فایل آماده اسکچاپ اتاق ناهار خوری

اختصاصی از هایدی فایل آماده اسکچاپ اتاق ناهار خوری دانلود با لینک مستقیم و پر سرعت .

فایل آماده سه بعدی اتاق ناهار خوری با فرمت اسکچاپ  

پایان نامه ارشد برق بررسی اثر برقگیرهای اکسید فلز در محدود سازی رفتار فررورزونانسی آشوبگونه ترانسفورماتورهای ولتاژ

اختصاصی از هایدی پایان نامه ارشد برق بررسی اثر برقگیرهای اکسید فلز در محدود سازی رفتار فررورزونانسی آشوبگونه ترانسفورماتورهای ولتاژ دانلود با لینک مستقیم و پر سرعت .

بررسی اثر برقگیرهای اکسید فلز در محدود سازی رفتار فررورزونانسی آشوبگونه ترانسفورماتورهای ولتاژ با در نظر گرفتن مدل تلفات هسته غیر خطی

چکیده:

تشدید در سیستم قدرت از پدیده هایی به شمار می رود که باعث ایجاد اضافه ولتاژها و جریان های هارمونیکی با دامنه بالا در سیستم قدرت می گردد حضور منابع تولید هارمونیک در سیستم قدرت و تولید هارمونیک در سیستم موجبات ایجاد تشدید را در شبکه های توزیع و انتقال فراهم می آورد یکی از شرایط ایجاد هارمونیک در شبکه قدرت رفتار آشوبگونه در تجهیزات می باشد که باعث ایجاد یک طیف پیوسته از هارمونیک ها در شبکه می گردد حضور ترم های زوج و فرد هارمونیکی در رفتار آشوبگونه تجهیزات شرایط را برای ایجاد تشدید بهتر فراهم می آورد. لذا در این تحقیق در فصل اول بیان تئوری آشوب در سیستم های غیرخطی می باشد در این فصل در ابتدا به تعریف آشوب و دینامیک های غیرخطی پرداخته شده و در ادامه به بیان منطق های مختلفی که حاکم بر رفتار آشوبی سیستم های غیرخطی می باشند و همچنین معیارهای شناخت این گونه رفتارها در سیستم غیرخطی پرداخته شده است و در پایان این فصل نمونه هایی از سیستم های دینامیکی غیرخطی پیوسته و گسسته برای نشان دادن این رفتارها شبیه سازی گردیده است. در فصل دوم به بیان رفتار آشوبگونه در مبدل های الکترونیک قدرت پرداخته شده است که در ابتدا روش های مدلسازی این مبدل ها برای تحلیل رفتار آنها بیان گردیده شده و در ادامه ایجاد رفتار آشوبی در چند نمونه از مبدل های DC-DC و DC-AC و ایجاد رزونانس ناشی از مودها آشوبگونه این مبدل ها در یک سیستم نمونه مورد ارزیابی قرار گرفته است. در فصل سوم نمونه هایی از رفتارهای آشوبگونه در سیستم های نمونه قدرت مورد بررسی قرار داده شده و برای نمونه چند مورد شبیه سازی شد این فصل با شبیه سازی های رفتارهای آشوبی در مدارات فرورزونانسی آغاز می گردد و در ادامه معادلات دینامیکی ماشین های سنکرون در اتصال با یکدیگر و معادلات دینامیکی سیستم کنترل ولتاژ ماشین سنکرون وصل به باس بی نهایت و یک نمونه از سیستم هایی که در آنها پدیده فروپاشی ولتاژ اتفاق می افتد مورد تحلیل و بررسی قرار گرفته شده اند و رفتار آشوبگونه این سیستم ها شبیه سازی گردیده است و در فصل چهارم بروز فرورزنانس در ترانسفورماتور به عنوان یکی از المان های قدرت و نحوه به وجود آمدن آشوب در این المان مورد بررسی قرار گرفتیم و المان های ترانس را به صورت های مختلف اعم از هسته خطی و غیرخطی شبیه سازی نمودیم و در فصل پنجم اثر برقگیر اکسید فلز را با در نظر گرفتن تلف هسته خطی و تلف هسته غیرخطی مورد بررسی قرار گرفته و شبیه سازی شد. و در پایان نمودارهای به دست آمده نشان داده شد و مقایسه آن دیده می شود در پایان این فصل رویه های کنترل رفتار آشوبی در این مبدل ها بیان شده و یکی از این روش ها برای مبدل های شبیه سازی شده به کار رفته است و نشان داده شده که به خوبی رفتار آشوبی و در نتیجه ایجاد هارمونیک ها در بردارنده مودها رزونانسی آشوبگونه را از بین می برد.

