تاثیر سود هر سهم بر بازده سهام . doc

اختصاصی از هایدی تاثیر سود هر سهم بر بازده سهام . doc دانلود با لینک مستقیم و پر سرعت .

نوع فایل: word

قابل ویرایش 130 صفحه

مقدمه:

برخی بر این باورند که ثروت جز مقدار معینی پول چیز دیگری نیست . زیرا پول وسیله بازرگانی و سوداگری است . جمعی دیگر در مخالفت با این نظر برآنند که پول چیزی بر ساخته و اعتباری است . زیرا اگر کسانی که آن را به کارمی برند از رواجش بیندازند دیگر ارزشی نخواهد داشت .

ارسطو- کتاب سیاست قرن چهارم پیش از میلاد

بازار سرمایه در ایران یک بازار ناشناخته است و در این بازار روزانه هزاران سرمایه گذار پول خود را به امید دستیابی به ثروت بیشتر سرمایه گذاری می نمایند در این میان برخی به هدف خود دست می یابند و برخی دیگر سرمایه خود را از دست می دهند.

بازده سهام یکی از فاکتورهای مهم در انتخاب بهترین سرمایه گذاری است .

افراد حقیقی و حقوقی با انگیزه های مختلف سرمایه گذاری می کنند ، اما به دست آوردن سود و افزایش ثروت در نهایت هدف مشترک تمامی سرمایه گذاریها می باشد

فهرست مطالب:

موضوع تحقیق

1) تاثیر سود هر سهم بر بازده سهام

اهمیت موضوع

دلیل انتخاب موضوع

مواد و ملزومات برای تحقیق

فصل دوم

پیشینه تحقیق

مبانی نظری

مقدمه

قیمت هرسهم به سود هر سهم و سایر معیارهای ارزشگذاری

پیشینه تحقیق

1- فرضیه ریسک گریزی تضمین کننده فروش اوراق بهادار

2-فرضیه بیمه ضمنی در مقابل مسئولیت های قانونی

3-فرضیه قدرت انحصاری

4-فرضیه شهرت ( اعتبار ) موسسات تامین سرمایه

5-فرضیه حباب سفته بازی

6- فرضیه عدم تقارن اطلاعاتی

7- فرضیه علامت دهی

8- فرضیه بازارهای « سهام جدید داغ »

9- فرضیه « گرایشات و علائق زود گذر » و فرضیه « عکس العمل بیش از

اندازه » سرمایه گذاران

10- فرضیه انتشار سهام جدید طی دوره های حجم بالای انتشار

روش تحقیق و آزمون فرضیات

فرضیات تحقیق

تعاریف عملیاتی واژه ها

روش های تجزیه و تحلیل اطلاعات و آزمون فرضیه ها

تحقیقات انجام شده در ایران

یافته های تحقیق

عملکرد بلند مدت سهام جدید بر مبنای انتشار

عملکرد بلند مدت سهام جدید بر مبنای بازده اولیه

عملکرد بلند مدت سهام جدید بر مبنای اندازه شرکت

عملکرد بلند مدت سهام جدید بر مبنای حجم معامله

عملکرد بلند مدت سهام جدید بر مبنای صنعت

بازده های غیر عادی سهام جدید

آزمون فرضیه ها و تفسیر نتایج

آزمون فرضیه اول

آزمون فرضیه دوم

آزمون فرضیه های سوم و چهارم و پنجم

رگرسیون چند متغیره

مفهوم سود

مدیریت سود

ابزار های مدیریت سود

ماهیت سود

اهداف و دلایل اندازه گیری سود

نقش اطلاعاتی سود

نقش سود در شرکت

کیفیت سود

رفتار سود در نوشته های حسابداری

عوامل موثر بر قیمت و P/E عبارتند از

اطلاعات حسابداری و قیمت سهام

ارتباط بین سود و ارزش سهم در شرایط اطمینان و بازار کامل

ارتباط بین سود و ارزش سهام در شرایط عدم اطمینان و بازار تناقص

تاثیر اظهار نظر حسابرسان بر قیمت سهام

سود سهام

ماهیت سود سهام

سود سهام می تواند به اشکال زیر توزیع شود

عادی

خاص

هر کدام از اشکال توزیع سود سهام به صورت زیر بر ساختار سرمایه

شرکت سهامی اثر می گذارد

انواع سود سهام

1- سود نقدی سهام

2- سود غیر نقدی سهام

3- سود تصفیه

4- سود تعهد شده

5- سود سهمی

تاریخهای مرتبط با سود سهام

تاریخ پیشنهاد و اعلام سود سهام

تاریخ شناسایی سهامداران مشمول سود

تاریخ موثر شناسایی سهامداران مشمول سود

تاریخ پرداخت سودسهام

محدودیتهای تقسیم سود

بازده سهام

حداکثر شدن سود به عنوان یک معیار

حداکثر شدن عایدی هر سهم به عنوان یک معیار

حداکثر شدن قیمت سهم

تفاوت مطلوبیت سهامداران

محاسبه بازده هر سهم

روشهای محاسبه بازده سهام

1-روش پیش بینی سود تقسیم شده ( سود نقدی )

2- روش نسبت درآمد به قیمت

روشهای محاسبه بازده سهامداران

3-روش بازده واقعی

فصل سوم

نتیجه گیری

نتیجه گیری و پیشنهادات

پیشنهادات حاصل از نتایج آزمون به سرمایه گذاران در ارتباط با

خرید سهام جدید

موضوعات پیشنهادی برای تحقیقات آتی

سمینار ارشد برق بررسی ساختمان، عملکرد و حفاظت کلیدهای DC و کاربرد آن در صنعت

اختصاصی از هایدی سمینار ارشد برق بررسی ساختمان، عملکرد و حفاظت کلیدهای DC و کاربرد آن در صنعت دانلود با لینک مستقیم و پر سرعت .

