
فهرست:
فصل اول : مواد در حال تغییر
فصل دوم :نور ،رنگ،بینایی
فصل سوم:موج
فصل چهارم:گرما چیست؟
دانلود پاورپوینت مواد در حال تغییر،نور ،رنگ،بینایی،موج و گرما چیست؟- 107 اسلاید
فهرست:
فصل اول : مواد در حال تغییر
فصل دوم :نور ،رنگ،بینایی
فصل سوم:موج
فصل چهارم:گرما چیست؟
لینک دانلود و خرید پایین توضیحات
فرمت فایل word و قابل ویرایش و پرینت
تعداد صفحات: 30
انتقال گرما و حرارت
محاسبه انتقال گرما در سطوح نانومقیاس
دانشمندان با استفاده از یک نانونوک، با منبع گرمایی نانومقیاس، توانستهاند یک سطح موضعی را بدون تماس با آن گرم کنند؛ این کشف راهی به سوی ساخت ابزارهای گرمایی ذخیره اطلاعات و نانودماسنجها خواهد بود. همه ساله نیاز بشر به ذخیره اطلاعات بیشتر و بیشتر میشود. درک چگونگی انتقال گرما در مقیاس نانو لازمه کاربرد این فناوری تأثیرگذار در ذخیره اطلاعات است. دانشمندان سراسر جهان سعی دارند تا فناوریهای جایگزینی برای سیستمهای ذخیره اطلاعات کنونی بیابند تا پاسخگوی نیاز روزافزون جوامع امروزی به ذخیره اطلاعات باشد؛ فناوری گرمایی ذخیره اطلاعات از جمله گزینههایی است که به آن رسیدهاند.
در این روش، با استفاده از یک لیزر، دیسک مورد نظر برای ذخیره اطلاعات را گرم کرده و به این ترتیب فرایند ثبت مغناطیسی پایدار میشود، به طوری که نوشتن دادهها روی آن آسانتر شده، پس از خنک شدن آن میتوان دادهها را مجدداً بازیابی نمود. با استفاده از این روش، مشکل بحرانی حد ابرپارامغناطیسی که دستگاههای ضبط مغناطیسی با آن مواجهاند، برطرف میشود. در روشهای کنونی دانشمندان بیتهای اطلاعاتی را که در دمای اتاق کار میکنند، تا اندازه معینی کوچک میکنند، اما این بیتها با این کار از لحاظ مغناطیسی ناپایدار شده، از محل خود خارج میشوند، در نتیجه اطلاعات روی آنها پاک میشود.
بررسیهای اخیر دانشمندان فرانسوی درباره انتقال گرما بین نوک و سطح به پیشرفت مهمی در زمینه ذخیره گرمایی اطلاعات و دیگر کاربردها منجر شده است. آنها گرمایی را که بیشتر از طریق هوا و به شیوه رسانش، بین نوک سیلیکونی و یک سطح انتقال مییابد، محاسبه کردند.
Pierre-Olivier Chapuis از محققان این گروه میگوید: ”انتقال گرما در سطح ماکروسکوپی به خوبی شناخته شده است (وقتی برخورد مولکولها در حالت تعادل موضعی ترمودینامیکی باشد با تابع پخش فوریه بیان میشود). همچنین انتقال گرما را میتوان در یک نظام بالستیک خالص (وقتی که هیچ برخوردی بین مولکولها وجود ندارد) محاسبه نمود. اما محاسبه انتقال گرما در نظام میانی، وقتی که مولکولها با هم برخورد دارند، همچنان یک چالش به شمار میآید.“
دانشمندان در آزمایش خود از یک نوک دارای منبع گرمایی به ابعاد 20 nm که در فاصله بین صفر تا 50 نانومتری بالای سطح قرار میگیرد، استفاده کردهاند.
مولکولهای هوای بین نوک و سطح، در تماس با این نوک داغ، گرم شده و روی سطح دیسک قرار میگیرند و گاهی هم قبل از آن با دیگر مولکولها برخورد میکنند. این محققان برای اولین بار با استفاده از قانون بولتزمن درباره حرکت گازها، توانستند توزیع گرمایی در این مقیاس و نیز سطوح شارگرمایی را تعیین کنند. آنها نشان دادند که انتقال و انتشار گرما از نوک به سطح در مدت چند ده پیکوثانیه و بدون آن که تماس بین نوک و سطح برقرار شود، انجام میگیرد. آنها همچنین دریافتند که در فاصله کمتر از 10 nm این نوک داغ میتواند ضمن حفظ شکل، ناحیهای به پهنای 35 nm را گرم کند و در بیشتر از این فاصله، شکل از بین رفته و لکه گرمایی به طور قابل توجهی افزایش مییابد.