فصل اول

مقدمه ای بر تئوری آشوب

1-1) مقدمه

آشوب (با تلفظ انگلیسی کیاس با کاف مکسور) در لغت به معنی هرج و مرج، درهم ریختگی، شلوغی، آشفتگی و بی نظمی آمده است. در مباحث فلسفی نیز به وضعیتی که در آن تصادف حکم فرماست، اطلاق می شود. در تئوری آشوب به وجود نظم در بی نظمی اطلاق می شود و عمدتا از شناخت رموز و قوانین موجود در طبیعت و خلقت نشات گرفته است. این الگوها در طول تاریخ و زمان دچار بی نظمی گردیده اند که در ذرات خود الگوی خاصی را دنبال می کنند. حضور قاعده های مستتر در رفتار این الگوها آنها را از اغتشاشات تصادفی متمایز می کند. برای لمس پدیده می توان دود سیگار و یا نحوه جوش آمدن آب را مثال زد که در ابتدای امر منظم و در ادامه دچار تلاطمات و بی نظمی می شوند.

2-1) تعریف آشوب

لذا این پدیده به این صورت باز تعریف می شود که آشوب عبارت است از:

بی نظمی در یک سیستم پویای منظم به طوری که در کوتاه مدت، رفتاری قابل پیش بینی دارد اما در بلندمدت، رفتار آن غیرقابل پیش بینی می باشد. همین غیر قابل پیش بینی بودن این سیستم ها ما را متوجه حساسیت آنها به شرایط اولیه می نماید. به هر روی رفتار آشوب گونه یک رفتار تصادفی نیست اما برای ناظر خارجی قابلیت تشخیص آن از رفتار تصادف گونه بدون اطلاع به سادگی امکان پذیر نمی باشد. از آنجا که مقدار لحظه ای سیگنال به دقت محاسبات بستگی دارد حتی در صورت شناخت مولد سیگنال باز هم عدم قطعیت در تعیین رفتار سیگنال خواهیم داشت. اینکه گفته می شود رفتار آشوب گونه رفتاری معین و قطعی اما با تظاهرات تصادفی است. به این معنی است که مولد سیگنال آشوب گونه مبتنی بر قوانین قطعی و معادلات معین می باشد اما اندازه گیری و محاسبه و مدلسازی دارای تقریب و خطا می باشد نمونه هایی از سیستم هایی که در آنها آشوب حضور دارند عبارتند از:

سوسو زدن یک لامپ نئون، نقطه بروز و شدت زلزله، مسیر حرکت سیال در یک لوله، رشد جمعیت جانداران شکل صاعقه و… را می توان نام برد. به هرحال تحقیق و مطالعه در حوزه دینامیک های آشوبی دسترسی به نتایج مفید و موثر را در پی خواهد داشت که چند مورد آن به شرح زیر خواهد بود:

– امکان توضیح و کشف علل بسیاری از حوادث طبیعی

– توانایی پیش بینی بسیاری از حوادث غیر مترقبه

– تصحیح رفتار و عملکرد برخی از سیستم ها در جهت مطلوب

– شناخت روندهای منتهی به آشوب و جلوگیری از وقوع آن و یا کنترل

– ایجاد آشوب در محدوده ای مشخص و تحت شرایط کنترل شده برای رسیدن به نتایج مطلوب

– تصحیح الگوریتم ها و منطق های اندازه گیری، محاسباتی، اجرایی و عملیاتی

تعداد صفحه : 137

پایان نامه ارشد برق مدل سازی پدیده های مزوسکوپیک در ترانزیستورهای MOS مقیاس نانومتر

اختصاصی از هایدی پایان نامه ارشد برق مدل سازی پدیده های مزوسکوپیک در ترانزیستورهای MOS مقیاس نانومتر دانلود با لینک مستقیم و پر سرعت .

چکیده:

