بررسی تاثیر نصب تجهیزات هوشمند روی ناوگان جاده ای و پارامترهای طراحی هندسی
Effect of intelligent equipments installed on the fleet and road geometric design parameters
فرمت :pdf
تعداد صفحه :۲۵۷
کارشناسی ارشد
رشته حسابداری
موضوع :
بررسی تاثیر سیستمهای پردازش الکترونیکی اطلاعات بر روشهای حسابرسی حسابرسان مستقل
تعداد صفحات: 171 صفحه
نوع فایل : word
تعداد صفحات : 146 صفحه
فهرست :
مقدمه
فصل اول:طرح تحقیق
فصل دوم :ادبیات تحقیق
فصل سوم:روش تحقیق
فصل چهارم:جمع آوری اطلاعات و تجزیه و تحلیل داده ها
فصل پنجم:نتیجه گیری و پیشنهادات
مقدمه :
انسان برای تامین نیازهای روزمره ، خود را پیش رو داشت. ابتدا شکار و استفاده از گیاهان خودرو و سپس به مرور زمان و با فرا گرفتن فنون اولیه کشاورزی اقدام به تهیه مایهتاج خود نمود. با توجه به خطراتی که در شکار حیوانات انسان را تهدید می کرد، لذا تمایل به سمت کشاوزی بیشتر و بیشتر شد تا جایی که در گذشته ای نه چندان دور، بیشتر مردم عدی در کره زمین پیشه کشاورزی را برگزیدند. کشاورزان با سه عامل زمین، نیروی کار و آب روبرو هستند که اهمیت هر سه مورد به نوع خود بسیار مهم بوده و می باشد. امروزه با مکانیزه شدن صنعت کشاورزی نوع محصولات و تنوع فصلی آنها و نیز مقدار تولید آنها تفاوتهای بسیاری بوده است با استفاده از ابزار آلاتی مانند کمباین، تراکتور و دستگاههای مخصوص شخم زنیف سم پاشی های هوایی و نیروی انسانی کمتری درگیر کشاورزی می شود که این امر موجب کاهش هزینه تولید در مجموع، و از طرف دیگر افزایش بیکاری را سبب می شود. امروزه کشاورزی سنتی در مقایسه با سالهای گذشته بسیار کمتر شده است. اکثر کشاورزان یا کوچ کرده و به شهرهای بزرگ آمده اند و یا آنهایی که توان مالی داشته اند با سیستم های امروزه خود را وقف داده و از سیستم های نوین آبیاری و ماشین آلات کشاورزی استفاده می کنند. در سالهای اخیر با استفاده از تکنولوژی نانو، تولید محصولات فصلی، در تمام فصول امکانپذیری شده است که این امر بمنزله انقلابی در کشاورزی به حساب می آید. از این رو می توان گفت دیگر می توان کشاورز را به همان دیدگاه قدیم نگریست بلکه نیازمند توجه و دیدگاه علمی و دقیق می باشد.
نوع فایل: word
قابل ویرایش 130 صفحه
مقدمه:
برخی بر این باورند که ثروت جز مقدار معینی پول چیز دیگری نیست . زیرا پول وسیله بازرگانی و سوداگری است . جمعی دیگر در مخالفت با این نظر برآنند که پول چیزی بر ساخته و اعتباری است . زیرا اگر کسانی که آن را به کارمی برند از رواجش بیندازند دیگر ارزشی نخواهد داشت .
ارسطو- کتاب سیاست قرن چهارم پیش از میلاد
بازار سرمایه در ایران یک بازار ناشناخته است و در این بازار روزانه هزاران سرمایه گذار پول خود را به امید دستیابی به ثروت بیشتر سرمایه گذاری می نمایند در این میان برخی به هدف خود دست می یابند و برخی دیگر سرمایه خود را از دست می دهند.
بازده سهام یکی از فاکتورهای مهم در انتخاب بهترین سرمایه گذاری است .