در این شکل گرما از نوک یک میکروسکوپ نیروی اتمی (AFM) به سطح منتقل میشود. ناحیه گرم شده باعث برخورد مولکولهای هوا به یکدیگر شده، درنتیجه یک سطح موضعی معین بدون هیچ تماسی گرم میشود.
با این روش که پیشبینی میشود تا سال دو هزار و ده به بازار راه یابد، میتوان چگالی اطلاعاتی معادل تریلیونها بیت (ترابایت) را دریک اینچ مربع جا داده و چگالی جریان را هم کمتر نمود. از این روش همچنین میتوان در میکروسکوپهای گرمایی پیمایشی که مانند یک نانودماسنج، گرما و رسانش گرمایی در مقیاس نانو را حس میکنند، استفاده نمود. در این روش اطلاع از سطح شار گرمایی، برای تشخیص این که آیا به دمای بحرانی (مانند نقطه ذوب) رسیدهایم یا نه، بسیار مهم است. به گفته این محققان در این روش با کاهش گرمای منبع، میتوان به بررسی دقیقتر نمونه نسبت به آنچه هماکنون انجام میشود، پرداخت.
انتقال گرما به وسیله نانوسیالات
چکیده
لینک دانلود و خرید پایین توضیحات
فرمت فایل word و قابل ویرایش و پرینت
تعداد صفحات: 16
گرما مادر انرژیها
نور یکی از مباحث و پدیده هایی است که از قرن هیجدهم دانشمندان را به خود معطوف کرده است . دوگانه بودن خواص نور ، یکی از مهم ترین عامل جذب دیگران به خود بوده است .
نور یکی از مباحث و پدیده هایی است که از قرن هیجدهم دانشمندان را به خود معطوف کرده است . دوگانه بودن خواص نور ، یکی از مهم ترین عامل جذب دیگران به خود بوده است . الکترون ها نیز همانند نور دارای خواص موجی و مادی می باشند ، هنگامی که الکترون های یک اتم ، انرژی دریافت می کنند به سطوح بالای اتم می روند که حالت برانگیختن به اتم دست داده می شود . هنگامی که الکترون ها از سطوح انرژی بالاتر به سطوح انرژی پایین تر می روند ، آن مقدار انرژی که دریافت کرده اند را به صورت نور پس می دهند .
ارتعاش اتم ها باعث تولید نور می شود ، و نور گسیل شده از الکترون های یک اتم ، در یک جهت و راستا قرار دارند . اما نور های گسیلی از مجموعه اتم ها در تمام جهات و به خط مستقیم سیر می کنند . در لیزر نور های گسیلی در یک جهت و راستا است .
نور را می توان در فرآیند های فیزیکی ، واکنش های شیمیایی ، سوختن و شکاف های هسته ای ، مشاهده کرد . قبل از شروع در مورد تولید نور در این فرآیند ، بهتر است ابتدا بحثی در مورد گرما داشته باشیم . با پی بردن به ماهیت گرما ، می توانیم نور را به آسانی بشناسیم . گرما موجی است که طول موجش بزرگتر از طول موج نور مرئی است .
هنگامی که امواج گرما انرژی دریافت می کنند ، طول موج آن ها کاهش می یابد و با دریافت انرژی به طور متداول ، این امواج در محدوده طیف رنگی ( نور مرئی ) قرار می گیرند ، که در این حالت ما ، این امواج گرما را به صورت نور مشاهده می کنیم .این امواج با دریافت انرژی بیشتر ، از محدوده نور مرئی خارج می شوند ( مانند شکاف های هسته ای) .
پس امواج گرما در دو حالت ، نامرئی هستند : امواجی که طول موجشان بیشتر از طول موج پرتو فرو سرخ و همچنین امواجی که طول موجشان کمتر از طول موج پرتو فرا بنفش است . با این ایده ، عقیده همفری دیوی مبتنی بر اینکه نور از تمرکز گرما در یک نقطه ایجاد می شود ، اثبات می شود .
