً می توان به مقادیر بالاتری دست یافت.

2. دیودهای توان

دیودهای توان را غالباً برای تبدیل جریان متفاوب به جریان مستقیم، مانند یک سوسازها، بکار می برند. پارامترهای مهم دیود توان عبارتد از ولتاژ معکوس قله، حداکثر جریان مستقیم و نسبت مقاومت. ولتاژ معکوس قله احتمالاً دست در گستره V50 تا V1000 است با حداکثر جریان مستقیم که شاید A30 است. مقاومت مستقیم باید تا حد امکان پایین باشد تا از افت چشمگیری در ولتاژ دو سر دیود وقتی که جریان مستقیم زیادی جریان دارد جلوگیری می کند؛ معمولاً این مقاومت خیلی بیشتر از یک یا دو اهم نیست.

3. دیودهای زنر

جریان معکوس بزرگی که در هنکام در گذشتن ولتاژ دو سر دیود از ولتاژ شکست دیود، جاری می شود لزوماً نباید باعث آسیب رساندن به وسیله شود.

تحقیق در مورد نیمه رساناها

اختصاصی از هایدی تحقیق در مورد نیمه رساناها دانلود با لینک مستقیم و پر سرعت .

لینک دانلود و خرید پایین توضیحات

فرمت فایل word  و قابل ویرایش و پرینت

تعداد صفحات: 30

بیان ساده شده نظریه نیمر سانا

نیمرسانا ماده ای است که مقاومت ویژه آن خیلی کمتر از مقاومت ویژه عایق و در عین حال خیلی بیشتر از مقاومت ویژه رساناست، و مقاومت ویژه اش با افزایش دما کاستی می پذیرد.مثلا، مقاومت ویژه مس 8-10اهم - متر کوا رتز1012 اهم - متر ، و مقاومت ویژه مواد نیمرسانای ، یعنی سیلیسیم 5/ . اهم- متر و از آن ژرمانیم 2300 اهم -متر در دمای c27 است. برای درک عملکرد نیمرسانا ها و ابزار نیمرسانا ، قدری آشنایی با مفاهیم اساسی ساختار اتمی ماده ضروری است.

دیو دهای نیمرسانا

ساختمان

دیود نیمرسانا وسیله ای است که در مقابل عبور جریان ، در یک جهت مقاومت زیاد و در جهت دیگر مقاومت کمی برو ز میدهد . دیود را به طور گستردهای و برای اهداف گوناگون در مدارهای الکترونیکی به کا ر می گیرند و اساساً شامل یک پیوند p-n است که از بلور سیلیسیوم و یا ژرمانیم تشکیل می شود . (شکل ب) نماد دیود نیمرسانا در شکل الف نموده شده است .

جهتی که دیود در مقابل عبور جریان مخالقت کمی بروز میدهد با سر پیکان نشان داده شده است .

دیود نیمر سانا نسبت به دیود گرما یونی از مزایای زیادی برخوردار است، این دیود به منبع گرم کن نیاز ندارد، بسیار کوچک تر و سبک تر است ، و قابلیت اطمینان بسیار بیشتری دارد.

ژرمانیم یا سیلیسیمی که در ساخت دیود نیمرسانا به کار میرود باید ابتدا تا رسیدن به غلظت نا خالصی کمتر از یک جزء در 10 10 جزء پالوده شود.سپس اتمهای ناخالصی مطلوب ، بخشنده ها یا پذیرنده ها ، به مقادیر مورد لزوم اضافه شده و ماده به شکل یک تک بلور ساخته می شود.

برای ساختن پولک ژرمانیم نوع n مقداری ژرمانیم ذاتی را با کمی ناخالصی در یک بوته ودر خلاءذوب می کنند، ویک بلور هسته را تا عمق چند میلیمتری در مذاب فرو می برند. دمای ژرمانیم مذاب در ست بالای نقطه ذوب بلور هسته قرار دارد ، و چند میلیمتری از هسته غوطه ور در مذاب نیز ذوب می شود .این هسته با سرعت ثابتی چرخانده می شود و همزمان به آرامی از مذاب بیرون کشیده می شود ، بدین سان یک بلور نوع n تشکیل شده است . با کنترل دقیق این فرایند می توان به غلظت نا خالصی مورد نیاز دست یافت.