افراد حقیقی و حقوقی با انگیزه های مختلف سرمایه گذاری می کنند ، اما به دست آوردن سود و افزایش ثروت در نهایت هدف مشترک تمامی سرمایه گذاریها می باشد
فهرست مطالب:
موضوع تحقیق
1) تاثیر سود هر سهم بر بازده سهام
اهمیت موضوع
دلیل انتخاب موضوع
مواد و ملزومات برای تحقیق
فصل دوم
پیشینه تحقیق
مبانی نظری
مقدمه
قیمت هرسهم به سود هر سهم و سایر معیارهای ارزشگذاری
پیشینه تحقیق
1- فرضیه ریسک گریزی تضمین کننده فروش اوراق بهادار
2-فرضیه بیمه ضمنی در مقابل مسئولیت های قانونی
3-فرضیه قدرت انحصاری
4-فرضیه شهرت ( اعتبار ) موسسات تامین سرمایه
5-فرضیه حباب سفته بازی
6- فرضیه عدم تقارن اطلاعاتی
7- فرضیه علامت دهی
8- فرضیه بازارهای « سهام جدید داغ »
9- فرضیه « گرایشات و علائق زود گذر » و فرضیه « عکس العمل بیش از
اندازه » سرمایه گذاران
10- فرضیه انتشار سهام جدید طی دوره های حجم بالای انتشار
روش تحقیق و آزمون فرضیات
فرضیات تحقیق
تعاریف عملیاتی واژه ها
روش های تجزیه و تحلیل اطلاعات و آزمون فرضیه ها
تحقیقات انجام شده در ایران
یافته های تحقیق
عملکرد بلند مدت سهام جدید بر مبنای انتشار
عملکرد بلند مدت سهام جدید بر مبنای بازده اولیه
عملکرد بلند مدت سهام جدید بر مبنای اندازه شرکت
عملکرد بلند مدت سهام جدید بر مبنای حجم معامله
عملکرد بلند مدت سهام جدید بر مبنای صنعت
بازده های غیر عادی سهام جدید
آزمون فرضیه ها و تفسیر نتایج
آزمون فرضیه اول
آزمون فرضیه دوم
آزمون فرضیه های سوم و چهارم و پنجم
رگرسیون چند متغیره
مفهوم سود
مدیریت سود
ابزار های مدیریت سود
ماهیت سود
اهداف و دلایل اندازه گیری سود
نقش اطلاعاتی سود
نقش سود در شرکت
کیفیت سود
رفتار سود در نوشته های حسابداری
عوامل موثر بر قیمت و P/E عبارتند از
اطلاعات حسابداری و قیمت سهام
ارتباط بین سود و ارزش سهم در شرایط اطمینان و بازار کامل
ارتباط بین سود و ارزش سهام در شرایط عدم اطمینان و بازار تناقص
تاثیر اظهار نظر حسابرسان بر قیمت سهام
سود سهام
ماهیت سود سهام
سود سهام می تواند به اشکال زیر توزیع شود
عادی
خاص
هر کدام از اشکال توزیع سود سهام به صورت زیر بر ساختار سرمایه
شرکت سهامی اثر می گذارد
انواع سود سهام
1- سود نقدی سهام
2- سود غیر نقدی سهام
3- سود تصفیه
4- سود تعهد شده
5- سود سهمی
تاریخهای مرتبط با سود سهام
تاریخ پیشنهاد و اعلام سود سهام
تاریخ شناسایی سهامداران مشمول سود
تاریخ موثر شناسایی سهامداران مشمول سود
تاریخ پرداخت سودسهام
محدودیتهای تقسیم سود
بازده سهام
حداکثر شدن سود به عنوان یک معیار
حداکثر شدن عایدی هر سهم به عنوان یک معیار
حداکثر شدن قیمت سهم
تفاوت مطلوبیت سهامداران
محاسبه بازده هر سهم
روشهای محاسبه بازده سهام
1-روش پیش بینی سود تقسیم شده ( سود نقدی )
2- روش نسبت درآمد به قیمت
روشهای محاسبه بازده سهامداران
3-روش بازده واقعی
فصل سوم
نتیجه گیری
نتیجه گیری و پیشنهادات
پیشنهادات حاصل از نتایج آزمون به سرمایه گذاران در ارتباط با
خرید سهام جدید
موضوعات پیشنهادی برای تحقیقات آتی
چکیده
با تغییر مقیاس ترانزیستورها برای بهبود عملکرد و کاهش هزینه ساخت، آتار کانال کوتاه مانند پیچش ولتاژ آستانه و اثر DIBL که قبلا در ترا نزیستورهای کانال طویل به چشم نمی آمدند ایجاد می شوند که موجب اختلال در عملکرد ترانزیستورها می شوند. یکی از روشها برای از بین بردن آثار کانال کوتاه ایجاد آلایش هاله کون و تغییر ناخالصی بستر می باشد. ترانزیستوری با طول کانال موثر 90 نانومتر شبیه سازی شده و منحنی های Id-Vd و Id-Vg را رسم کرده و با ایجاد آلایش هاله گون و تغییر ناخالصی بستر اثر کانال کوتاه را بهبود می دهیم.
