هایدی

مرجع دانلود فایل ,تحقیق , پروژه , پایان نامه , فایل فلش گوشی

هایدی

مرجع دانلود فایل ,تحقیق , پروژه , پایان نامه , فایل فلش گوشی

تحقیق در مورد یون گیری واکنشی

اختصاصی از هایدی تحقیق در مورد یون گیری واکنشی دانلود با لینک مستقیم و پر سرعت .

تحقیق در مورد یون گیری واکنشی


تحقیق در مورد یون گیری واکنشی


لینک پرداخت و دانلود *پایین مطلب*

 

فرمت فایل:Word (قابل ویرایش و آماده پرینت)

  

تعداد صفحه:98

مقدمه :

یون گیری واکنشی- PECVD- Ashing- پراکنده کردن مایعات- شیمی پلاسمایی- فیزیک پلاسما- عکس العمل سطوح نسبت به یکدیگر

سخنران: Herbert H.Sawin

پروفسور مهندسی شیمی و مهندسی برق و علوم کامپیوتر از مؤسسه علم و صنعت ماساچوست (MIT)، شهر کمبریج، MA

 

پیشنهادهای فهرست شدة سمینار:  July 8-12,2002کمبریج، ماساچوست

  • ارزیابی های سمینار
  • معرفی سمینار
  • طرح کلی سمینار
  • شرح حال و تحقیقات جاری هرب ساوین
  • زمینه ها و خصوصیات خواسته شده از ثبت نام کنندگان
  • روند کار و نوع سمینار
  • اطلاعات برای ذخیره جا در هتل
  • اطلاعات ثبت نام
  • آموزش در سایت
  • یادداشتهای نمونه سمینار
  • مقالات اخیر ساوین
  • تماس ها برای سوالات
  • ثبت نام در وب سایت
  • اطلاعات ناحیة بوستون
  • سوابق آقای ساوین


 

مقدمه :

 

پیشنهادهای فهرست شدة سمینار:  July

 

1-معرفی

 

2-سیفتیک گازی (Gas Kinetics)

 

3-فیزیک پلاسما

 

4-تخلیه های مدار مستقیم (DC)

 

5-تخلیه های Rf

پیکره بندی و سخت افزار رآکتور طیف نگاری تخلیه اپتیکی

8-الکترون گیری جلوه ها

 

9-مدل سازی سه بعدی از عوارض زمین و عوارض جغرافیایی

 

10-تخریب پلاسما

 

11-فرآیندهای اتم گیری

 

12-جابجایی

 

13-پردازش کار با پلاسما در سطو بزرگ

 

14-رآکتورهای لایه لایة ستونی ماکروویو که در فشارهای بالا عمل می کنند

 

15-فرآیند پلاسمای غیر میکروالکترونیک

 

معرفی سمینار (همایش)

نقطه نظر (موضع) یا موضوع مورد بحث سمینار

شرح حال و تحقیق اخیر آقای Herb Sawin

 

قسمتهایی که در آزمایشگاه «Sawin» مورد تحقیق هستند شامل:

مقالات نمونه در سمنیار         Sample Seminar Notes

«بارگذاریهای آزمایشی»

 

«مواد مرکب»

 

مقالات اخیر هرب ساوین

 

مراجع

 

 

 


دانلود با لینک مستقیم


تحقیق در مورد یون گیری واکنشی

پایان نامه درباره یون گیری واکنشی

اختصاصی از هایدی پایان نامه درباره یون گیری واکنشی دانلود با لینک مستقیم و پر سرعت .

پایان نامه درباره یون گیری واکنشی، فرمت ورد، تعداد صفحه69

مقدمه:

تقریباً 40% از مراحل ساخت و تکمیل در صنعت میکروالکترونیک از فرایندهای پلاسما استفاده می کنند. کاربردها در میکرومکانیک، صفحه نمایش های تخت، تغییر سطوح (تصحیح سطوح)، تمیز کردن، استرلیزه کردن ایجاد پوشش(لایه) با پاشیدن مایع، و قسمتهای متنوع و بیشمار دیگر به سرعت در حال رشد و توسعه زیاد بر مبنای توسعة تکنولوژیکی هستند که برای فرآیندهای میکروالکترونیک (پردازش میکرو الکترونیکی) ساخته می شوند. درک اساسی (مبنای) پردازش (فرآیند) پلاسما(یی) اکنون همین قدر کافیست که مدل ها و نمونه های پلاسمایی بسان (در شکل) ابزارهایی برای فرایندها و روش تولید پلاسمای و ابزار پلاسمایی، ساخته و پرداخته می شوند و جلوه می کنند، همچنانکه مشکلات فرآیند رفع عیب از روی علت، خودنمایی می کنند. در کل رفع اشکالات (عیب یابی) پلاسما اکنون ابزاری شده همانگونه که نشان دهنده های فرآیند ابزارهای عیب یابی و تجسس (بازرسی) و کنترل کننده های فرایند (مراحل انجام کار)، در نقش توسعة قابلیت اعتماد و انعطاف پذیری مراحل انجام کار.