قرصی از ایندیم در یک پولک ژرمانیم قرار می دهند و به آن دمای با لاتر از نقطه ذوب ایندیم ولی پایین تراز نقطه ذوب ژرمانیم حرارت داده میشود. ایندیم ذوب می شود و ژرمانیم را حل می کند تا اینکه محلول اشباح شده از ژرمانیم در ایندیم به دست آید. سپس پولک به آرامی سرد می شود و در خلال سرد شدن یک ناحیه ژرمانیم نوع p در پولک تولید شده و آلیاژی از ژرمانیم و ایندیم (عمدتاً ایندیم) در پولک ته نشین می شود. پیوند p-n آلیاژ سیلیسیم را نیز می توان با همین روش و با بکار گیری آلومینیوم به عنوان پذیرنده، تشکیل داد.

ژرمانیم نوع p تا دمای خیلی نزدیک به نقطه ذوب ژرمانیم گرم می شود، و پیرامون آن را عنصر بخشنده آنتیموان که گازی شکل است فرا می گیرد. اتم های آنتیمیوان در ژرمانیم پخش می شود تا یک ناحیه نوع n را تولید کند . اگر از یک بلور نوع n استفاده شود، گالیم گازی شکل به عنوان عنصر پذیرنده برای تهیه ناحیه نوع p در بلور بکار می رود. وقتی قرار است وسیله ای سیلیسیمی ساخته شود، از بور به عنوان عنصر پذیرنده و از فسفر به عنوان عنصر بخشنده استفاده می شود.

دیود پیوندی شامل بلوری است که هم دارای ناحیه نوع p و هم ناحیه نوع n است. دیود های پیوندی یا از ژرمانیم ساخته می شود و یا از سیلیسیم، اولی دارای مزیت مقاومت مستقیم کمتر و دومی از مزیت داشتن ولتاژ شکست بیشتر و جریان اشباح معکوس کمتر برخوردار است. اتصال به پیوند با سیمهایی که به هر یک از این دو ناحیه وصل شده، برقرار می شود. معمولاً برای جلوگیری از نفوذ رطوبت کل وسیله را در محفظه ای بسته قرار می دهند.

دیودهای اتصال- نقطه ای

اصولاً دیود اتصال- نقطه ای از یک قرص ژرمانیم نوع n که نوک یا سبیلهایش، از سیم تنگستنی است و بر رویه آن فشرده می شود، تشکیل یافته است. اتصال به سبیل از طریق دو سیم مسی انجام می شود در خلال ساخت دیود اتصال- نقطه ای، یک تپ جریان از دیود عبور می کند و باعث می شود که در مساحتی از قرص و درست در مجاورت نوک سبیل یک ناحیه نوع p تشکیل شود. در این حالت پیوند n-p که ظرفیت در قرص ایجاد شده است.

انواع دیودها و کاربرد آن ها

پارامترهای مهم دیودهای نیم رسانا عبارتند از :

1- مقاومت های a.c. مستقیم و معکوس.

2- جریان مستقیم حداکثر.

3- ظرفیت پیوند.

4- فعالیت در ناحیه شکست.

انواع اصلی دیود که در مدارهای الکترونیکی جدید بکار می روند، عبارتند از :

1- دیودهای سیگنالی.

2- دیودهای تون.

3- دیودهای زنر.

4- دیودهای با طرفیت متغیر (ورکتور).

1- دیودهای سیگنالی

اصطلاح دیود سیگنالی تمامی دیودهایی را در بر می گیرد که در مدارهایی که مقادیر اسمی زیاد جریان یا ولتاژ نیاز نیست بکار می روند. شرایط معمولی عبارتند از نسبت بزرگ مقاومت معکوس به مقاومت مستقیم و حداقل ظرفیت پیوند. برخی دیودهای موجود در بازار از انواعی هستند که کاربردهای آن دارند، دیودهای دیگری از این نوع یافت می شوند که کاربردهای مداری خاص، مثلاً، آشکار ساز، امواج رادیویی، یا کلیدالکترونیکی در مدارهای منتقی بسیار مناسبند. حداکثر ولتاژ معکوس، یا ولتاژ معکوس قله، که معمولاً از دیود انتظار ارائه ان می رود معمولاً خیلی بالا نیست، حداکثر جریان مستقیم هم بالا نیست. بیشتر انواع دیود سیگنالی دارای ولتاژ معکوس قله ای

کنترل موتور DC

اختصاصی از هایدی کنترل موتور DC دانلود با لینک مستقیم و پر سرعت .