پس به این نتیجه می رسیم که مبنای نور گرما ست . حال به بحث اول خود بر می گردیم ، و ابتدا از تولید نور در فرآیند فیزیکی می پردازیم : اگر به یک لامپ نگاه کرده باشید متوجه می شوید که عامل روشنایی آن یک رشته فلزی است که می درخشد ، و یا اگر به یک آهن گداخته ای توجه کرده باشید ، می بینید که آهن بر اثر حرارت روشنایی بدست آورده است .
● عوامل انتشار نور در این فرآیند ها :
تمام مواد از ذرات بسیار ریزی ( مولکول ها و اتم ها ) تشکیل شده اند که این مواد پیوسته در حال حرکتند . در ترمو دینامیک جنبش مولکول ها را گرما می نامند ، پس مواد در خود گرما دارند ، بنابراین از مواد امواج گرمایی تولید می شود . هنگامی که این مواد انرژی دریافت می کنند ، امواج گرمایی آن ها نیز با دریافت این مقدار انرژی طول موجشان کاهش پیدا می کند ، ودر نتیجه در محدوده نور مرئی قرار می گیرند .
فلز مقاوم رسانایی است که مقاومت الکتریکی آن زیاد است .
هنگامی که آن را در مدار می گذاریم و جریان را از آن عبور می دهیم ، الکترون های حامل انرژی در مدار ، بر اثر بر خورد با اتم های فلز ، مقداری از انرژی خود را به فلز منتقل می کنند ، و از این طریق امواج گرمای فلز ، انرژی دریافت می کنند . و در نهایت ما این امواج گرمایی را به صورت نور مشاهده خواهیم کرد .
طرز و مبنای ساختار روشنایی لامپ اینگونه است . وهمچنین می توان با حرارت دادن برخی از فلزات ، به امواج گرمایی آن ها انرژی داد . (البته موادی که از این طریق برای تولید نور مورد استفاده قرار می گیرند ، باید نقطه ذوبشان بالا باشد ، تا انرژی دریافتی باعث ذوب و تغییر حالتشان نشود ) .
واکنش های شیمیایی زمانی رخ می دهند که در طی یک فرآیند ، پیوند میان دو اتم یا دو یون شکسته شود و از طریق تشکیل پیوند جدید ، یک ماده جدید ایجاد می شود .
برای شکستن پیوند مقداری انرژی مصرف و بر اثر تشکیل پیوند مقداری انرژی آزاد می شود . انرژی مبادله شده در این واکنش ها به صورت گرما ست . اگر گرما انرژی بیشتری را دریافت کند ، آنگاه به نور تبدیل می شود .
پس اساس و پایه تبادل انرژی در واکنش های شیمیایی ، انرژی گرمایی است . می دانیم که پیوندها بر اثر تبادل یا به اشتراک گذاشتن الکترون های لایه ظرفبت ایجاد می شود . الکترون
لینک دانلود و خرید پایین توضیحات
فرمت فایل word و قابل ویرایش و پرینت
تعداد صفحات: 17
مطالعه آموزشی خصوصیات انتقال گرما و ضریب اصطکاک دریک لوله مدور مجهز به نوار مارپیچی
خلاصه
– این مقاله ، داده های انتقال گرما و ضریب اصطکاک را برای جریان تک فاز دریک مبدل حرارتی دو لوله ای هم محور مجهز به دریچه نواری مارپیچی ، ارائه میدهد . درمبدل حرارتی دولوله ای هم محور ، هوای داغ از میان لوله درونی عبور می کرد درحالیکه آب سرد از میان حلقه ها ، جریان می یافت . تاثیر دریچه مارپیچی ، برمیزان انتقال گرما و ضریب اصطکاک برای جریان مخالف مطالعه شد و اعداد Nusselt و ضریب اصطکاک بدست آمده با داده های قبلی برای جریان های محوری درلوله مسطح ، مقایسه شد .جریان موردنظر درگستره اعداد دنیولدز بین 2300 و 8800 می باشد . ماکزیمم درصد بهره 165% درمیزان انتقال گرما برای کاربرد دریچه مارپیچی درمقایسه با لوله مسطح بدست می آید .