 

فهرست:

  • ارزیابی های سمینار
  • معرفی سمینار
  • طرح کلی سمینار
  • شرح حال و تحقیقات جاری هرب ساوین
  • زمینه ها و خصوصیات خواسته شده از ثبت نام کنندگان
  • روند کار و نوع سمینار
  • اطلاعات برای ذخیره جا در هتل
  • اطلاعات ثبت نام
  • آموزش در سایت
  • یادداشتهای نمونه سمینار
  • مقالات اخیر ساوین
  • تماس ها برای سوالات
  • ثبت نام در وب سایت
  • اطلاعات ناحیة بوستون
  • سوابق آقای ساوین


1-معرفی

  • فیزیک پلاسما
  • فرآیند ریزالکترونیک

2-سیفتیک گازی (Gas Kinetics)

  • مدل سیفتیک گازی
  • مدل توزیع ماکسول- بولتزمن
  • مدل گازی ساده شده
  • محتوای انرژی
  • نرخ برخورد بین مولکولها
  • مسیر آزاد
  • سیالیت عددی ذرات گاز روی یک سطح
  • فشار گازی
  • خواص انتقال
  • جریان گاز
  • وضعیت سیال
  • رسانایی رساناها
  • احتمال برخورد
  • پراکندگی گاز- گار
  • پراکندگی ذره از یک آرایش ثابت
  • انتشار ارتجاعی
  • برخورد غیر ارتجاعی
  • نمونه های فرآیندهای برخورد غیر ارتجاعی
  • عکس العمل های فاز- گازی

3-فیزیک پلاسما

  • توزیع انرژی الکترونی
  • سینتیک همگونی پلاسما
  • مدل توزیع (مارجینوا)
  • مدل توزیع (دروی وشتاین)
  • انتقال ذره باردار شده و باردار شدن فضایی
  • سینتیک گاز رقیق شده
  • شکافت انتشار دو قطبی
  • تجمع غلاف
  • سینتیک سادة غلاف
  • حفاظت یا پوشش «دیبای»
  • تجمع غلاف و آزمایش بوهم (Bohm)
  • آزمایش غلاف بوهم
  • خصوصیات میلة آزمایش
  • شکست و نگهداری، تخلیة rf
  • تقریب میدان مشابه
  • تقریب میدان غیرمشابه
  • مدل سازی ئیدرودینامیک خودساختة تخلیة rf
  • اندازه گیری تخریب rf
  • مدل توازن الکترونیکی
  • مقایسة تخریب rf اندازه گیری شده و محاسبه شده
  • ارائه مدل به سبک مونت کارلوی تخلیة rf
  • خود با یا سنیگ rf (تجمع خودبخودی rf)
  • سیستم همگن (متقارن)
  • توزیع ولتاژ در سیستم rf
  • توزیع ولتاژ در پلاسمای خازنی rf متقارن و غیر متقارن
  • مدار معادل تخلیة rf
  • تنظیم الکترودها
  • سینتیک بمباران یونی
  • تخلیة اپتیکی
  • لم اندازه گیری حرکت
  • ریزنگاری تخلیة اپتیکی
  • فرآیند برخورد الکترون
  • برخورد الکترونی اکسیژن در پلاسما

 

4-تخلیه های مدار مستقیم (DC)

  • امیژن ثانویه الکترون در بمباران یونی
  • بمباران خنثی امیژن ثانویه
  • عمل فتوامیژن الکترونهای ثانوی
  • ناحیة کاتدی
  • یونیزاسیون در غلاف
  • توزیع انرژی یونها
  • الکترونهای اشعه ای (الکترونهای سریع)
  • ناحیة آند
  • مدل سازی پلاسمایی DC

5-تخلیه های Rf

  • فیزیک پلاسمای rf خازنی
  • فیزیک تخلیه RF که بصورت القایی فردوج شده اند.
  • فیزیک تخلیه رزونانس الکترون- سیلکوترون
  • فیزیک تخلیة هلیکون

 