نوسانات تناوبی در مشخصه IV افزاره های MOSFET زیر 100 نانومتر در دماهای پایین توسط برخی پژوهشگران در آزمایش های تجربی مشاهده شده است. برای توجیه نوسانات تناوبی، نظریه های مختلفی بیان شده است. همه ی این نظریه ها انتقال کوانتمی حامل ها در کانال را مطرح می سازند. از مقایسه نتایج تجربی با نظریه های موجود، به این نتیجه می توان رسید که برای توجیه علمی وجود این نوسانات، نظریه سد کولونی و ترانزیستور تک الکترونی مناسب می باشد. ما هم بر اساس نظریه سد کولونی و ترانزیستور تک الکترونی یک مدل اسپایس را شبیه سازی نم ودیم. نتایج بدست آمده از این شبیه سازی، تایید می کند که نظریه سد کولونی و ترانزیستور تک الکترونی توجیه بسیار مناسبی برای وجود نوسانات تناوبی در افزاره های نانومتری می باشد . بعلاوه هر چه خازن کل جزیره (که اساس کار ترانزیستور تک الکترونی است ) کوچکتر باشد، این ترانزیستور می تواند در دماهای بالاتری کار کند که این امر منطبق بر نظریه سد کولونی و ترانزیستور تک الکترونی می باشد. از طرفی، شبیه سازی های انجام شده نشان می دهد که هر چه خازن جزیره کوچکتر شود، جریان خروجی هم کمتر می شود که این خود ممکن است باعث مشکلاتی در کاربردهای ترانزیستور تک الکترونی شود.

فصل اول

1- مقدمه

قابلیت صنعت نیمه هادی برای فراهم کردن محصولاتی با کاهش مداوم قیمت و در عین حال افزایش کارآیی آنها، علت اصلی موفقیت آن بوده است. این موفقیت نتیجه کاهش ابعاد و به دنبال آن افزایش تعداد افزاره ها در یک تراشه می باشد.

در ابعاد زیر 100 نانومتر پدیده های جدیدی که در ساختارهای بزرگتر وجود نداشتند، رفتار MOSFET ها را تحت تاثیر قرار می دهند. SIA پیش بینی می کند که حداقل ابعاد افزاره ها در سال 2012 در حدود 35nm و 108 ترانزیستور بر سانتیمتر مربع برای فناوری CMOS شود.

کاملاً مشخص است که رفتار این افزاره ها که مدارات آینده با آنها ساخته می شود، با رفتار افزاره های امروزی با ابعاد بزرگتر متفاوت است. در این بین مدل سازی و بررسی خصوصیات این افزاره ها می تواند به بسیاری از بحث ها ی موجود در ارتباط با کوچک سازی بیشتر افزاره ها، پاسخ دهد. یعنی اینکه اگر نتوانیم افزاره ها را مدل سازی کنیم، مسئله کوچک سازی به عنوان سدی پیش روی توسعه ی صنعت نیمه هادی باقی خواهد ماند. هدف اصلی این پایان نامه بررسی و مدل سازی پدیده های محتمل در مورد MOSFET های زیر 100 نانومتر می باشد.

مهمترین هدف مدل سازی بدست آوردن روش های ممکن برای بررسی های عددی مورد نیاز درباره خصوصیات و رفتار افزاره ها می باشد.

در فصل دو ابتدا مختصری در مورد نظریه کلی MOS توضیح داده خواهد شد. سپس در فصل سوم مسئله توضیح داده خواهد شد. سپس در فصل سوم مسئله ID(VG که از نتایج تجربی ساخت افزاره ها ی زیر 100 نانومتر توسط برخی از پژوهشگران بدست آمده است نشان داده خواهد شد. چیزی که مهم است اینست که در آزمایش های تجربی پدیده هایی دیده شد که در MOS های با مقیاس بالاتر دیده نشده بود. یعنی اینکه این پدیده ها را نمی توان با نظریه کلاسیک موجود در مورد MOS یعنی نظریه “نفوذ – رانش” توجیه کرد. به همین علت مجبور هستیم که نظریه های جدیدی را بررسی کنیم تا شاید بتوان نتایج تجربی را به آنها نسبت داد. فصل چهارم به این موضوع می پردازد. وجود این نوسانات به عنوان یک پدیده جدید، بسیار جالب توجه بود که انگیزه ی اصلی کار روی این پایان نامه می باشد.

قوی ترین نظریه در مورد نوسانات تناوبی مشاهده شده در مشخصه ID (VG افزاره ها ی زیر 100 نانومتر، نظریه سد کولونی و ترانزیستور تک الکترونی می باشد. سد کولونی برای اولین بار در دهه 1950 و 1960 مشاهده شد. در سال 1975 کولیک و شختر در مورد اثرات شارژ کنندگی سد کولونی توضیحاتی ارائه کردند و پلکان کولونی را در حالت تونل زنی یک الکترون از طریق یک جزیره کروی بین دو اتصال تونلی نامتقارن پیش بینی کردند. شکل نهایی نظریه ترانزیستور تک الکترونی (SEM) در سال 1985 توسط آورین و لیخاریو در مسکو ارائه شد. اولین شکل واقعیٍ این نظریه ها توسط فولتن و دولان در آزمایشگاه های بل در سال 1987 ساخته شد.