چکیده:

در میان انواع سیستم های حمل و نقل (دریایی، هوایی، ریلی و جاده ای) سیستم حمل و نقل ریلی به دلیل کمیت بالا و هزینه نسبت پائین و اعمال آن در شرایط خاص بسیار مورد توجه قرار گرفته است و شبکه مترو در کاهش ترافیک، بخصوص شهرهای شلوغ و پرجمعیت بسیار دارا می باشد.

یکی از مهمترین بخشهای سیستم مترو مربوط به شبکه برق رسانی می باشد و بدلیل اینکه حرکت قطارها در داخل تونل و ایستگاه های مسافری زیرزمینی می باشد تامین برق مطمئن و ایمن بسیار مهم می باشد به نحوی که طراحی سیستم برق رسانی بایستی طوری باشد که شبکه برق مترو قابلیت اطمینان بسیار بالایی داشته باشد. یکی از بخشهای مهم در شبکه برق رسانی مترو پستهای تراکشن یا یکسوساز می باشد که وظیفه تامین برق DC جهت حرکت قطارها را بر عهده دارد. این پستها عموماً دارای ورودی AC در سطح 20KV بود و خروجی آنها 750 و یا 1500 ولت DC می باشد. در پستهای تراکشن مجموعه سیستم 750 ولت DC جایگاه ویژه و تکنولوژی خاص خود را دارد. در این مجموعه کلیدهای DC با سرعت بالا بدلیل اینکه فیدرهای خروجی می باشند و جهت تغذیه ریل سوم و یا شبکه بالاسری به کار می روند وظیفه مهم و خطیری را بر عهده دارند ضمن اینکه بخاطر کاربرد خاص آنها تنها سازندگان بسیار معدودی در این زمینه فعالیت دارند لذا در این سمینار سعی شده چگونگی و نحوه عملکرد، بخشهای مختلف ساختمان کلید DC، کنترل، حفاظت و مانیتورینگ کلید معرفی و مورد بحث قرار گیرد.

فهرست مطالب:

چکیده .................................................................................................................................................... 1
مقدمه ...................................................................................................................................................... 2
فصل اول: کلیات
1) هدف............................................................................................................................................ 4 -1
2) پیشینه تحقیق ........................................................................................................................ 4 -1
3) روش کار و تحقیق .................................................................................................................. 4 -1
فصل دوم : معرفی پست های تراکشن یا یکسوساز
1) معرفی پست های تراکشن یا یکسوساز.................................................................................... 5 -2
2) بررسی تجهیزات سیستم توزیع در پست های تراکشن....................................................... 8 -2
8 ..........................................................................................................................DC 1) کلیدهای -2 -2
10 ..........................................................................................DC 2 ) کابین یا محفظه کلیدهای -2 -2
3 ) سوئیچهای جداساز و تغییردهنده ..................................................................................... 12 -2 -2
4 ) تجهیزات حفاظتی و کنترل جانبی.................................................................................... 13 -2 -2
DC فصل سوم : بررسی ساختمان و نحوه عملکرد کلیدهای
16 ...................................................................................DC 1 ) مشخصات و ویژگیهای کلیدهای -3
2 ) کاربرد............................................................................................................................................. 17 -3
3 ) مشخصات فنی ............................................................................................................................ 18 -3
18 ......................................................................................... DC 1 ) پارامترهای فنی کلیدهای -3 -3
2 ) مقدار جریان حرارتی و اضافه بار حالت گذار................................................................... 19 -3 -3
3) قطع وباز شدن کلید بصورت مستقیم در اثر اضافه جریان............................................. 20 -3 -3
فهرست مطالب
عنوان مطالب شماره صفحه
و
20 .......................................................................................................................Ve 4 ) مقدار ولتاژ -3 -3
5 ) اضافه ولتاژ در هنگام قطع شدن کلید............................................................................... 21 -3 -3
6 ) زمان عملکرد و واکنش مکانیکی کلید............................................................................... 21 -3 -3
7 ) کل زمان قطع و باز شدن کلید........................................................................................... 21 -3 -3
8 ) ظرفیت قطع کنندگی .......................................................................................................... 24 -3 -3
9 ) مشخصات قطع....................................................................................................................... 24 -3 -3
10 ) قطع کلید در جریانهای پائین ......................................................................................... 26 -3 -3
11 ) ولتاژهای تست جهت قدرت عایقی................................................................................. 26 -3 -3
12 ) پایداری مکانیکی................................................................................................................ 27 -3 -3
13 ) مدار و دستگاه وصل کننده ............................................................................................. 27 -3 -3
4 ) بخشهای اصلی ساختمان کلید ............................................................................................... 28 -3
5 ) بهره برداری و عملکرد کلید...................................................................................................... 31 -3
31 ....................................................................................... ( Closing ) 1 ) وصل کردن کلید -5 -3
34 ...................................................................................... ( Tripping ) 2 ) قطع کردن کلید -5 -3
3 ) خاموش کردن جرقه ............................................................................................................ 35 -5 -3
4 ) تجهیزات جانبی و اختیاری.................................................................................................. 36 -5 -3
6 ) کلیدهای تغییر دهنده جریان و سکیسونرها ........................................................................ 36 -3
41 ................................................................................DC 7 ) انواع کابین و یا محفظه کلیدهای -3
41 ..................................................................MB نوع DC 1-7 ) کابین و یا محفظه کلیدهای -3
45 ...............................................................KMB نوع DC 2 ) کابین و یا محفظه کلیدهای -7 -3
فهرست مطالب
عنوان مطالب شماره صفحه
ز
فصل چهارم : توابع و عملکردهای قابل برنامه ریزی
1 ) توابع و عملکردهای کنترلی ..................................................................................................... 51 -4
برای کنترل الکتریکی کلید .............................................................. 51 ON/OFF 1) فرمان -1 -4
برای کنترل مغناطیسی کلید........................................................... 51 ON/OFF 2 ) فرمان -1 -4
52 ...................................................................................... ( Inter tripping ) 3 ) اینتر تریپ -1 -4
54 ( Anti- Pumping / Automatic Reclosing ) 4) وصل مجدد بطور اتوماتیک -1 -4
55 ....................................... ( Protection line test = EDL ) 5 ) حفاظت خط تست -1 -4
6 ) حفاظت خارجی خط تست.................................................................................................. 58 -1 -4
2 ) توابع و عملکردهای حفاظتی ................................................................................................... 59 -4
1) حفاظت بر اساس اندازه گیری جریان ............................................................................... 59 -2 -4
59 ...........................................................................................................I max + 1-1 ) حفاظت -2 -4
60 ...........................................................................................................I max – 2-1 ) حفاظت -2 -4
61 ................................................................ ( Δ I and T) DDL + 3-1 ) حفاظت بوسیله -2 -4
66 ................................................................. ( Δ I and T) DDL - 4-1 ) حفاظت بوسیله -2 -4
5-1 ) حفاظت حرارتی ............................................................................................................... 67 -2 -4
68 ....................................... ( Inter Rupted Arc ) 6-1 ) قطع قوس الکتریکی یا جرقه -2 -4
2) حفاظت بر اساس اندازه گیری ولتاژ ................................................................................... 69 -2 -4
69 .................................................. ( UF 1-2 ) خط برق دار است ( مانتیورینگ ولتاژ فیدر -2 -4
70 ...............................................................................Δu 2-2 ) حفاظت -2 -4
70 ...................................................... ( U feeder Low ) 3-2 ) حفاظت مینیم ولتاژ فیدر -2 -4
فهرست مطالب
عنوان مطالب شماره صفحه
ح
3 ) حفاظت بر اساس اندازه گیری ولتاژ و جریان ................................................................. 71 -2 -4
71 .............................................................................. ( falling voltage ) 1-3 ) افت ولتاژ -2 -4
4 ) حفاظت بر اساس اندازه گیری کمکی و جانبی .............................................................. 72 -2 -4
1-4 ) جبران سازی مربوط به بار ............................................................................................. 73 -2 -4
73 ............................................................ ( DDI ) 2-4 ) شناسایی فالت و عیب عایقی فیدر -2 -4
فصل پنجم : سیستم های نظارتی و کنترلی برای پست های تراکشن
1 ) مقدمه ای بر سیستم های نظارتی و کنترلی برای پست های تراکشن........................... 75 -5
79 ......... ( Remote control and protection system = sepcos) 2 ) معرفی رله -5
79 ............................................................................................................. Sepcos 1 ) شرح کلی -2 -5
80 ..................................................................................................................Sepcos 2 ) عملکرد -2 -5
3 ) عملکردهای ثبت کننده ...................................................................................................... 80 -2 -5
4 ) امکانات ارتباطی و مخابراتی................................................................................................ 82 -2 -5
5 ) توصیف سخت افزاری و مشخصات فنی ........................................................................... 83 -2 -5
1-5 ) توصیف سخت افزاری ..................................................................................................... 83 -2 -5
85 ............................................................................. Sepcos 2-5 ) مشخصات فنی ساختمان -2 -5
6 ) معرفی نرم افزار..................................................................................................................... 97 -2 -5
1-6 ) نحوه عملکرد و کاربرد نرم افزار...................................................................................... 98 -2 -5
104 .................................................................... ( MIU ) 3 ) دستگاه اندازه گیری ولتاژ و جریان -5
105 ........................................................................................................................ MIU 1 ) معرفی -3 -5
فهرست مطالب
عنوان مطالب شماره صفحه
ط
106 .................................................................................................MIU 2 ) مشخصات الکتریکی -3 -5
فصل ششم : نتیجه گیری و پیشنهادات
نتیجه گیری و پیشنهادات..................................................................................................................... 110
ضمیمه ا لف : واژه نامه انگلیسی به فارسی ...................................................................................... 111
ضمیمه ب : چکیده مقاله....................................................................................................................... 114
منابع و ماخذ
فهرست منابع لاتین................................................................................................................................ 115
چکیده انگلیسی........................................................................................................................................ 116

سمینار ارشد برق رادارهای فرکانس بالا High Frequency Radar

اختصاصی از هایدی سمینار ارشد برق رادارهای فرکانس بالا High Frequency Radar دانلود با لینک مستقیم و پر سرعت .

