فایل فلش فارسی نوکیا 8800 rm-165 ورژن 04.20

اختصاصی از هایدی فایل فلش فارسی نوکیا 8800 rm-165 ورژن 04.20 دانلود با لینک مستقیم و پر سرعت .

تمام رامها تست شده و در صورت بروز مشکل با آیدی allrom1502@ تلگرام ویا با جیمیل [e-mail] تماس بگیرید
در اولین فرصت جوابگوی شما عزیزان هستیم.

ماهواره امید

اختصاصی از هایدی ماهواره امید دانلود با لینک مستقیم و پر سرعت .

لینک پرداخت و دانلود "پایین مطلب:

فرمت فایل: word (قابل ویرایش)

تعداد صفحه:13

فهرست

ماهواره   :ماهواره امید

سامانه فضایی بومی ایران پرتاب آزمایشی

مدار

بازتاب در رسانه‌های غربی

واکنش کشورهای غربی

ناگفته‌هایی از ماهواره امید

مقدمه :

ماهواره

ماهواره، یا «قمر مصنوعی»، به دستگاه‌های ساخت بشر گفته می‌شود که در مدارهایی در فضا به گرد زمین یا سیارات دیگر می‌چرخند.

اهمیت ماهواره‌ها برای مخابرات و بررسی منابع زمینی و پژوهش و کاربردهای نظامی و جاسوسی روزافزون است. بخشی از پژوهشهای علمی و تخصصی که در آزمایشگاه‌های مستقر در فضا انجام می‌شود، هرگز نمی‌توانست روی کره زمین جنبه عملی به خود گیرد

فایل فلش فارسی نوکیا 8800 rm-233 ورژن 10.00

اختصاصی از هایدی فایل فلش فارسی نوکیا 8800 rm-233 ورژن 10.00 دانلود با لینک مستقیم و پر سرعت .

تمام رامها تست شده و در صورت بروز مشکل با آیدی allrom1502@ تلگرام ویا با جیمیل [e-mail] تماس بگیرید
در اولین فرصت جوابگوی شما عزیزان هستیم.

تحقیق و بررسی در مورد استقامت عایقی تجهیزات 13 ص

اختصاصی از هایدی تحقیق و بررسی در مورد استقامت عایقی تجهیزات 13 ص دانلود با لینک مستقیم و پر سرعت .

لینک دانلود و خرید پایین توضیحات

فرمت فایل word  و قابل ویرایش و پرینت

تعداد صفحات: 17

استقامت عایقی تجهیزات

مقدمه:

عایقها عناصر ایده‌آلی نبوده و هر عایق بدلایل مختلف تا حد هادی جریان الکتریسیته می باشد. با افزایش شدت میدان الکتریکی ( از طریق افزایش ولتاژ) به ذرات باردار عایق نیروی بیشتری دارد میشود. با افزایش سرعت این ذرات، انرژی جنبشی آنها نیز افزایش می یابد. در صورتیکه هنگام برخورد ، انرژی جنبشی آنها از اختلاف پتانسیل یونیزاسیون مولکولها ی عایق بیشتر باشد موفق به یونیزاسیون مولکولها خواهند شد. چنانچه این پدیده بصورت زنجیری گسترش یابد. بهم الکترونی حاصل باعث شکست عایقی شده و عایق نظیر هادیها خاصیت هدایت می یابد.

شکست الکترونی در یک عایق همیشه در ولتاژ ثابتی صورت نمی‌گیرد. در واقع این پدیده یک فرآیند تصادفی بوده و به پارامترهای متعددی بستگی دارد از جمله:

الف : دامنه، شکل موج، مدت اثر، لحظه اعمال، پلاریته، سرعت و توزیع میدان الکتریکی

ب : حالت فیزیکی عایق

ج : شرایط محیطی ( دما، فشار هوا، رطوبت، آلودگی و...)