پیکره بندی و سخت افزار رآکتور

  • همگن کردن شبکه ها و تنظیم کننده ها
  • شبکه های الکترونیکی همسان ساده شده
  • تنظیم کننده های موج کوتاه
  • رآکتورهای لوله ای
  • رآکتورهای صفحه موازی (دیودی)
  • رآکتورهای صفحه موازی نامتقارن
  • گیرندگان یون واکنشی
  • گیرندگان واکنشی یون که بطور مغناطیسی افزایش یا رشد یافته اند.
  • گیرندگان اشعه یون واکنشی
  • بایاسینگ جریان مستقیم در گیرندگان نمادین
  • گیرندگان دیودی ارتجاعی
  • رآکتورهای تریودی
  • بایاسینگ Rf
  • محدود کردن مغناطیسی چند قطبی
  • منابع پلاسمای غیر قابل دسترسی
  • ECR توزیع شده
  • منابع در حال جریان نزولی
  • ماگنترولها
  • مونتاژ کردن لایه لایه ای
  • تبرید برگشتی هلیوم
  • محکم کاری الکترواستاتیک
  • جستجوی نقطة نهایی
  • تجزیه و تحلیل تخلیة اپتیکی
  • ثبت حرکات تداخلی
  • ثبت لیزری امواج یا حرکات تداخلی
  • مونیتورینگ یا مشاهده امپدانسی
  • فاز گازی
  • تولید اتم اکسیژن
  • بارگزاری رآکتورها
  • واکنشهای سطحی
  • شیمی لایه هایی که خود بخود واکنش دارند.
  • ارتقاء پلمیری
  • سینتیک مواد نشتی یا رطوبت ده
  • الکترون گیری شیمیایی فزاینده یونی
  • اتمهایی که با گرفتن یون ارتقاء پیدا می کنند مثل Cl و Cl+
  • پراکندگی و جایگزی حاصل الکترون گیری مثل
  • مدلهای سینتیک الکترون گیری پلی سیلیکون
  • الکترونگیری پلی سیلیکون مرتب شده
  • الکترون گیری اکسید که توسط یون زیاد شده
  • الکترون گیری ضد نور که توسط یون زیاد شده
  • مقایسه مواد شیمیایی ارتقاء یافته با یون و بستهای الکترون گیری خود بخود شیمیایی.
  • توده نگاری میکروسکوپی
  • میلة آزمایش لانگ میر
  • فلورسنت القایی با لیزر
  • تحلیل امپدانس پلاسمایی
  • ثبت تداخل با لایه های کاملاً چسبیده

طیف نگاری تخلیه اپتیکی

8-الکترون گیری جلوه ها

  • ده مبارزه برتر الکترون گیری
  • مکانیزمهای گسترش مقطعی
  • جهت دار شدن بمباران یونی از پلاسما
  • پراکندگی یونی در جوله های خاص
  • تغییر سطوح در جلوه های ویژه
  • الکترون دهی و الکترون گیری با پراکندگی
  • اتم گیری با القاء یونی
  • اتم گیری خودبخود
  • جابجایی نمونه ها و فعال ها از پلاسما
  • جابجایی مجدد بوسیلة خط دید تولیدات
  • شکست
  • جاذبة بالقوة تصویر با دیواره های هدایت پذیر (رسانا)
  • نسبت منظری الکترون گیری وابسته
  • تجمع نامتقارن در الکترون گیری پلی سیلیکونی و فلزات

9-مدل سازی سه بعدی از عوارض زمین و عوارض جغرافیایی

  • مدل سازی سطحی ساده شده
  • خصوصیات شبیه ساز مونت کارلو
  • مصرف جذب شدن در سطوح عمل متقابل به هم در سطوح
  • پراکندگی یکنواخت و غیریکنوخت
  • انتشار فیزیکی و الکترون گیری با یون فزاینده
  • پراکندگی از قسمت سطح منبع
  • ارتقاء کیفیت سطحی
  • مقایسة نتایج آزمایشی و مدل سازی
  • تجمع شکافتهای میکروسکوپی به وسیلة پراکندگی یونها
  • پراکندگی یونی
  • جهت دار شدن یونی
  • زاویة ماسک
  • ترکیب مجدد سطحی
  • جابجایی از پلاسما
  • تأثیر تغییر مکان بر وضع ظاهری
  • خشن کردن سطوح در حین اتم گیری

10-تخریب پلاسما

  • آلودگی
  • خصوصیات منحصر به فرد
  • تخریب دروازه با اکسید شدن- ذرات پوز
  • تخریب دروازه با اکسید شدن- فشار الکتریکی
  • تخریب چهارچوبها و قابها
  • خوردگی بعد از اتم گیری