واژه های کلیدی – افزایش انتقال گرما – ابزار جریان چرخشی – دریچه نواری مارپیچی
1. مقدمه
دردهه گذشته ، تکنولوژی انتقال گرما گسترش یافته است وبه طور وسیعی برای کاربردهای مبدل حرارتی ، اعمال میشود ، برای مثال ، سردسازی ، صنعت اتومبیل ، آبگرمکن خورشیدی وغیره ، هدف انتقال گرمای فرآینده ، جادادن شاره های گرمایی بالا می باشد ( یا ضریب انتقال گرما ) . تابه حال ، کوشش زیادی برای کاهش اندازه و هزینه مبدل حرارتی و مصرف انرژی انجام شده است . مهمترین متغیر درکاهش اندازه و هزینه مبدل حرارتی که به طور کلی منجر به کاهش هزینه سرمایه و مزایای دیگر میشود ،کاهش نیروی محرکه دما است که کارآمدی قانون دوم را افزایش می دهد و تولید آنتروپی را کاهش می دهد . بدین ترتیب ، توجه بسیاری از محققان را چاپ می کند .
اقدام بزرگ درمورد استفاده از روشهای مختلف ، افزایش دادن میزان انتقال گرما از طریق همرفت نیروی موردنیاز می باشد . درضمن ، مشخص می شودکه این روش میتواند اندازه مبدل حرارتی را کاهش دهد و در انرژی صرفه جویی کند . به طور کلی ، افزایش انتقال گرما رامیتوان به دوگروه تقسیم کرد : یکی روش غیر فعال است که روشی بدون تحریک شدن توسط توان خارجی می باشد از قبیل روکش کردن سطح ، ناهموارکردن سطوح ، کشیدن سطوح ، وسایل جریان چرخشی ، لوله حلقوی ( پیچیده ) مواد افزودنی برای مایع و گازها . روش دیگر روش فعا است . این روش ، منابع اضافی توان خارجی نیاز دارد. برای مثال ، کمک های مکانیکی ، ارتعاش سیال سطح ، تزریق ومکش سیال ، اصابت جت، و میدان های الکتروستاتیک .
وسایل جریان چرخشی رامیتوان به دونوع طبقه بندی کرد :اولی جریان چرخش پیوسته ودیگری جریان چرخشی تنزلی . برای جریان چرخشی پیوسته ، حرکت چرخشی در تمام طول لوله ، ایجاد می شود . برای مثال دریچه های نواری پیچیده شده ، سیم پیچ های جاسازی شده درامتداد کل لوله و شیارهای مارپیچی که درسطح داخلی لوله درصورتی که درجریان هر چرخش تنزلی ، چرخش درمدخل ورودی لوله ایجاد می شود ودرامتداد مسیرجریان تنزل می یابد ، برای مثال ، مولد چرخشی تیغه راهنمای شعاعی و ابزار تزریق جریان مماسی . برای جریان چرخشی تنزلی ضریب انتقال گرما وافت فشار، بافاصله محوری کاهش می یابد . درحالی که برای جریان چرخشی پیوسته ، ضریب انتقال گرما و افت فشار ثابت باقی می ماند . دراین گزارش ها ، آزمایشات برای مطالعه تاثیر جریان چرخشی یا جریان دورانی بربهبود عملکرد مبدل حرارتی دولوله ایی تنظیم شد که مجهز به یک نوار مارپیچی بود که درتمام طول لوله داخی قرار داشت که به عنوان ژنراتورهای چرخشی / گرمایی یا افزایش دهنده آشفتگی برای تحریک کردن سیال فرض می شود که در شکل 1 نشان داده شده است .
2. محاسبه انتقال گرما و ضریب اصطکاک
برای جریان سیال در یک مبدل حرارتی لوله هم محور، سرعت انتقال گرمای سیال ( هوای ) گرم برای لوله داخلی را میتوان به صورت زیر بیان کرد :
درصورتی که انتقال گرمای سیال سرد( آب ) برای لوله بیرونی
درحالیکه
و
که دمای دیواره خطی است و درسطح دیواره بیرونی لوله داخلی اندازه گیری می شود. و بایستی درعمق از سطح بیرونی اندازه گیری شود . دمای میانگین دیواره از 15 نقطه که بین ورودی و خروجی لوله داخلی قرار دارند محاسبه می شود .ضریب میانگین گرما و عددمیانه Nusselt به صورت زیر برآورد می شوند :
عدد رینولدز با معادله زیرمعین می شود :
ضریب اصطکاک را میتوان به صورت زیر نوشت
لینک دانلود و خرید پایین توضیحات
فرمت فایل word و قابل ویرایش و پرینت
تعداد صفحات: 20
محاسبه انتقال گرما در سطوح نانومقیاس
دانشمندان با استفاده از یک نانونوک، با منبع گرمایی نانومقیاس، توانستهاند یک سطح موضعی را بدون تماس با آن گرم کنند؛ این کشف راهی به سوی ساخت ابزارهای گرمایی ذخیره اطلاعات و نانودماسنجها خواهد بود.