کیفیت توزیع میدان الکتریکی در پدیده شکست عایقی دارای اهمیت زیادی است. شکل با آرایش الکترودها(شکل الکترود و فاصله آنها) مشخص می شود. در یک پست فشار قوی تنوع زیادی از نظر آرایش الکترودی وجود دارد.

عایق های خارجی و داخلی ( External & internal insulation)

عایقها از نظر شدت تاثیرشان نسبت به شرایط محیطی و عوامل خارجی نظیر رطوبت، دما و آلودگی به دو دسته عایق های خارجی و داخلی تقسیم می شوند. عایقهای خارجی به فواصل هوائی و سطوح مجاور هوای آزاد در عایقهای جامد اطلاق می شود. این عایقها تحت تاثیر شرایط جوی و سایر عوامل خارجی(نظیر رطوبت، دما و حشرات و... ) قرار دارند. از طرف دیگر به بخشهای داخلی (جامد، مایع و گاز) عایق بندی تجهیزات که از مواد فوق متاثر میشوند عایق های داخلی اطلاق می شود.

عایق های بازگشت پذیر و بازگشت ناپذیر

از دیدگاه تاثیر پذیری عایقها از شکست الکتریکی میتوان آنها را به دو طبقه عایقهای بازگشت پذیر و بازگشت ناپذیر تقسیم نمود.

عایقهای بازگشت پذیر غالبا از نوع خارجی بوده و قادرند پس از یک شکست الکتریکی مجددا به استقامت الکتریکی اولیه دست یابند. در حال حاضر روش آماری هماهنگی عایقی تنها برای عایقهای بازگشت پذیر که منحنی چگالی احتمال شکست آنها را میتوان بدست آورد قابل استفاده است.

عایقهای بازگشت ناپذیر غالبا از نوع عایقهای داخلی بوده و معمولا از ترکیب دو یا چند عایق مختلف (گاز، مایع، جامد) تشکیل میگردد (کابلهای سیم پیچی ماشین های الکتریکی، بوئینگ ها و پست های G I S). این عایق ها هیچگاه نباید تحت ولتاژهائی که منجر به شکست الکتریکی می شوند قرار گیرند لذا برای این نوع عایقها روش مرصوم هماهنگی عایق همچنان معتبراست.

اثر شرایط محیطی بر استقامت الکتریکی عایقها

روشن است که عایقهای داخلی متاثر از شرایط محیطی نظیر رطوبت، فشار، آلودگی ودرجه حرارت نبوده و لذا استقامت الکتریکی آنها را میتوان برای شرایط مختلف آب وهوائی فرض نمود. برعکس عایقهای داخلی، عایقهای خارجی از شرایط آب و هوائی تاثیر می پذیرند بطوریکه

استقامت الکتریکی عایق با افزایش چگالی هوا( کاهش دما، کاهش ارتفاع از سطح دریا، افزایش فشار هوا) بعلت کاهش ذرات، افزایش می یابد.

استقامت الکتریکی عایق با افزایش رطوبت هوا، بدلیل جذب شدن بارهای حامل توسط ذرات آب، افزایش می یابد.

آلودگیها که به دو صورت آلودگی ناشی از نمک ها وآلودگی ناشی از خاکسترهای صنعتی ظاهر می شوند باعث کاهش استقامت عایقی سطوح خارجی در ولتاژهای با فرکانس شبکه میگردند.( عامل تعیین کننده در فاصله خزندگی creepage مقره، میزان آلودگی منطقه

تحقیق و بررسی در مورد اصول دیود PIN

اختصاصی از هایدی تحقیق و بررسی در مورد اصول دیود PIN دانلود با لینک مستقیم و پر سرعت .