چکیده

در این تحقیق به بیان کلیات و کاربردهای دسته خاصی از رادارها به نام رادارهای فرکانس بالا پرداخته می شود. ویژگی خاص امواج HF در انعکاس بر اثر برخورد با لایه های یونیسفر اطراف زمین باعث افزایش برد رادار می گردد. از طرفی با توجه به محدوده طول موج این امواج امکان بررسی امواج و جریان های سطح اقیانوس امکانپذیر است. این ویژگی ها زمینه کاربردهای منحصر به فردی برای این نوع رادارها ایجاد نموده است. به این منظور ابتدا مشخصات رادارهای فرکانس بالا تشریح می گردد، سپس نحوه عملکرد رادارهای فرکانس بالا و ویژگی های آنها مورد بررسی قرار می گیرد. در ادامه چند کاربرد رادارهای فرکانس بالا از قبیل WERA و CODAR و PISCES HF SuperDARN که در مراکز تحقیقاتی و دانشگاهی مختلف مورد استفاده قرار گرفته اند بیان می گردد. در هر مورد سعی شده تا مشخصات فنی هریک از رادارها به صورت کلی شرح داده شود. در برخی موارد موقعیت جغرافیایی و محل نصب آنتن های رادار مورد نظر و نحوه آرایش آنتن ها به صورت مصور مشخص شده است. از آنجا که یکی از کاربردهای مهم رادارهای فرکانس بالا بررسی وضعیت دریا می باشد در ادامه روش اندازه گیری ارتفاع و جهت امواج اقیانوس با رادارهای فرکانس بالا بررسی می شود. در نهایت، به بیان مقاله ای در زمینه تشخیص سونامی با استفاده از رادارهای فرکانس بالا پرداخته می شود. صحت روابط به دست آمده در مقاله مذکور با بررسی شکل ها و نمودارهای به دست آمده از سیستم سی سوند دانشگاه روتگر که در توکرتون نیوجرسی قرار دارد مورد تایید قرار می گیرد.

فرمت PDF

تعداد صفحات 96

پایان نامه ارشد برق تاثیر توزیع ناخالصی های بستر بر عملکرد تزانزیستور MOSFET با آلایش هاله گون

اختصاصی از هایدی پایان نامه ارشد برق تاثیر توزیع ناخالصی های بستر بر عملکرد تزانزیستور MOSFET با آلایش هاله گون دانلود با لینک مستقیم و پر سرعت .

چکیده

با تغییر مقیاس ترانزیستورها برای بهبود عملکرد و کاهش هزینه ساخت، آتار کانال کوتاه مانند پیچش ولتاژ آستانه و اثر DIBL که قبلا در ترا نزیستورهای کانال طویل به چشم نمی آمدند ایجاد می شوند که موجب اختلال در عملکرد ترانزیستورها می شوند. یکی از روشها برای از بین بردن آثار کانال کوتاه ایجاد آلایش هاله کون و تغییر ناخالصی بستر می باشد. ترانزیستوری با طول کانال موثر 90 نانومتر شبیه سازی شده و منحنی های Id-Vd و Id-Vg را رسم کرده و با ایجاد آلایش هاله گون و تغییر ناخالصی بستر اثر کانال کوتاه را بهبود می دهیم.

دراین گزارش، در فصل اول به بررسی آثار کانال کوتاه در ترانزیستورهای تغییر مقیاس یافته و بررسی آلایش بستر می پردازیم. در فصل دوم مهندسی کانال را که شامل ایجاد آلایش SSR و همچنین ایجاد آلایش هاله گون می باشد، برای کاهش اثرات کانال کوتاه مورد بررسی قرار می دهیم. در فصل سوم تاثیر ایجاد آلایش هاله گون تحت انرژی و زوایای مختلف رابر حاملهای داغ بررسی می کنیم. در این فصل نشان میدهیم که ایجاد آلایش هاله گون با زاویه ای بزرگتر یا انرژی بیشتر باعث بهبود پیچش ولتاژ آستانه میشود ولی در عین حال این آلایش باعث ایجاد میدان الکتریکی بزرگتری در نواحی امتداد یافته سورس و درین میشود. بنابراین اثر حاملهای داغ در این نواحی بیشتر میشود و نشان میدهیم که ترانزیستورهای دارای آلایش هاله گون ایجاد شده با انرژی پایین تر و زاویه بزرگتر نسبت به ترانزیستورهای دارای آلایش هاله گون ایجاد شده با انرژی بالاتر و زاویه کوچکتر دارای اثر حاملهای داغ کمتری خواهند بود . در این فصل نشان می دهیم که Ib به تنهایی معیار مناسبی برای نشان دادن اثر حاملهای داغ در فناوری MOS نیست. همچنین تاثیر تغییر در میزان کاشت ناخالصی در آلایش هاله گون و LDD را بر حاملهای داغ بررسی میکنیم.

در فصل چهارم به شبیه سازی ترانزیستور با آلایش هاله گون توسط نرم افزار GENESISe می پردازیم. در این شبیه سازی ترانزیستور را از تلفیق دو نرم افزار dessis و dios که جز ئی از نرم افزار GENESISe هستند ایجاد می کنیم. و نتایج شبیه سازی را در ترانزیستورهای تغییر مقیاس یافته با آلایش هاله گون و بدون آلایش هاله گون مقایسه میکنیم . می بینیم که با ایجاد آلایش هاله گون اثر DIBL و پیچش ولتاژ آستانه و همچنین IOFF بهبود می یابد. در فصل پنجم به نتیجه گیری و پیشنهاد برای ادامه پروژه می پردازیم.

مقدمه

صنعت ساخت قطعات الکترونیک پیشرفتهای قابل توجهی از نظر سرعت و قابلیت عملکرد و هزینه داشته است این نتایج ناشی از کوچک نمودن ابعاد ترانزیستور بوده است. ولی در عین حال مشکلات زیادی در کاهش مستمر ابعاد ترانزیستور بوجود می آید. برخی از این آثار عبارتند از اثرات کانال کوتاه DIBL، پیچش ولتاژ آستانه. این آثار موجب اختلال در عملکرد ترانزیستور می شوند. بنابراین فهم محدودیتهای تغییر مقیاس و راههای کاهش اثرات کانال کوتاه برای ما اهمیت دارد.

