هایدی

مرجع دانلود فایل ,تحقیق , پروژه , پایان نامه , فایل فلش گوشی

هایدی

مرجع دانلود فایل ,تحقیق , پروژه , پایان نامه , فایل فلش گوشی

روشی ساده برای محاسبه خمیدگی شاخه های مس هادی

اختصاصی از هایدی روشی ساده برای محاسبه خمیدگی شاخه های مس هادی دانلود با لینک مستقیم و پر سرعت .

روشی ساده برای محاسبه خمیدگی شاخه های مس هادی


روشی ساده برای محاسبه خمیدگی شاخه های مس هادی

لینک پرداخت و دانلود در "پایین مطلب"

فرمت فایل: word (قابل ویرایش و آماده پرینت)

تعداد صفحات:27

به منظور تسهیل محاسبه خمیدگی شاخه های مس هادی فرمول (1) به صورت زیر نوشته می شود :

جدول 1 مقادیر را برای طول پلهای مختلف از 1 تا 50 فوت ارائه می نماید . شرح پارامترهای موجود در معادله 2 به صورزت زیر است:

:خمیدگی یا انحنای شاخه بر حسب اینچ (INCH)

L: طول پل بر حسب اینچ (INCH)

I: همان اینرسی مقطع بر حسب

W:

E:

با توجه به مقادیر فوق هنگامی که L بر حسب فوت بیان می شود رابطه 2 را می توان به صورت زیر خلاصه کرد:

به منظور تعیین انحنا بر حسب INCH در هادی هایی که نظیر تیره ساده مهار شده اند صرفا تقسیم فاکتور  برای پل مناسب (نظیر جدول 1) توسط همان اینرسی مقطع هادی و ضرب آن وزن هادی بر حسب پوند لازم است . حداکثر انحنای یک میله هادی افقی با یک سر مهار شده0.4.5  است که بوسیله روشی محاسبه فوق بدست آمده است . اگر هر دو انتهای میله مهار شوند میزان انحنا به 0.2 برابر کاهش می یابد.

به عنوان مثال برای یک پل 10 فوتی از جدول 1 داریم :با در نظر گرفتن یک هادی مس 10 فوتی که از هر دو انتها مهار گردیده  وزن کل این هادی در هر فوت طول آن 2 پوند (1B) است بنابر این حداکثر انحنا عبارت است از  اگر هادی از یک انتها مهار گردد : 

همان اینرسی مقاطع مسی به صورت میله توپر و لوله در جدول 5.،6،7 صفحات 161-158 ارائه شده اند اطلاعات مربوط دیگر سایز ها که جداول ارائه نشده اند از طریق فرمولهای فوق به سادگی قابل محاسبه می باشد.


دانلود با لینک مستقیم


روشی ساده برای محاسبه خمیدگی شاخه های مس هادی

دانلود تحقیق کامل درباره محاسبه انتقال گرما در سطوح نانومقیاس 20 ص

اختصاصی از هایدی دانلود تحقیق کامل درباره محاسبه انتقال گرما در سطوح نانومقیاس 20 ص دانلود با لینک مستقیم و پر سرعت .

لینک دانلود و خرید پایین توضیحات

فرمت فایل word  و قابل ویرایش و پرینت

تعداد صفحات: 20

 

محاسبه انتقال گرما در سطوح نانومقیاس

دانشمندان با استفاده از یک نانونوک، با منبع گرمایی نانومقیاس، توانسته‌اند یک سطح موضعی را بدون تماس با آن گرم کنند؛ این کشف راهی به سوی ساخت ابزارهای گرمایی ذخیره اطلاعات و نانودماسنج‌ها خواهد بود.

همه ساله نیاز بشر به ذخیره اطلاعات بیشتر و بیشتر می‌شود. درک چگونگی انتقال گرما در مقیاس نانو لازمه کاربرد این فناوری تأثیرگذار در ذخیره اطلاعات است. دانشمندان سراسر جهان سعی دارند تا فناوری‌های جایگزینی برای سیستم‌های ذخیره اطلاعات کنونی بیابند تا پاسخگوی نیاز روزافزون جوامع امروزی به ذخیره اطلاعات باشد؛ فناوری گرمایی ذخیره اطلاعات از جمله گزینه‌هایی است که به آن رسیده‌اند.