دراین گزارش، در فصل اول به بررسی آثار کانال کوتاه در ترانزیستورهای تغییر مقیاس یافته و بررسی آلایش بستر می پردازیم. در فصل دوم مهندسی کانال را که شامل ایجاد آلایش SSR و همچنین ایجاد آلایش هاله گون می باشد، برای کاهش اثرات کانال کوتاه مورد بررسی قرار می دهیم. در فصل سوم تاثیر ایجاد آلایش هاله گون تحت انرژی و زوایای مختلف رابر حاملهای داغ بررسی می کنیم. در این فصل نشان میدهیم که ایجاد آلایش هاله گون با زاویه ای بزرگتر یا انرژی بیشتر باعث بهبود پیچش ولتاژ آستانه میشود ولی در عین حال این آلایش باعث ایجاد میدان الکتریکی بزرگتری در نواحی امتداد یافته سورس و درین میشود. بنابراین اثر حاملهای داغ در این نواحی بیشتر میشود و نشان میدهیم که ترانزیستورهای دارای آلایش هاله گون ایجاد شده با انرژی پایین تر و زاویه بزرگتر نسبت به ترانزیستورهای دارای آلایش هاله گون ایجاد شده با انرژی بالاتر و زاویه کوچکتر دارای اثر حاملهای داغ کمتری خواهند بود . در این فصل نشان می دهیم که Ib به تنهایی معیار مناسبی برای نشان دادن اثر حاملهای داغ در فناوری MOS نیست. همچنین تاثیر تغییر در میزان کاشت ناخالصی در آلایش هاله گون و LDD را بر حاملهای داغ بررسی میکنیم.
در فصل چهارم به شبیه سازی ترانزیستور با آلایش هاله گون توسط نرم افزار GENESISe می پردازیم. در این شبیه سازی ترانزیستور را از تلفیق دو نرم افزار dessis و dios که جز ئی از نرم افزار GENESISe هستند ایجاد می کنیم. و نتایج شبیه سازی را در ترانزیستورهای تغییر مقیاس یافته با آلایش هاله گون و بدون آلایش هاله گون مقایسه میکنیم . می بینیم که با ایجاد آلایش هاله گون اثر DIBL و پیچش ولتاژ آستانه و همچنین IOFF بهبود می یابد. در فصل پنجم به نتیجه گیری و پیشنهاد برای ادامه پروژه می پردازیم.
مقدمه
صنعت ساخت قطعات الکترونیک پیشرفتهای قابل توجهی از نظر سرعت و قابلیت عملکرد و هزینه داشته است این نتایج ناشی از کوچک نمودن ابعاد ترانزیستور بوده است. ولی در عین حال مشکلات زیادی در کاهش مستمر ابعاد ترانزیستور بوجود می آید. برخی از این آثار عبارتند از اثرات کانال کوتاه DIBL، پیچش ولتاژ آستانه. این آثار موجب اختلال در عملکرد ترانزیستور می شوند. بنابراین فهم محدودیتهای تغییر مقیاس و راههای کاهش اثرات کانال کوتاه برای ما اهمیت دارد.
فصل اول
بررسی تاثیر تغییر مقیاس بر عملکرد ترانزیستور و نحوه آلایش در بخش های مختلف ترانزیستورهای تغییر مقیاس یافته
1-1- تغییر مقیاس ترانزیستور و قانون مور
طی سه دهه گذشته، صنعت الکترونیک پیشرفتهای جالب توجهی داشته است. حداکثر سرعت پالس ساعت پردازش مرکزی (cpu) از 100 کیلوهرتز در سال 1971 به بیش از 1/4 گیگاهرتز در سال 2000 افزایش یافته است. یعنی مقدار آن 10 برابر شده است. طی همین مدت، هزینه کامپیوترها با افزایش تعداد کامپیوترهای شخصی کاهش یافته است. بهبودهای قابل ملاحظه ای در نسبت قیمت/ عملکرد داشته ایم که در تاریخ تولید بشر بی سابقه بوده است. این نتایج ناشی از موفقیت در صنعت نیمه هادیها در کوچک کردن ابعاد ترانزیستور بوده است.
طول گیت ترانزیستور از 10 میکرومتر در سال 1971 به 0/8 میکرومتر در سال 2000 کاهش یافته است. این امر موجب افزایش سرعت پالس ساعت (با کاهش مسیر سیگنال) و همخوانی با قانون مور (که میگوید تعداد ترانزیستورها در یک مدار یکپارچه هر 18 ماه دوبرابر میشود) شده است. این امر نه تنها موجب بهبود عملکرد تراشه میشود بلکه موجب کاهش میزان ساخت سیلیکون مصرفی و کاهش هزینه تولید میگردد که آنهم به نوبه خود از تغییر مقیاس MOS ناشی می شود.