لینک دانلود و خرید پایین توضیحات

فرمت فایل word  و قابل ویرایش و پرینت

تعداد صفحات: 1

مدار کنترل موتور DC  ساده

این مدار جهت کنترل موتورهای دی سی ( DC Motors ) در روبات ها و همچنین دستگاههای مکانیکی کوچک کاربرد دارد. این مدار علاوه بر خاوش و ورشن کردن موتور می تواند جهت گردش آن را نیز کنترل نماید. مدار دارای دو کلید شستی ( فشاری) است که این کلید ها باید از نوع Normally open  انتخاب شوند. با فشار هر یک از کلید ها موتور در یک جهت چرخش خواهد نمود. در صورتی که به جای کلید های S1 , S2  از مدارات حسگر مانند مدارات حساس به نور یا مادون قرمز استفاده نمایید ، این مدار می تواند بخش از یک ربات هوشمند مانند ربات بولینگر یا ربات آتش نشان و یا مسیریاب باشد. در صورتی که جریان عبوری از مدار زیاد باشد ترانزیستور گرم خواهند شد که بهتر است برای آنها از حرارت گیر مناسب استفاده نمایید. به زودی مدارات کاملتری از این نوع با قابلیت تغییر سرعت موتور نیز در سایت قرار خواهد گرفت.

نیمه رساناها

اختصاصی از هایدی نیمه رساناها دانلود با لینک مستقیم و پر سرعت .

لینک دانلود و خرید پایین توضیحات

فرمت فایل word  و قابل ویرایش و پرینت

تعداد صفحات: 30

بیان ساده شده نظریه نیمر سانا

نیمرسانا ماده ای است که مقاومت ویژه آن خیلی کمتر از مقاومت ویژه عایق و در عین حال خیلی بیشتر از مقاومت ویژه رساناست، و مقاومت ویژه اش با افزایش دما کاستی می پذیرد.مثلا، مقاومت ویژه مس 8-10اهم - متر کوا رتز1012 اهم - متر ، و مقاومت ویژه مواد نیمرسانای ، یعنی سیلیسیم 5/ . اهم- متر و از آن ژرمانیم 2300 اهم -متر در دمای c27 است. برای درک عملکرد نیمرسانا ها و ابزار نیمرسانا ، قدری آشنایی با مفاهیم اساسی ساختار اتمی ماده ضروری است.

دیو دهای نیمرسانا

ساختمان

دیود نیمرسانا وسیله ای است که در مقابل عبور جریان ، در یک جهت مقاومت زیاد و در جهت دیگر مقاومت کمی برو ز میدهد . دیود را به طور گستردهای و برای اهداف گوناگون در مدارهای الکترونیکی به کا ر می گیرند و اساساً شامل یک پیوند p-n است که از بلور سیلیسیوم و یا ژرمانیم تشکیل می شود . (شکل ب) نماد دیود نیمرسانا در شکل الف نموده شده است .

جهتی که دیود در مقابل عبور جریان مخالقت کمی بروز میدهد با سر پیکان نشان داده شده است .

دیود نیمر سانا نسبت به دیود گرما یونی از مزایای زیادی برخوردار است، این دیود به منبع گرم کن نیاز ندارد، بسیار کوچک تر و سبک تر است ، و قابلیت اطمینان بسیار بیشتری دارد.

ژرمانیم یا سیلیسیمی که در ساخت دیود نیمرسانا به کار میرود باید ابتدا تا رسیدن به غلظت نا خالصی کمتر از یک جزء در 10 10 جزء پالوده شود.سپس اتمهای ناخالصی مطلوب ، بخشنده ها یا پذیرنده ها ، به مقادیر مورد لزوم اضافه شده و ماده به شکل یک تک بلور ساخته می شود.

برای ساختن پولک ژرمانیم نوع n مقداری ژرمانیم ذاتی را با کمی ناخالصی در یک بوته ودر خلاءذوب می کنند، ویک بلور هسته را تا عمق چند میلیمتری در مذاب فرو می برند. دمای ژرمانیم مذاب در ست بالای نقطه ذوب بلور هسته قرار دارد ، و چند میلیمتری از هسته غوطه ور در مذاب نیز ذوب می شود .این هسته با سرعت ثابتی چرخانده می شود و همزمان به آرامی از مذاب بیرون کشیده می شود ، بدین سان یک بلور نوع n تشکیل شده است . با کنترل دقیق این فرایند می توان به غلظت نا خالصی مورد نیاز دست یافت.