در این روش، با استفاده از یک لیزر، دیسک مورد نظر برای ذخیره اطلاعات را گرم کرده و به این ترتیب فرایند ثبت مغناطیسی پایدار می‌شود، به طوری که نوشتن داده‌ها روی آن آسان‌تر شده، پس از خنک شدن آن می‌توان داده‌ها را مجدداً بازیابی نمود. با استفاده از این روش، مشکل بحرانی حد ابرپارامغناطیسی که دستگاه‌های ضبط مغناطیسی با آن مواجه‌اند، برطرف می‌شود.

در روش‌های کنونی دانشمندان بیت‌های اطلاعاتی را که در دمای اتاق کار می‌کنند، تا اندازه معینی کوچک می‌کنند، اما این بیت‌ها با این کار از لحاظ مغناطیسی ناپایدار شده، از محل خود خارج می‌شوند، در نتیجه اطلاعات روی آنها پاک می‌شود.

بررسی‌های اخیر دانشمندان فرانسوی درباره انتقال گرما بین نوک و سطح به پیشرفت مهمی در زمینه ذخیره گرمایی اطلاعات و دیگر کاربردها منجر شده است. آنها گرمایی را که بیشتر از طریق هوا و به شیوه رسانش، بین نوک سیلیکونی و یک سطح انتقال می‌یابد، محاسبه کردند.

Pierre-Olivier Chapuis از محققان این گروه می‌گوید: ”انتقال گرما در سطح ماکروسکوپی به خوبی شناخته شده است (وقتی برخورد مولکول‌ها در حالت تعادل موضعی ترمودینامیکی باشد با تابع پخش فوریه بیان می‌شود). همچنین انتقال گرما را می‌توان در یک نظام بالستیک خالص (وقتی که هیچ برخوردی بین مولکول‌ها وجود ندارد) محاسبه نمود. اما محاسبه انتقال گرما در نظام میانی، وقتی که مولکول‌ها با هم برخورد دارند، همچنان یک چالش به شمار می‌آید.“

دانشمندان در آزمایش خود از یک نوک دارای منبع گرمایی به ابعاد 20 nm که در فاصله بین صفر تا 50 نانومتری بالای سطح قرار می‌گیرد، استفاده کرده‌اند.

مولکول‌های هوای بین نوک و سطح، در تماس با این نوک داغ، گرم شده و روی سطح دیسک قرار می‌گیرند و گاهی هم قبل از آن با دیگر مولکول‌ها برخورد می‌کنند. این محققان برای اولین بار با استفاده از قانون بولتزمن درباره حرکت گازها، توانستند توزیع گرمایی در این مقیاس و نیز سطوح شارگرمایی را تعیین کنند. آنها نشان دادند که انتقال و انتشار گرما از نوک به سطح در مدت چند ده پیکوثانیه و بدون آن که تماس بین نوک و سطح برقرار شود، انجام می‌گیرد. آنها همچنین دریافتند که در فاصله کمتر از 10 nm این نوک داغ می‌تواند ضمن حفظ شکل، ناحیه‌ای به پهنای 35 nm را گرم کند و در بیشتر از این فاصله، شکل از بین رفته و لکه گرمایی به طور قابل توجهی افزایش می‌یابد.

نانوتکنولوژی در صنایع نیمه‌هادی

صنایع نیمه‌هادی در سیر تکامل خود در حال رسیدن به نقط‌های است که توانایی آن برای تولید نقاط کوچکتر با مشکلاتی جدی همچون اثرات کوانتومی و نوسانات سطوح اتمی روبرو خواهد شد.

مشکلات دیگر در راه پیشرفت CMOS عبارتند از مصرف بالا، اتلاف حرارت و هزینه بسیار بالای ساخت. این مسائل در آینده مانعی سخت برای تولید نیمه‌هادی‌های کارآمد خواهد بود. به گفته NanoMarkets ، نانوتکنولوژی به ادامه پیشرفت و تولید CMOS کمک خواهد کرد و همچنین فناوری‌های جدید را قادر خواهد ساخت تا گوی سبقت را در جلب رضایت بازار از CMOS بربایند.غول‌های بزرگ صنعتی همچون فری‌اسکیل ‌، آی‌بی‌اِم، اینفینئون و اینتل پشتوانة مهمی برای نانوحافظه‌ها به حساب می‌آیند.