فصل اول

بررسی تاثیر تغییر مقیاس بر عملکرد ترانزیستور و نحوه آلایش در بخش های مختلف ترانزیستورهای تغییر مقیاس یافته

1-1- تغییر مقیاس ترانزیستور و قانون مور

طی سه دهه گذشته، صنعت الکترونیک پیشرفتهای جالب توجهی داشته است. حداکثر سرعت پالس ساعت پردازش مرکزی (cpu) از 100 کیلوهرتز در سال 1971 به بیش از 1/4 گیگاهرتز در سال 2000 افزایش یافته است. یعنی مقدار آن 10 برابر شده است. طی همین مدت، هزینه کامپیوترها با افزایش تعداد کامپیوترهای شخصی کاهش یافته است. بهبودهای قابل ملاحظه ای در نسبت قیمت/ عملکرد داشته ایم که در تاریخ تولید بشر بی سابقه بوده است. این نتایج ناشی از موفقیت در صنعت نیمه هادیها در کوچک کردن ابعاد ترانزیستور بوده است.

طول گیت ترانزیستور از 10 میکرومتر در سال 1971 به 0/8 میکرومتر در سال 2000 کاهش یافته است. این امر موجب افزایش سرعت پالس ساعت (با کاهش مسیر سیگنال) و همخوانی با قانون مور (که میگوید تعداد ترانزیستورها در یک مدار یکپارچه هر 18 ماه دوبرابر میشود) شده است. این امر نه تنها موجب بهبود عملکرد تراشه میشود بلکه موجب کاهش میزان ساخت سیلیکون مصرفی و کاهش هزینه تولید میگردد که آنهم به نوبه خود از تغییر مقیاس MOS ناشی می شود.

در عین حال، چالش های زیادی برای کاهش مستمر ابعاد ترانزیستور وجود دارد. مثلا افزایش میدان الکتریکی و شکست سوراخی و اثر DIBL و غیره از جمله مشکلاتی است که با تغییر مقیاس ایجاد میشود. این بدان معنا است که فقط تغییر مقیاس ترانزیستور برای بهبود عملکرد ترانزیستور کافی نیست. فهم محدودیت های تغییر مقیاس و نحوة ارتباط آنها به پارامترهای مختلف ترانزیستور در طراحی ترانزیستورهای نسلهای بعدی اهمیت دارد.

2-1- روش تحقیق

انجام آزمایشهای فیزیکی در مورد آلایش مستلزم بررسی آلایش چندبعدی و لذا کار دشواری است، همچنین اندازه گیری دقیق پارامترهای ترانزیستورهای ساخته شده، و تعیین میزان دقیق تاثیر آلایش بستر بر عملکرد کاری دشوار و مستلزم ساخت ترانزیستور به صورت آزمایشگاهی است. شکل 1-1 شمائی از روش بکار رفته در تحقیقات را نشان می دهد.

به جای آزمایش فیزیکی، شبیه سازیهای TCAD مورد استفاده قرار می گیرد. برای تعداد زیادی از طراحی ترانزیستورهای شبیه سازی شده، مولفه های مقاومتی، فیزیکی، ولتاژ آستانه و خصوصیات Ion-Ioff برای هر ترانزیستور استخراج شده و مقایسه می شود و از آنجا حدود تغییر مقیاس با توجه به آلایش بستر تعیین می شود.

چند نکته در اینجا قابل ذکر است. نخست آنکه استفاده از شبیه سازی های TCAD مزایای بسیاری دارد. به گونه ای که پیش بینی نسبتا دقیقی از آلایش بستر و پروفیل آلایش ترانزیستورهای شبیه سازی شده را قبل از آنکه ساخته شود ممکن می سازد. بعلاوه امکان آنرا بوجود می آورد که عملکرد بسیاری از ترانزیستورها را با هم مقایسه کنیم. تطبیق نتایج حاصله با نتایج تجربی باعث صرفه جویی زیادی در هزینه و زمان طراحی می شود. بعلاوه این روش شبیه سازی امکان بررسی کمیت های داخلی ترانزیستور را که امکان آزمایش آنها عملا وجود ندارد فراهم می آورد.

همچنین میدانیم یکی از جنبه مهم در طراحی هر ترانزیستور معیارهای مورد استفاده برای مقایسه ترانزیستورهای مختلف است. چند معیار متداول مثل ولتاژ آستانه و منحنی های Ion-Ioff باهم مقایسه می شوند.

همچنین تاثیر مدلهای قابلیت حرکت مورد بررسی قرار می گیرند. در این فصل با فرض آنکه آلایش کانال ترانزیستورها یکنواخت است و نیز اینکه آلایش سورس / درین را میتوان به صورت ساده با تابع نمائی در جهات افقی و عمودی تعریف کرد، کار را شروع می کنیم. این مفروضات را مجدداً در بخشهای بعدی مورد مطالعه قرار می دهیم. این روش به ما کمک می کند که تاثیر جنبه های مختلف طراحی ترانزیستور بر رفتار آنرا حذف کنیم و به فهم درستی ازمطالعه تاثیر آلایش بستر برسیم.

تعداد صفحه : 125

فهرست مطالب:

چکیده .............................................................................................................................................. 1
مقدمه ............................................................................................................................................... 2
فصل اول: بررسی تاثیر تغییر مقیاس بر عملکرد ترانزیستور ونحوه آلایش در قسمتهای مختلف
ترانزیستورهای تغییر مقیاس یافته
1-1 تغییر مقیاس ترانزیستور وقانون مور ...................................................................................... 4
2-1 روش تحقیق ...................................................................................................................... 5
3-1 زمینه و سازماندهی ............................................................................................................. 6
4-1 مسائل مهم درطراحی ترانزیستورهای تغییرمقیاس یافته ....................................................... 7
5-1 پارامترهای موردنیاز در طراحی ترانزیستورها و تغییر مقیاس آنها ....... ................................ 7
1 پارامترهای کلیدی در طراحی ترانزیستورها ................................................................... 8 -5-1
2 تعریف ولتاژ آستانه ........................................................................................................ 9 -5-1
10 .................................................... MOS 3 تئوری مرتبه اول تغییر مقیاس در ترانزیستور -5-1
6-1 اثرات مرتبه دوم در ابعاد زیر میکرون عمیق ................................................................... 11
1 اثرات کانال کوتاه .......................................................................................................... 12 -6-1
1-1 تغییر پیچش ولتاژ آستانه به لحاظ اثرات کانال کوتاه ............................................... 13 -6-1
14 ...................................................... (DIBL) 2-1 کاهش سدپتاسیل القا شده توسط درین -6-1
2 اثرات کانال کوتاه معکوس ............................................................................................ 16 -6-1
3 مقاومت سورس / درین ................................................................................................ 18 -6-1
4 اثرات مکانیک کوانتومی ............................................................................................... 19 -6-1
7-1 طراحی ترانزیستور در رژیم زیرمیکرون عمیق ............................................................. ..... 24
1 مهندسی کانال ................................................................................................................ 24 -7-1
24 ............................................................................................ Super Retrograde 1-1 آلایش -7-1
٦
2-1 آلایش هاله گون ...................................................................................................... 25 -7-1
2 مهندسی سورس / درین ................................................................................................ 27 -7-1
29 .......................... ( TCAD) 8-1 طراحی فناوری ساخت قطعات نیمه هادی به کمک کامپیوتر
1-8-1 فرآیند صنعتی طراحی ترانزیستورها .............................................................................. 30
31 ......................................................... ( TCAD) 2-8 طراحی ترانزیستور به کمک کامپیوتر -1
33 ................................................................. ( TCAD) 9-1 مشکلات طراحی به کمک کامپیوتر
1 اندازه گیری ................................................................................................................... 34 -9-1
2 مدلهای فیزیکی ............................................................................................................ 35 -9-1
1-2 مدلهای فرایند .......................................................................................................... 34 -9-1
2-2 مدلهای قابلیت حرکت .............................................................................................. 35 -9-1
3-2 اثرات مکانیک کوانتومی............................................................................................. 37 -9-1
10-1 خلاصه .......................................................................................................................... 37
فصل دوم : بررسی مهندسی کانال و آلایش هاله گون در ترانزیستور های تغییر مقیاس یافته
41 ..................................................................................... Retrograde 1-2 مهندسی کانال با آلایش
و آلایش یکنواخت در بستر .............................................................. 42 SSRW 2-2 مقایسه آلایش
50 ................................................................................................... SSRW 3-2 عملکرد ساختاری
4-2 آلایش هاله گون ............................................................................................................... 51
5-2 ساختار و عملکرد آلایش هاله گون .................................................................................. 55
فصل سوم : بهینه سازی آلایش هاله گون در سورس و درین
0میکرون............ 59 / های کوچکتر از 25 MOS 1-3 تاثیرآلایش هاله گون بر روی حاملهای داغ در
1 حاملهای داغ ................................................................................................................ 60 -1-3
2 تاثیر تغییر زاویه کاشت آلایش هاله گونه بر روی پدیده حاملهای داغ .......................... 60 -1-3
3 تاثیر تغییر انرژی کاشت آلایش هاله گونه بر روی پدیده حاملهای داغ ......................... 67 -1-3
4 تاثیر تغییر زاویه و انرژی کاشت آلایش هاله گونه بر روی پدیده حاملهای داغ............. 71 -1-3
2-3 بررسی تاثیر حاملهای داغ بر عملکرد ترانزیستورهای دارای آلایش هاله گون با تغییر
و آلایش هاله گون ............................................................. 74 LDD سسس میزان ناخالصی در آلایش
بر عملکرد یک ترانزیستور .......................................................... 75 halo و ldd 1 بررسی اثر -2-3
٧
بر عملکرد یک ترانزیستور.................................................... 86 halo و ldd 2 بررسی کلی اثر -2-3
3-3 نتیجه گیری .......................................................................................................................... 90
فصل چهارم : بررسی شبیه سازی و نتایج حاصل از آن
با طول موثر کانال 100 میکرومتر و 90 نانومتر................. 93 nmos 1 شبیه سازی دو ترانزیستور -4
93 ...................................................................................... ID-VG و ID-VD 2 مقایسه منحنیهای -4
فصل پنجم : نتیجه گیری و پیشنهاد برای ادامه پروژه
نتیجه گیری................................................................................................................................. 104
پیشنهادات.................................................................................................................................... 105
خذ Ĥ منابع و م
فهرست منابع غیر فارسی ............................................................................................................. 106
چکیده انگلیسی

تأثیر رشد سود جهت ایجاد فرصتهای سرمایه گذاری . doc

اختصاصی از هایدی تأثیر رشد سود جهت ایجاد فرصتهای سرمایه گذاری . doc دانلود با لینک مستقیم و پر سرعت .

نوع فایل: word

قابل ویرایش 135 صفحه

مقدمه:

همة مردم به نوعی دارای ثروتی هستند ،که ناشی از ارائه خدمات آنان در بازار کار است، و در بیشتر مواقع تصمیم‌گیریهایی را در خصوص سرمایه‌گذاری خود انجام می‌دهند. و به دنبال حداکثر کردن بازده پس انداز خود از طریق سرمایه‌گذاری می‌باشند. لذا هر گونه اطلاعاتی که با استفاده از آن بتوان میزان رشد شرکت را پیش بینی نمود مورد توجه سهامداران قرار می‌گیرد. سرمایه‌گذاران نیز به دنبال حداکثر کردن ثروت خود هستند1. فرصتهای رشد نیروی محرکی است که ایجاد انگیزه می‌کند و پاداشی برای سرمایه‌گذاران محسوب می‌شود. در این میان سرمایه‌گذاران همیشه باید در تصمیمات سرمایه‌گذاری خود ریسک را در نظر داشته باشند زیرا آنچه باعث موفقیت می‌گردد استفاده بهینه از فرصتهای سرمایه‌گذاری موجود است که جهت این امر می‌بایست سیاستهای مالی موثر بر ایجاد فرصتهای رشد را در واحدهای تجاری شناسائی کرد.امروزه سیستمهای اطلاعاتی حسابداری در کمترین زمان اطلاعات لازم را در دسترس استفاده‌کنندگان قرار می‌دهد تا در تصمیم‌گیریها مورد استفاده قرار گیرد.