در عین حال، چالش های زیادی برای کاهش مستمر ابعاد ترانزیستور وجود دارد. مثلا افزایش میدان الکتریکی و شکست سوراخی و اثر DIBL و غیره از جمله مشکلاتی است که با تغییر مقیاس ایجاد میشود. این بدان معنا است که فقط تغییر مقیاس ترانزیستور برای بهبود عملکرد ترانزیستور کافی نیست. فهم محدودیت های تغییر مقیاس و نحوة ارتباط آنها به پارامترهای مختلف ترانزیستور در طراحی ترانزیستورهای نسلهای بعدی اهمیت دارد.
2-1- روش تحقیق
انجام آزمایشهای فیزیکی در مورد آلایش مستلزم بررسی آلایش چندبعدی و لذا کار دشواری است، همچنین اندازه گیری دقیق پارامترهای ترانزیستورهای ساخته شده، و تعیین میزان دقیق تاثیر آلایش بستر بر عملکرد کاری دشوار و مستلزم ساخت ترانزیستور به صورت آزمایشگاهی است. شکل 1-1 شمائی از روش بکار رفته در تحقیقات را نشان می دهد.
به جای آزمایش فیزیکی، شبیه سازیهای TCAD مورد استفاده قرار می گیرد. برای تعداد زیادی از طراحی ترانزیستورهای شبیه سازی شده، مولفه های مقاومتی، فیزیکی، ولتاژ آستانه و خصوصیات Ion-Ioff برای هر ترانزیستور استخراج شده و مقایسه می شود و از آنجا حدود تغییر مقیاس با توجه به آلایش بستر تعیین می شود.
چند نکته در اینجا قابل ذکر است. نخست آنکه استفاده از شبیه سازی های TCAD مزایای بسیاری دارد. به گونه ای که پیش بینی نسبتا دقیقی از آلایش بستر و پروفیل آلایش ترانزیستورهای شبیه سازی شده را قبل از آنکه ساخته شود ممکن می سازد. بعلاوه امکان آنرا بوجود می آورد که عملکرد بسیاری از ترانزیستورها را با هم مقایسه کنیم. تطبیق نتایج حاصله با نتایج تجربی باعث صرفه جویی زیادی در هزینه و زمان طراحی می شود. بعلاوه این روش شبیه سازی امکان بررسی کمیت های داخلی ترانزیستور را که امکان آزمایش آنها عملا وجود ندارد فراهم می آورد.
همچنین میدانیم یکی از جنبه مهم در طراحی هر ترانزیستور معیارهای مورد استفاده برای مقایسه ترانزیستورهای مختلف است. چند معیار متداول مثل ولتاژ آستانه و منحنی های Ion-Ioff باهم مقایسه می شوند.
همچنین تاثیر مدلهای قابلیت حرکت مورد بررسی قرار می گیرند. در این فصل با فرض آنکه آلایش کانال ترانزیستورها یکنواخت است و نیز اینکه آلایش سورس / درین را میتوان به صورت ساده با تابع نمائی در جهات افقی و عمودی تعریف کرد، کار را شروع می کنیم. این مفروضات را مجدداً در بخشهای بعدی مورد مطالعه قرار می دهیم. این روش به ما کمک می کند که تاثیر جنبه های مختلف طراحی ترانزیستور بر رفتار آنرا حذف کنیم و به فهم درستی ازمطالعه تاثیر آلایش بستر برسیم.