یک گزارش جدید از NanoMarkets بیانگر این مطلب است که همان‌طورکه روش‌های کنونی لیتوگرافی به پایان راه خود رسیده‌اند، ابزار‌هایی که برای توسعه، تولید و آزمایش CMOS به کار می‌روند، نیز باید بر پایة نانوتکنولوژی طرح‌ریزی گردند. پرتوافکن مستقیم الکترونیکی که در تولید ASIC به کار می‌رود، نمونه‌های از ابزاری است که به کمک نانوتکنولوژی بوجود آمده‌است. اما نانومارکتز معتقد است که کاربرد واقعی نانوتکنولوژی در تولید محصولات جدید، با توجه به خصوصیات مواد مقیاس نانو می‌باشد. بخش‌هایی از صنعت نیمه‌هادی که بیشترین تأثیر نانوتکنولوژی در آنها دیده می‌شود خارج از مقوله CMOS قرار دارند. به گفته نانومارکتز این موضوع در موارد زیر به وضوح دیده می‌شود.

حافظه غیرفرار: حافظه غیرفرار یکی از عوامل تقویت محاسبات سیار است. اما با توجه به اینکه حجم و سرعت فناوری Flash محدود می‌باشد، حافظه‌های جدید که در طراحی آنها از نانوتکنولوژی بهره گرفته شده است، کارایی بهتری را از خود نشان داده‌اند. FRAM و MRAM نمونه‌هایی از این نوع حافظه‌ها هستند.

الکترونیک پلیمری: سونی، زیراکس و سایرین آماده‌اند که محصولات الکترونیک لایه نازک را وارد بازار کنند. الکترونیک پلیمری، برخلاف CMOS، از خصوصیات حرارتی بسیار خوبی برخوردار است و هزینه‌ تولید در حجم کم را پایین می‌آورد. این خصوصیات امکان تولید محصولات جدیدی را به وجود می‌آورد. در سال 2006 نمایشگر‌های بزرگ رولی و همچنین برچسب‌های RFID با قیمت پایین تولید خواهد شد که امکان استفاده از آنها برای اجناس یک‌بار‌مصرف فراهم خواهد شد

نانوحسگر: نانوحسگرها نسبت به رقبای خود از آستانه تشخیص بسیار پایین‌تری برخوردارند. آنها قادرند در زمینه کشف امراض بیولوژیک نقش مهمی را ایفا کنند. به گونه‌ای که در مورد اعلام وجود سرطان، از سرعت بسیار زیادی برخوردارند

گزارش NanoMarkets بیانگر این مطلب است که نانوتکنولوژی به‌زودی می‌تواند در مدیریت حرارتی و اتصالات داخلی پر‌سرعت، به میزان قابل‌توجهی کمک نماید. در زمینه اتصالات داخلی پرسرعت می‌توان از نانولوله‌ها استفاده نمود زیرا توانایی آنها در انتقال جریان از مس خیلی بیشتر است و می‌توان آنها را به روش‌های قابل انطباق با CMOS‌ها رشد داد (اینفینئون در سال 2002 این قابلیت را نشان داد). از نانولوله‌ها می‌توان خنک‌کننده‌های بسیار خوبی برای رفع مشکلات حرارتی ساخت (همانند قطعاتی که اینتل از سال 2002 به بعد به کارشان گرفت) و یا می‌توان با ایجاد جرقه بین آنها جریانی از هوای خنک تولید نمود


دانلود با لینک مستقیم


دانلود تحقیق کامل درباره محاسبه انتقال گرما در سطوح نانومقیاس 20 ص

دانلود پاورپوینت در مورد نحوه محاسبه ریسک کنترل

اختصاصی از هایدی دانلود پاورپوینت در مورد نحوه محاسبه ریسک کنترل دانلود با لینک مستقیم و پر سرعت .

دانلود پاورپوینت در مورد نحوه محاسبه ریسک کنترل


دانلود پاورپوینت در مورد نحوه محاسبه ریسک کنترل

دانلود پاورپوینت در مورد نحوه محاسبه ریسک کنترل

فرمت فایل: پاورپوینت

تعداد اسلاید: 23

 

 

 

 

nخطر حسابرسی به معنای احتمال ارائه نظر نا مناسب  درباره صورت های مالی است . موضوع ارزیابی خطر حسابرسی وتاثیر آن درافزایش قابلیت اعتماد اطلاعات منعکس شده در صورتهای مالی از چنان اهمیتی بر خوردار است که انجمنهای حرفه ای پیشگام چون انجمن حسابداران رسمی آمریکا ،انجمن حسابداران خبره انگلستان و ویلز، فدراسیون بین المللی حسابداران وموسسات حسابرسی بزرگ بطور جدی وپیگیر به موضوع خط حسابرسی پرداخته اند .