ارتقای آگاهیهای حرفه ای از دستاوردهای جدید در زمینه سرمایه‌گذاری همراه با توسعه تکنولوژی ارتباطات باعث شده است که تأمین کنندگان سرمایه وجوه خود را در شرکتهایی سرمایه‌گذاری کنند که امکان کسب سود بیشتری است؛ از این رو جریان وجوه (سرمایه )به صورتهای مختلف تحرکی بیش از پیش یافته و در سالهای اخیر انجام سرمایه‌گذاریها بشدت رشد یافته است و بیشترین تغییرات حسابداری نیز درهمین سالها ایجاد شده است. ساده انگاشتن این تغییرات به منزلة عقب ماندگی وعدم موفقیت در صحنه رقابت امروز می‌باشد و بیش از حد گمراه کننده و تضعیف کننده است. آنچه باعث موفقیت می‌گردد، استفاده بهینه از فرصتهای سرمایه‌گذاری موجود است. که جهت این امر می‌بایست عوامل موثر بررشد سود شرکتها را شناسایی کرد.

میزان رشد سود یک شرکت از مهمترین معیارهای ارزیابی شرکتها توسط استفاده‌کنندگان از صورتهای مالی جهت سرمایه‌گذاری می‌باشد. سودهای گزارش شده شرکت، مربوط به گذشته می‌باشند ولی با مطالعه آنها می‌توان نحوه فعالیتهای شرکت و میزان موفقیت آن را در آینده ارزیابی نمود. سرمایه‌گذاران می‌توانند با مطالعه اطلاعات گذشته حدس بزنند که در آینده وضعیت شرکت چگونه خواهد بود.

البته این تنها یک حدس و پیش بینی است و شاید وضعیت در آینده متفاوت با آنچه را که حدس زده اند باشد. بهرحال وجود اطلاعات مربوط درباره آینده بسیار با اهمیت است و این اطلاعات مربوط را بیشتر و بهتر از همه مدیریت می‌تواند در اختیار استفاده‌کنندگان و سرمایه‌گذاران قرار دهد.

استفاده به موقع ومنطقی از فرصتهای سرمایه‌گذاری واحدهای تجاری تأثیر بسزایی درایجاد رشد سود شرکت دارد. این پژوهش بطور عمده برنقشی که فرصتهای سرمایه‌گذاری بر رشد سود ایفا می‌کند تأکید دارد.

فهرست مطالب:

فصل اول کلیات

مقدمه

تبیین موضوع

اهمیت موضوع

هدف تحقیق

استفاده‌کنندگان از تحقیق

فرضیه های تحقیق

قلمرو تحقیق

روش تحقیق

ویژگیهای نمونة تحقیق

تعریف عملیاتی متغیرها

واژه های کلیدی

تشریح فصول آتی

فصل دوم پیشینه تحقیق

مقدمه

بخش اول - مبانی نظری

ماهیت سرمایه‌گذاری

چرا سرمایه‌گذاری می‌کنیم ؟

فرصت های سرمایه‌گذاری (IOS )2))

ماهیت فرصتهای سرمایه‌گذاری

نگاهی گذرا بر فرصتهای سرمایه‌گذاری

شناسایی فرصتهای سرمایه‌گذاری

اندازه‌گیری فرصتهای سرمایه‌گذاری

عوامل خارجی تأثیر گذار بر فرصتهای سرمایه‌گذاری

الف - عدم اطمینان

ب- عرصه سرمایه‌گذاری جهانی

راهبرد تشکیل پرتفوی سرمایه‌گذاری

ارتباط فرصتهای سرمایه‌گذاری با اثر اهرمی

فرصتهای سرمایه‌گذاری و تأثیر آن بر هزینه و سود

فرآیند اجرایی و استفاده از فرصتهای سرمایه‌گذاری

فرآیند ایجاد فرصتهای سرمایه‌گذاری (IOS)

ارزیابی جریانات نقدی و فرصتهای سرمایه‌گذاری

ارزیابی فرصتهای سرمایه‌گذاری

الف) روشهای تنزیلی

روش ارزش فعلی خالص

ب) روشهای غیر تنزیلی

ج) روشهای ترکیبی نظیر دوره برگشت سرمایه تعدیل شده

تصویب اجرای فرصتهای سرمایه‌گذاری پذیرفته شده‌

نظارت و کنترل فرصتهای سرمایه‌گذاری

سود

علت اهمیت سود برای تصمیم‌گیری سرمایه‌گذاران

اهمیت سود برای سرمایه‌گذاران

1- تأثیر سود در تصمیم‌گیری سرمایه‌گذاران

2-علت اهمیت سود برای تصمیم‌گیری سرمایه‌گذاران

نقش سود در شرکت

نگرش کارگزاران نسبت به سود

فواید سود برای سرمایه‌گذاران

مفهوم سود در گزارشگری مالی

مفاهیم سود در سطوح مختلف تئوری

مفاهیم سود در سطح تئوری ساختاری

الف ) روش معاملات1

ب ) روش فعالیت ها1

مفاهیم سود در سطح تئوری تفسیری

مفاهیم سود در سطح تئوری انعکاسی

الف ) سود به عنوان معیاری جهت پیش بینی ارزش بازار و یا وجود نقد آتی

ب ) سود به عنوان معیاری جهت تصمیم‌گیری مدیریت

اهداف گزارشگری سود

مزایای سود حسابداری

انتقادات و ایرادات وارد بر سود حسابداری

بخش دوم – پیشینه تحقیق

تحقیقات انجام شده در داخل کشور

فرضیه‌های فرعی

فرضیه اصلی

فرضیه فرعی اول فرصت رشد با سطح بدهی رابطه دارد.