همه ساله نیاز بشر به ذخیره اطلاعات بیشتر و بیشتر میشود. درک چگونگی انتقال گرما در مقیاس نانو لازمه کاربرد این فناوری تأثیرگذار در ذخیره اطلاعات است. دانشمندان سراسر جهان سعی دارند تا فناوریهای جایگزینی برای سیستمهای ذخیره اطلاعات کنونی بیابند تا پاسخگوی نیاز روزافزون جوامع امروزی به ذخیره اطلاعات باشد؛ فناوری گرمایی ذخیره اطلاعات از جمله گزینههایی است که به آن رسیدهاند.
در این روش، با استفاده از یک لیزر، دیسک مورد نظر برای ذخیره اطلاعات را گرم کرده و به این ترتیب فرایند ثبت مغناطیسی پایدار میشود، به طوری که نوشتن دادهها روی آن آسانتر شده، پس از خنک شدن آن میتوان دادهها را مجدداً بازیابی نمود. با استفاده از این روش، مشکل بحرانی حد ابرپارامغناطیسی که دستگاههای ضبط مغناطیسی با آن مواجهاند، برطرف میشود.
در روشهای کنونی دانشمندان بیتهای اطلاعاتی را که در دمای اتاق کار میکنند، تا اندازه معینی کوچک میکنند، اما این بیتها با این کار از لحاظ مغناطیسی ناپایدار شده، از محل خود خارج میشوند، در نتیجه اطلاعات روی آنها پاک میشود.
بررسیهای اخیر دانشمندان فرانسوی درباره انتقال گرما بین نوک و سطح به پیشرفت مهمی در زمینه ذخیره گرمایی اطلاعات و دیگر کاربردها منجر شده است. آنها گرمایی را که بیشتر از طریق هوا و به شیوه رسانش، بین نوک سیلیکونی و یک سطح انتقال مییابد، محاسبه کردند.
Pierre-Olivier Chapuis از محققان این گروه میگوید: ”انتقال گرما در سطح ماکروسکوپی به خوبی شناخته شده است (وقتی برخورد مولکولها در حالت تعادل موضعی ترمودینامیکی باشد با تابع پخش فوریه بیان میشود). همچنین انتقال گرما را میتوان در یک نظام بالستیک خالص (وقتی که هیچ برخوردی بین مولکولها وجود ندارد) محاسبه نمود. اما محاسبه انتقال گرما در نظام میانی، وقتی که مولکولها با هم برخورد دارند، همچنان یک چالش به شمار میآید.“
دانشمندان در آزمایش خود از یک نوک دارای منبع گرمایی به ابعاد 20 nm که در فاصله بین صفر تا 50 نانومتری بالای سطح قرار میگیرد، استفاده کردهاند.
مولکولهای هوای بین نوک و سطح، در تماس با این نوک داغ، گرم شده و روی سطح دیسک قرار میگیرند و گاهی هم قبل از آن با دیگر مولکولها برخورد میکنند. این محققان برای اولین بار با استفاده از قانون بولتزمن درباره حرکت گازها، توانستند توزیع گرمایی در این مقیاس و نیز سطوح شارگرمایی را تعیین کنند. آنها نشان دادند که انتقال و انتشار گرما از نوک به سطح در مدت چند ده پیکوثانیه و بدون آن که تماس بین نوک و سطح برقرار شود، انجام میگیرد. آنها همچنین دریافتند که در فاصله کمتر از 10 nm این نوک داغ میتواند ضمن حفظ شکل، ناحیهای به پهنای 35 nm را گرم کند و در بیشتر از این فاصله، شکل از بین رفته و لکه گرمایی به طور قابل توجهی افزایش مییابد.