احتمال خطر حسابرسی در سطح مانده هر حساب به سه احتمال خطر ذاتی ، احتمال خطر کنترل واحتمال خطر عدم کشف تجزیه می شود .

احتمال خطر ذاتی : عبارتست از احتمال رخ دادن یک تحریف با اهمیت در یک حساب با فرض این که برای آن کنترل داخلی وجود نداشته باشد .

احتمال خطر کنترل : عبارتست از احتمال این که سیستم کنترل داخلی صاحبکار نتواند به موقع از رخ دادن یک تحریف بااهمیت پیشگیری یاآن را کشف کند  .

احتمال خطر عدم کشف : احتمال اینکه روشهای  رسیدگی حسابرسان سبب شود  به این نتیجه برسند که تحریف با اهمیتی در حساب وجود ندارد در حالی که حساب مزبور واقعا حاوی تحریف با اهمیت است .


دانلود با لینک مستقیم


دانلود پاورپوینت در مورد نحوه محاسبه ریسک کنترل

تحقیق و بررسی در مورد محاسبه تبخیر و تعرق گیاه آفتابگردان

اختصاصی از هایدی تحقیق و بررسی در مورد محاسبه تبخیر و تعرق گیاه آفتابگردان دانلود با لینک مستقیم و پر سرعت .

تحقیق و بررسی در مورد محاسبه تبخیر و تعرق گیاه آفتابگردان


تحقیق و بررسی در مورد محاسبه تبخیر و تعرق گیاه آفتابگردان

لینک پرداخت و دانلود *پایین مطلب*

 

فرمت فایل:Word (قابل ویرایش و آماده پرینت)

 

تعداد صفحه

 29

برخی از فهرست مطالب

فهرست

 

عنوان                                                                                        صفحه

آفتابگردان................................. 1

تاریخ کشت.................................. 1

روش کاشت................................... 2

آبیاری..................................... 5

تبخیر و تعرق در پوشش گیاهی................. 9

روشهای محاسباتی ETo........................ 11

روش بلانی کریدل محاسبه شده توسط FAO......... 13

محاسبه ضریب گیاهی ......................... 15

محاسبات ................................... 19

نتیجه گیری................................. 23

منابع...................................... 24

 

 


آفتابگردان

امروزه آفتابگردان از نظر مجموع محصول و تجارت جهانی یکی از دانه های روغنی عمده جهان محسوب می شود و احتمالا حتی اهمیت آن باید بیشتر شود. این روند نخست مرهون معرفی ارقام پاکوتاه هیبرید است که میزان بازدهی آنها بالاست. این انواع نه تنها میزان روغن را در هر هکتار افزایش داد بلکه امکان کاشت مکانیزه سودمندتری را فراهم آورد. تاکید بر فواید چربیهای اشباع نشده در غذای انسان، استفاده  از روغن آفتابگردان را در روغهای خوراکی و غذاهی پختنی افزایش داد.

 

تاریخ کشت:

حداقل حرارت لازم برای جوانه زدن بذر آفتابگردان حدود 8 تا 10 درجه سانتیگراد در خاک است. معمولا این حرارتها در خاک با رسیدن میانگین شبانه روزی حرارت هوا به 10 تا 15 درجه سانتیگراد (بسته به عوامل خاک و اقلیم) تامین می گردد. طول فصل رشد مورد نیاز رقم، زمان وقوع اولین سرمای کشنده (حدود2- درجه سانتیگراد ) در پائیز، برخورد دوران گرده افشانی با فعالیت حشرات و فرار دوران گرده افشانی و اوایل دانه بندی از گرمای شدید تابستان(حرارت های ماکزمم بیش از 35 درجه سانتیگراد ) از عوامل تعیین کننده در انتخاب تاریخ مناسب کشت آفتابگردان است.

 

روش کاشت:

آفتابگردان را در شرایط دیم روی بستر مسطح یا داخل جوی کم عمق می کارند. ولی تحت شرایط آبیاری روی پشته کشت می گردد. معمولا کاشت با ردیف کار ذرت انجام می شود. عمق کاشت بذر روب پشته 5 تا 7 سانتیمتر و در روی بستر مسطح 3 تا 5 سانتیمتر می باشد. فاصله ردیفهای کاشت 70 تا 90 سانتی متر و فاصله بین بوته ها 15 تا 30 سانتیمتر مناسبت است. تراکم بوته به روقم، وضعیت رطوبتی


دانلود با لینک مستقیم


تحقیق و بررسی در مورد محاسبه تبخیر و تعرق گیاه آفتابگردان