لینک دانلود و خرید پایین توضیحات

فرمت فایل word  و قابل ویرایش و پرینت

تعداد صفحات: 10

 اصول دیود PIN

دیود PIN وسیله ی نیمه هادی است که به عنوان یک مقاومت متغیر در فرکانسهای RF و مایکروویوی عمل می کند. مقدار مقاومت دیود PIN به تنهائی توسط جریان dc بایاس مستقیم آن مشخص می شود.

دیود PIN وسیله ی نیمه هادی است که به عنوان یک مقاومت متغیر در فرکانسهای RF و مایکروویوی عمل می کند. مقدار مقاومت دیود PIN به تنهائی توسط جریان dc بایاس مستقیم آن مشخص می شود.

دیود PIN می بایست در کاربردهای سوئیچ و تضعیف کننده به طور ایده آلی سطح سیگنال RF را بدون اعوجاج کنترل کند زیرا ممکن است باعث تغییراتی در شکل سیگنال RF شود. مشخصه ی مهم و افزوده ی این دیودها توانائی آنها در کنترل سیگنالهای RF بزرگ در هنگامی است که از سطح تحریک dc بسیار کمی استفاده می کنند.

مدلی از دیود PIN در شکل 1 نشان داده شده است. این چیپ با شروع از یک ویفر تهیه می شود که اغلب به طور ذاتی سیلیکون خالص است و عمر زیادی دارد. سپس ناحیه ی P روی یک سطح و ناحیه ی N روی سطح دیگر تزریق می شوند. ضخامت W ناحیه ی ایجاد شده یا ناحیه-I تابعی از ضخامت ویفر سیلیکونی پایه است و مساحت چیپ A وابسته به این است که به چه مقدار بخش های کوچکی از ویفر اصلی تعریف شده است.

کارایی دیود PIN در ابتدا وابسته به ظاهر چیپ و طبیعت نیمه هادی دیود ساخته شده خصوصاً در ناحیه-I است. اگر ضخامت ناحیه-I کنترل شود، طول عمر بالای عبور حامل و مقاومت بالای آن را به همراه خواهد داشت. این مشخصات توانائی کنترل سیگنال RF را با کمترین اعوجاج بهبود می بخشند آن هم در مواقعی که نیازمند استفاده از منبع تغذیه ی dc سطح پائین هستیم.

دیود PIN در بایاس مستقیم

هنگامیکه که دیود PIN در بایاس مستقیم است، حفره ها و الکترونها از نواحی P و N به ناحیه-I انتشار می یابند. این بارها به سرعت ترکیب مجدد نمی شوند و در عوض مقدار محدودی از بارها برای همیشه در ناحیه-I باقی مانده و مقاومت آن را کاهش می دهند. مقدار بار ذخیره شده Q به زمان ترکیب مجدد، τ عمرحامل، و جریان بایاس مستقیم IF وابسته است(رابطه ی 1):

مقاومت RS ناحیه-I تحت بایاس مستقیم به طور معکوس به Q وابسته بوده و ممکن است به شکل زیر بیان شود(رابطه ی 2):

از ترکیب روابط 1 و 2 رابطه ای برای RS بدست می آید که به عنوان تابعی معکوس از جریان است(رابطه ی 3):

این رابطه مستقل از مساحت است ولی در دنیای واقعی، RS کمی به مساحت وابسته است آن هم از این جهت که عمر موثر با مساحت و ضخامت (ناشی از ترکیب مجدد لبه) تغییر می کند. به طور نمونه، دیودهای PIN مشخصه مقاومت مشابه آنچه در شکل 2 رسم شده است را دارند. مقاومت در حدود 0.1 اهم در جریان بایاس مستقیم 1A به حدود 10K اهم در جریان بایاس مستقیم 1uA افزایش می یابد که بازه ای خوب برای دیود PIN است.

ماکزیمم مقاومت بایاس مستقیم (RS(max برای یک دیود PIN معمولاً در جریان بایاس مستقیم 100mA مشخص می شود. در بعضی مواقع  (RS(min  توسط جریان بایاس مستقیم 10uA مشخص