نانوتکنولوژی در صنایع نیمههادی
صنایع نیمههادی در سیر تکامل خود در حال رسیدن به نقطهای است که توانایی آن برای تولید نقاط کوچکتر با مشکلاتی جدی همچون اثرات کوانتومی و نوسانات سطوح اتمی روبرو خواهد شد.
مشکلات دیگر در راه پیشرفت CMOS عبارتند از مصرف بالا، اتلاف حرارت و هزینه بسیار بالای ساخت. این مسائل در آینده مانعی سخت برای تولید نیمههادیهای کارآمد خواهد بود. به گفته NanoMarkets ، نانوتکنولوژی به ادامه پیشرفت و تولید CMOS کمک خواهد کرد و همچنین فناوریهای جدید را قادر خواهد ساخت تا گوی سبقت را در جلب رضایت بازار از CMOS بربایند.غولهای بزرگ صنعتی همچون فریاسکیل ، آیبیاِم، اینفینئون و اینتل پشتوانة مهمی برای نانوحافظهها به حساب میآیند.
یک گزارش جدید از NanoMarkets بیانگر این مطلب است که همانطورکه روشهای کنونی لیتوگرافی به پایان راه خود رسیدهاند، ابزارهایی که برای توسعه، تولید و آزمایش CMOS به کار میروند، نیز باید بر پایة نانوتکنولوژی طرحریزی گردند. پرتوافکن مستقیم الکترونیکی که در تولید ASIC به کار میرود، نمونههای از ابزاری است که به کمک نانوتکنولوژی بوجود آمدهاست. اما نانومارکتز معتقد است که کاربرد واقعی نانوتکنولوژی در تولید محصولات جدید، با توجه به خصوصیات مواد مقیاس نانو میباشد. بخشهایی از صنعت نیمههادی که بیشترین تأثیر نانوتکنولوژی در آنها دیده میشود خارج از مقوله CMOS قرار دارند. به گفته نانومارکتز این موضوع در موارد زیر به وضوح دیده میشود.
حافظه غیرفرار: حافظه غیرفرار یکی از عوامل تقویت محاسبات سیار است. اما با توجه به اینکه حجم و سرعت فناوری Flash محدود میباشد، حافظههای جدید که در طراحی آنها از نانوتکنولوژی بهره گرفته شده است، کارایی بهتری را از خود نشان دادهاند. FRAM و MRAM نمونههایی از این نوع حافظهها هستند.
الکترونیک پلیمری: سونی، زیراکس و سایرین آمادهاند که محصولات الکترونیک لایه نازک را وارد بازار کنند. الکترونیک پلیمری، برخلاف CMOS، از خصوصیات حرارتی بسیار خوبی برخوردار است و هزینه تولید در حجم کم را پایین میآورد. این خصوصیات امکان تولید محصولات جدیدی را به وجود میآورد. در سال 2006 نمایشگرهای بزرگ رولی و همچنین برچسبهای RFID با قیمت پایین تولید خواهد شد که امکان استفاده از آنها برای اجناس یکبارمصرف فراهم خواهد شد
نانوحسگر: نانوحسگرها نسبت به رقبای خود از آستانه تشخیص بسیار پایینتری برخوردارند. آنها قادرند در زمینه کشف امراض بیولوژیک نقش مهمی را ایفا کنند. به گونهای که در مورد اعلام وجود سرطان، از سرعت بسیار زیادی برخوردارند
گزارش NanoMarkets بیانگر این مطلب است که نانوتکنولوژی بهزودی میتواند در مدیریت حرارتی و اتصالات داخلی پرسرعت، به میزان قابلتوجهی کمک نماید. در زمینه اتصالات داخلی پرسرعت میتوان از نانولولهها استفاده نمود زیرا توانایی آنها در انتقال جریان از مس خیلی بیشتر است و میتوان آنها را به روشهای قابل انطباق با CMOSها رشد داد (اینفینئون در سال 2002 این قابلیت را نشان داد). از نانولولهها میتوان خنککنندههای بسیار خوبی برای رفع مشکلات حرارتی ساخت (همانند قطعاتی که اینتل از سال 2002 به بعد به کارشان گرفت) و یا میتوان با ایجاد جرقه بین آنها جریانی از هوای خنک تولید نمود