قرصی از ایندیم در یک پولک ژرمانیم قرار می دهند و به آن دمای با لاتر از نقطه ذوب ایندیم ولی پایین تراز نقطه ذوب ژرمانیم حرارت داده میشود. ایندیم ذوب می شود و ژرمانیم را حل می کند تا اینکه محلول اشباح شده از ژرمانیم در ایندیم به دست آید. سپس پولک به آرامی سرد می شود و در خلال سرد شدن یک ناحیه ژرمانیم نوع p در پولک تولید شده و آلیاژی از ژرمانیم و ایندیم (عمدتاً ایندیم) در پولک ته نشین می شود. پیوند p-n آلیاژ سیلیسیم را نیز می توان با همین روش و با بکار گیری آلومینیوم به عنوان پذیرنده، تشکیل داد.

ژرمانیم نوع p تا دمای خیلی نزدیک به نقطه ذوب ژرمانیم گرم می شود، و پیرامون آن را عنصر بخشنده آنتیموان که گازی شکل است فرا می گیرد. اتم های آنتیمیوان در ژرمانیم پخش می شود تا یک ناحیه نوع n را تولید کند . اگر از یک بلور نوع n استفاده شود، گالیم گازی شکل به عنوان عنصر پذیرنده برای تهیه ناحیه نوع p در بلور بکار می رود. وقتی قرار است وسیله ای سیلیسیمی ساخته شود، از بور به عنوان عنصر پذیرنده و از فسفر به عنوان عنصر بخشنده استفاده می شود.

دیود پیوندی شامل بلوری است که هم دارای ناحیه نوع p و هم ناحیه نوع n است. دیود های پیوندی یا از ژرمانیم ساخته می شود و یا از سیلیسیم، اولی دارای مزیت مقاومت مستقیم کمتر و دومی از مزیت داشتن ولتاژ شکست بیشتر و جریان اشباح معکوس کمتر برخوردار است. اتصال به پیوند با سیمهایی که به هر یک از این دو ناحیه وصل شده، برقرار می شود. معمولاً برای جلوگیری از نفوذ رطوبت کل وسیله را در محفظه ای بسته قرار می دهند.

دیودهای اتصال- نقطه ای

اصولاً دیود اتصال- نقطه ای از یک قرص ژرمانیم نوع n که نوک یا سبیلهایش، از سیم تنگستنی است و بر رویه آن فشرده می شود، تشکیل یافته است. اتصال به سبیل از طریق دو سیم مسی انجام می شود در خلال ساخت دیود اتصال- نقطه ای، یک تپ جریان از دیود عبور می کند و باعث می شود که در مساحتی از قرص و درست در مجاورت نوک سبیل یک ناحیه نوع p تشکیل شود. در این حالت پیوند n-p که ظرفیت در قرص ایجاد شده است.

انواع دیودها و کاربرد آن ها

پارامترهای مهم دیودهای نیم رسانا عبارتند از :

1- مقاومت های a.c. مستقیم و معکوس.

2- جریان مستقیم حداکثر.

3- ظرفیت پیوند.

4- فعالیت در ناحیه شکست.

انواع اصلی دیود که در مدارهای الکترونیکی جدید بکار می روند، عبارتند از :

1- دیودهای سیگنالی.

2- دیودهای تون.

3- دیودهای زنر.

4- دیودهای با طرفیت متغیر (ورکتور).

1- دیودهای سیگنالی

اصطلاح دیود سیگنالی تمامی دیودهایی را در بر می گیرد که در مدارهایی که مقادیر اسمی زیاد جریان یا ولتاژ نیاز نیست بکار می روند. شرایط معمولی عبارتند از نسبت بزرگ مقاومت معکوس به مقاومت مستقیم و حداقل ظرفیت پیوند. برخی دیودهای موجود در بازار از انواعی هستند که کاربردهای آن دارند، دیودهای دیگری از این نوع یافت می شوند که کاربردهای مداری خاص، مثلاً، آشکار ساز، امواج رادیویی، یا کلیدالکترونیکی در مدارهای منتقی بسیار مناسبند. حداکثر ولتاژ معکوس، یا ولتاژ معکوس قله، که معمولاً از دیود انتظار ارائه ان می رود معمولاً خیلی بالا نیست، حداکثر جریان مستقیم هم بالا نیست. بیشتر انواع دیود سیگنالی دارای ولتاژ معکوس قله ای