در فصل پنجم به طور مفصل با این نظریه آشنا خواهید شد و کاربرد های آنرا بیان می کنیم. در فصل شش یک ترانزیستور تک الکترونی (SET) را شبیه سازی می کنیم. در فصل هفتم آینده نانوالکترونیک را بررسی می کنیم.

موضوع اصلی این پایان نامه پدیده های مزو سکوپیک می باشد که مشخصات و خصوصیات سیستم هایی را معرفی می کند که ابعاد آنها بین مقیاس میکروسکوپی و ماکروسکوپی است. مزو یک کلمه یونانی به معنای وسط می باشد. در این سیستم ها انتقال الکترون یا بار گسسته الکترونها اهمیت دارد.

تعداد صفحه : 92

فهرست مطالب:

چکیده ................................................................................................................................................... 1
فصل اول : مقدمه
مقدمه ......................................................................................................................................... 3
MOSFETs : فصل دوم
2-1 اصول عملکرد ...................................................................................................................... 6
2-1-1 وارونگی .................................................................................................................... 9
2-1-2 مشخصه ولتاژ- جریان ............................................................................................... 11
به دما ............................................................. 15 MOSFET 2-2 وابستگی مشخصه الکتریکی
فصل سوم : نتایج تجربی .
17................................................................................................................ ID(VG) 3-1 مشخصه
3-2 اثر ولتاژ سورس .................................................................................................................. 22
3-3 اثر میدان مغناطیسی .............................................................................................................. 28
فصل چهارم : نظریه نوسانات تناوبی
4-1 رسانایی جهش ها و تونل زنی تشدید ................................................................................. 30
4-2 اختلال ضعیف بین سورس و درین ..................................................................................... 36
4-3 مدل انتقالی کوانتمی ......................................................................................................... 37
4-4 سد کولونی در تک نقطه .................................................................................................. 40
4-5 سد کولونی در نقاط موازی .............................................................. ................................ 49
51............................................................................. (SET) فصل پنجم : ترانزیستور تک الکترونی
5-1 الکترونیک تک ذره ای .................................................................................................... 52
5-2 ترانزیستور تک الکترونی ................................................................................................... 56
5-3 پلکان کولونی ................................................................................................................... 60
5-4 مزایا و مشکلات ترانزیستورهای تک الکترونی ................................................................... 62
فصل ششم : شبیه سازی یک ترانزیستور تک الکترونی
6-1 مقدمه ....................................................................................................................... 65
6-2 مدل ............................................................................................................................ 65
6-3 تحلیل مدل .................................................................................................................. 66
6-4 نتایج شبیه سازی .......................................................................................................... 67
فصل هفتم : نتیجه گیری و پیشنهادات ........................................................................................... 76
فصل هشتم : آینده و نانوالکترونیک ............................................................................................... 79
منابع و مراجع ................................................................................................................................... 82
ضمیمه
86..................................................................................................................... Spice Sourse
چکیده انگلیسی

پایان نامه بررسی ارزیابی کار و زمان برج تقطیر شرکت بهفام شیمی تهران

اختصاصی از هایدی پایان نامه بررسی ارزیابی کار و زمان برج تقطیر شرکت بهفام شیمی تهران دانلود با لینک مستقیم و پر سرعت .

فرمت فایل : WORD (قابل ویرایش)

تعداد صفحات:100

فهرست مطالب:

عنوان     صفحه
چکیده     
فصل اول – کلیات تحقیق
پیشگفتار     1
مقدمه     3
تعریف موضوع تحقیق     4
اهمیت و کاربرد تحقیق     4
اهداف تحقیق     5
سوالات تحقیق     6
روش تحقیق     6
تعریف واژه های عملیاتی تحقیق     6
خلاصه مباحث فصول آینده     9
فصل دوم – ادبیات تحقیق
مقدمه     10
بخش یک : مباحث نظری تحقیق     10
مقدمه ای بر مطالعه کار     
مطالعه کار ( ارزیابی کار وزمان )     13
روش سنجی ( ارزیابی روش )     14
کار سنجی (اندازه گیری کار )     14
رابطه فنون ارزیابی کار با یکدیگر     15
معرفی عوامل تشکیل دهنده زمان تولید     16
مراحل ارزیابی کار و زمان     17
انتخاب شغل مورد ارزیابی     18
ثبت     19
بررسی انتقادی     23
ایجاد روشهای اصلاح شده ( جدید )     26
تعریف و تعیین روش جدید     27
برقراری یا استقرار روش جدید     27
نگهداری یا ابقاء روش جدید     28
زمان سنجی     28
اهداف زمان سنجی     29
روشهای مختلف زمان سنجی     30
مراحل اساسی فرایند زمان سنجی     31
زمان سنجی با استفاده از کرنومتر     32
مراحل زمان سنجی به وسیله کرنومتر     32
تعیین زمان نرمال     37
محاسبه و تخصیص بیکاریهای مجاز     37
محاسبه زمان استاندارد     38
انواع سیستمهای تولید و طبقه بندی آنها     38
انواع طرحهای استقرار     41
بخش دوم : تاریخچه تولید     46
تاریخچه شرکت بهفام شیمی تهران     50
نحوه آموزش نیروی انسانی در شرکت بهفام شیمی     50
کیفیت خط تولید در شرکت بهفام شیمی     50
نگه داری و تعمیرات در شرکت بهفام شیمی     51
بخش سوم : تحقیقات کاربردی     53
خلاصه مباحث فصل     58
فصل سوم – روش تحقیق
مقدمه     59
انواع تحقیق     60
مراحل مختلف تنظیم تحقیق توصیفی     64
روشهای جمع آوری اطلاعات     65
خلاصه مباحث فصل     76
فصل چهارم – داده های تحقیق و تجزیه و تحلیل آنها
مقدمه     77
شرح فعالیت هایی که در شرکت بهفام شیمی تهران صورت می گیرد     77
نمودارهای گردشی فرآیند     81
شرح زمان انجام فعالیت ها     86
پاسخ سوالات تحقیق     87
تعریف تقطیر و انواع ان     89
سینی های مورد استفاده در برج تقطیر     91
تعریف پمپ و انواع آن     92
خلاصه مطالب فصل     97
فصل پنجم – نتایج تحقیق و پیشنهادها
مقدمه     98
نتایج تحقیق     98
پیشنهادات     98
فهرست منابع     100
 
فهرست اشکال
عنوان     صفحه
شکل شماره (1-1-2) نقش مطالعه روش و زمان سنجی در افزایش بهره وری تولید 15
شکل شماره ( 2-1-2)عوامل تشکیل دهنده زمان تولید     16
شکل شماره (1-4) دستگاه تقطیر معمولی     89
 
فهرست جداول
عنوان     صفحه
جدول شماره (1-1-2) علائم پایه در رسم نمودار عملیات     21
جدول شماره (2-1-2) علائم ترکیبی در رسم نمودار عملیات     22
جدول شماره (3-1-2) سایر علائم نمودار فرایند جریان     23
 
فهرست نمودار
عنوان    صفحه
نمودار شماره (1-4) نمودار گردشی فرایند     82
نمودار شماره ( 2-4) نمودار گردشی فرایند     83
نمودار شماره (3-4) نمودار گردشی فرایند     84
نمودار شماره (4-4) نمودار گردشی فرایند     85
 
چکیده :
موضوع مورد بحث در این تحقیق بررسی ارزیابی کاروزمان خط تولید برج تقطیر شرکت بهفام شیمی تهران می باشد. آنچه که درباره اهمیت موضوع می توان به آن اشاره کرد ، تحقق اهداف ارزیابی روش و کارسنجی به عنوان فنون ارزیابی کار است که می تواند از موارد کاربرد تحقیق حاضر باشد. هدف اصلی این تحقیق بررسی خط تولید برج تقطیر شرکت بهفام شیمی تهران به منظور محاسبه زمان تولید  محصول در یک دوره کاری می باشد . که برای تحقق این هدف در فصل اول سه سوال مطرح شده است که عبارتند از :
1-    نسبت  زمان حمل و نقلها به زمان کل فعالیتها چقدر است ؟
2-    نسبت زمان عملیاتها به زمان کل فعالیتها چقدر است ؟
3-    زمان لازم برای تولید محصول از ابتدا تا انتها چقدر است ؟
در فصل سوم روشهای گرد آوری اطلاعات آمده است و در فصل چهارم به پاسخ سوالات پرداخته شده است و در فصل پنجم نیز نتایج  تحقیق و پیشنهادات آورده شده است از لحاظ روش مورد استفاده این تحقیق از نوع توصیفی می باشد و چون این تحقیق در شرایط واقعی صورت  گرفته است از نوع مطالعه میدانی و از نوع پیمایشی می باشد .
روش های جمع آوری اطلاعات مشاهده مستقیم و مصاحبه بوده است و برای تکمیل بحثهای تئوریک از روش کتابخانه ای نیز استفاده شده است .

فایل آماده اسکچاپ ویلا

اختصاصی از هایدی فایل آماده اسکچاپ ویلا دانلود با لینک مستقیم و پر سرعت .

فایل آماده اسکچاپ 2015 ویلا بسیار زیبا