تعداد صفحه : 125
فهرست مطالب:
چکیده .............................................................................................................................................. 1
مقدمه ............................................................................................................................................... 2
فصل اول: بررسی تاثیر تغییر مقیاس بر عملکرد ترانزیستور ونحوه آلایش در قسمتهای مختلف
ترانزیستورهای تغییر مقیاس یافته
1-1 تغییر مقیاس ترانزیستور وقانون مور ...................................................................................... 4
2-1 روش تحقیق ...................................................................................................................... 5
3-1 زمینه و سازماندهی ............................................................................................................. 6
4-1 مسائل مهم درطراحی ترانزیستورهای تغییرمقیاس یافته ....................................................... 7
5-1 پارامترهای موردنیاز در طراحی ترانزیستورها و تغییر مقیاس آنها ....... ................................ 7
1 پارامترهای کلیدی در طراحی ترانزیستورها ................................................................... 8 -5-1
2 تعریف ولتاژ آستانه ........................................................................................................ 9 -5-1
10 .................................................... MOS 3 تئوری مرتبه اول تغییر مقیاس در ترانزیستور -5-1
6-1 اثرات مرتبه دوم در ابعاد زیر میکرون عمیق ................................................................... 11
1 اثرات کانال کوتاه .......................................................................................................... 12 -6-1
1-1 تغییر پیچش ولتاژ آستانه به لحاظ اثرات کانال کوتاه ............................................... 13 -6-1
14 ...................................................... (DIBL) 2-1 کاهش سدپتاسیل القا شده توسط درین -6-1
2 اثرات کانال کوتاه معکوس ............................................................................................ 16 -6-1
3 مقاومت سورس / درین ................................................................................................ 18 -6-1
4 اثرات مکانیک کوانتومی ............................................................................................... 19 -6-1
7-1 طراحی ترانزیستور در رژیم زیرمیکرون عمیق ............................................................. ..... 24
1 مهندسی کانال ................................................................................................................ 24 -7-1
24 ............................................................................................ Super Retrograde 1-1 آلایش -7-1
٦
2-1 آلایش هاله گون ...................................................................................................... 25 -7-1
2 مهندسی سورس / درین ................................................................................................ 27 -7-1
29 .......................... ( TCAD) 8-1 طراحی فناوری ساخت قطعات نیمه هادی به کمک کامپیوتر
1-8-1 فرآیند صنعتی طراحی ترانزیستورها .............................................................................. 30
31 ......................................................... ( TCAD) 2-8 طراحی ترانزیستور به کمک کامپیوتر -1
33 ................................................................. ( TCAD) 9-1 مشکلات طراحی به کمک کامپیوتر
1 اندازه گیری ................................................................................................................... 34 -9-1
2 مدلهای فیزیکی ............................................................................................................ 35 -9-1
1-2 مدلهای فرایند .......................................................................................................... 34 -9-1
2-2 مدلهای قابلیت حرکت .............................................................................................. 35 -9-1
3-2 اثرات مکانیک کوانتومی............................................................................................. 37 -9-1
10-1 خلاصه .......................................................................................................................... 37
فصل دوم : بررسی مهندسی کانال و آلایش هاله گون در ترانزیستور های تغییر مقیاس یافته
41 ..................................................................................... Retrograde 1-2 مهندسی کانال با آلایش
و آلایش یکنواخت در بستر .............................................................. 42 SSRW 2-2 مقایسه آلایش
50 ................................................................................................... SSRW 3-2 عملکرد ساختاری
4-2 آلایش هاله گون ............................................................................................................... 51
5-2 ساختار و عملکرد آلایش هاله گون .................................................................................. 55
فصل سوم : بهینه سازی آلایش هاله گون در سورس و درین
0میکرون............ 59 / های کوچکتر از 25 MOS 1-3 تاثیرآلایش هاله گون بر روی حاملهای داغ در
1 حاملهای داغ ................................................................................................................ 60 -1-3
2 تاثیر تغییر زاویه کاشت آلایش هاله گونه بر روی پدیده حاملهای داغ .......................... 60 -1-3
3 تاثیر تغییر انرژی کاشت آلایش هاله گونه بر روی پدیده حاملهای داغ ......................... 67 -1-3
4 تاثیر تغییر زاویه و انرژی کاشت آلایش هاله گونه بر روی پدیده حاملهای داغ............. 71 -1-3
2-3 بررسی تاثیر حاملهای داغ بر عملکرد ترانزیستورهای دارای آلایش هاله گون با تغییر
و آلایش هاله گون ............................................................. 74 LDD سسس میزان ناخالصی در آلایش
بر عملکرد یک ترانزیستور .......................................................... 75 halo و ldd 1 بررسی اثر -2-3
٧
بر عملکرد یک ترانزیستور.................................................... 86 halo و ldd 2 بررسی کلی اثر -2-3
3-3 نتیجه گیری .......................................................................................................................... 90
فصل چهارم : بررسی شبیه سازی و نتایج حاصل از آن
با طول موثر کانال 100 میکرومتر و 90 نانومتر................. 93 nmos 1 شبیه سازی دو ترانزیستور -4
93 ...................................................................................... ID-VG و ID-VD 2 مقایسه منحنیهای -4
فصل پنجم : نتیجه گیری و پیشنهاد برای ادامه پروژه
نتیجه گیری................................................................................................................................. 104
پیشنهادات.................................................................................................................................... 105
خذ Ĥ منابع و م
فهرست منابع غیر فارسی ............................................................................................................. 106
چکیده انگلیسی