2-2) تحقیقات انجام شده در خارج از کشور

فصل سوم روش تحقیق

مقدمه

2-3)معرفی فرضیه‌های تحقیق

3-3)تعریف عملیاتی متغیرها

1-3-3)فرصتهای سرمایه‌گذاری

2-3-3)رشد سود

4-3)جامعه آماری و اتخاب نمونه

5-3)فرآیند استخراج اطلاعات

6-3)روشهای آماری

2-6-3)مدل رگرسیون

3-6-3)تحلیل رگرسیون استنباط آماری

4-6-3)همبستگی

5-6-3)آزمون معنی‌دار بودن r

7-3)خلاصه فصل

فصل چهارم نتایج آماری

مقدمه

آمار توصیفی

آمار استنباطی

اندازه گیری فرصتهای سرمایه‌گذاری (IOS)

جدول همبستگی پیرسن

آزمون فرضیات

خلاصه فصل

فصل پنجم خلاصه ، نتیجه گیری و پیشنهادات

مقدمه

خلاصه تحقیق

خلاصةنتایج تحقیق

استنتاج نتایج

محدودیتهای تحقیق

پیشنهادات

پیشنهاداتی در ارتباط با موضوع تحقیق

پیشنهادات در ارتباط با تحقیقات آتی

منابع

 منابع:

منابع فارسی :

1)         تهرانی ،دکتر رضا. نوربخش ـ عسگر« مدیریت سرمایه‌گذاری»، انتشارات : نگاه دانش، ‌سال 1382.

2)         رضوانی راز، کریم ،« بررسی رابطه بین جریان های نقدی آزاد و میزان بدهی شرکتهای پذیرفته شده در بورس تهران» پایان نامه دوره کارشناسی ارشد، به راهنمایی :دکتر حمید حقیقت، 1383.

3)         هدایتیان، مهدی « سود حسابداری وتأثیر آن بر قیمت سهام شرکتهای پذیرفته شده در بورس اوراق بهادار تهران» پایان نامةدورةکارشناسی ارشد به راهنمایی :احسانی، 1374.

4)         حجازی، رضوان « بررسی اثر سود بر قیمت وحجم سهام در بورس اوراق بهادار تهران » پایان نامة دورةکارشناسی ارشد به راهنمایی: علی جهانخانی، 1375.

5)         زمانپور، علیرضا« بررسی رابطه بین فرصتهای سرمایه‌گذاری و سیاستهای مالی در شرکتهای پذیرفته شده در بورس تهران « پایان نامةدوره کارشناسی ارشد، به راهمایی دکتر قائمی، 1383.

6)         شاهمرادی، مسعود« ارتباط بین سودهای حسابداری وبازده سهام » پایان نامه دورة‌کارشناسی ارشد به راهنمایی محمد رضا نیکبخت، 1380.

7)         مهرانی، کاوه« چهارچوبی برای تجزیه وتحلیل سیاستهای تقسیم سود، مچلة حسابدار، سال شانزدهم، شمارة 144، صفحة 7.

8)         آذر، عادل،. مومنی، منصور « آمار وکاربرد آن در مدیریت » جلد دوم، سال 1377.

9)         بزرگ نیا، ابوالقاسم ،‌« ارقامی ،‌آمار، چند متغیره کاربردی » سال 1370.

10)        نورش، ایرج. شیروانی، رضا، « فرهنگ حسابدری » ،‌انتشارات ایمان ،سال 1377.

11)        پارسائیان، دکتر علی « سیاست تقسیم سود ،‌رشد وتعیین ارزش شرکت » تحقیقات مالی شماره 3، تابستان 1373.

منابع لاتین :

1-         Sawn D. Howton-Shelly Howton-StevenB. Perfect “The market Reaction to straight Debt issues: the effects of free cashFlow” journal of Finance research vol xx1, No 2 summer 1998 P219.

2-         Ferdinand A.gul-Burch T. Kealey “nivestment opportunity set and corporate Debt and dividend policies of koreancompanies” review of Quantitative finance and Accounting, 10-1999 P 401.

3-         Ferdinand A Gul-Judy S.L.Tsui “A test of the free cash flow and debt monitoring hypotheses: Evidence from audit princing” Journal of Accounting and Economics 4-1998 P 219.

4-         Vidhan K. Goyal- Kenneth Lehn-stanko Racic “grow opportunity and corporate Debt policy: the case of the U.S.Defense industry” Hong kong university of science and technology,may 2001.

5-         Sanjay Kallapur-Mark A. tromBley “The assocation between investment opportunityset proxies and realized growth” Journal ofbusiness Finance and Accounting 26(3),(4) April/may 1999.

6-         Bikki Jaggi-Ferdinand A Gul “Ananalysis of joint effects of investment opportunity set , Free cash flow and size on corporate Debt policy” reviewe of Quantitative Finance and Accounting 12(1999):P371.

7-         Time Adam-vidhan K.Goyal “The investment opportunityset and its proxy variables : theory and Evidence” Hong Kong university of scince and technology-April 2000.