11-فرآیندهای اتم گیری

  • الکترون گیری و الکترون دهی اعضا
  • پلی سیلیکون
  • الکترون گیری دروازه ای
  • الکترون گیری اکسیدی
  • الکترون گیری نیتریدی
  • الکترون گیری دی الکتریک با K پائین
  • الکترون گیری آلومینیوم
  • الکترون گیری مس

12-جابجایی

  • انتشار
  • جرقه ها، قوس های الکتریکی، بی ثباتی ها
  • جابجایی انتشار بایاس
  • تنظیم با خط صحیح دید
  • منابع رطوبت ده با غلظت بالا
  • ترکیب و آلیاژ
  • جابجایی انتشاری عکس العملی
  • مقدمه چینی برای هدف
  • جابجایی بخار متصاعد شیمیایی پلاسما
  • وسایل و تجهیزات مربوط به VD
  • تمیز کردن اطاقک واکنش
  • عملیات آزمایشی PECVD و ماهیت
  • نیترید سیلیکون
  • دی اکسید سیلیکون
  • آکسی فلورید یدهای سیلیکون
  • اکسیدهای سیلیکون و کربن
  • لایه های پرفلور و کربن

13-پردازش کار با پلاسما در سطو بزرگ

  • جدای یک منبع با فاصله از یک لایه زیرین
  • استفاده از منابع پلاسمای با فاصله و آرایش یافته
  • مقیاس گذاری منابع پلاسما
  • منابع پلاسمای خطی
  • منابع جاری پلاسما

14-رآکتورهای لایه لایة ستونی ماکروویو که در فشارهای بالا عمل می کنند

  • وسایل عمل آزمایشی
  • آزمایشات
  • مشخص کردن خصوصیات فرآورده های بعدی
  • مکانیزم پیش بینی شده برای کاهش
  • استفاده از واحد کاهنده در تأسیسات ساختن (تولید) مدار جامع (IC)
  • کاهش PFCهای دیگر
  • جمع بندی
  • کاهش پیودهای اندوکسیونی با پلاسما
  • سابقه
  • خلاصة نتایج
  • نمرة تحقیقات و نتایج
  • محاسبات سینیک شیمیایی
  • رآکتورهای کاهنده تجارتی
  • رآکتورهای کاهنده تجارتی موج سطحی

15-فرآیند پلاسمای غیر میکروالکترونیک

  • استرلیزه کردن با پلاسما
  • صفحة مدار چاپی از نوع دوتایی که با چسب به هم متصل می شوند
  • مراحل پردازش میکرومکانیکی
  • الکترون گیری عمیق چندگانه ای زمانی
  • الکترون گیری Si در سیستم STS
  • نسبت الکترون گیری
  • نسبت منظری پیامد الکترون گیری RIE وابسته
  • نسبت الکترون گیری ضد نور
  • متحدالشکل بودن
  • عوامل تقویت کننده

16-ضمیمه

17-مرجع ها


دانلود با لینک مستقیم


پایان نامه درباره یون گیری واکنشی

دانلود مقاله ISI رفتار واکنشی برای رباتیک تلفن همراه از طریق محیط شبیه سازی گرافیکی

اختصاصی از هایدی دانلود مقاله ISI رفتار واکنشی برای رباتیک تلفن همراه از طریق محیط شبیه سازی گرافیکی دانلود با لینک مستقیم و پر سرعت .

موضوع فارسی :رفتار واکنشی برای رباتیک تلفن همراه از طریق محیط شبیه سازی گرافیکی

موضوع انگلیسی :<!--StartFragment -->

Reactive behavior for mobile robotic through graphic simulation environment

تعداد صفحه :5

فرمت فایل :PDF

سال انتشار :2011

زبان مقاله : انگلیسی

 

چکیده
نرم افزار های رباتیک در داخل کار اتوماسیون مهم است. از این رو، این مقاله از اجرای یک محیط گرافیکی برای شبیه سازی رفتار واکنشی برای روبات های تلفن همراه. معماری و اولیه ویژگی به منظور نشان دادن اهمیت ابزار قادر به شبیه سازی عملیات برای روبات های تلفن همراه در حال توسعه است. کشش موتور و سنسور رفتار واکنشی در پلت فرم رباتیک واقعی اجرا شده است. از سوی دیگر، شبیه سازی برای این ویژگی است که در محیط مجازی توسعه یافته است. نتایج جالب در هر دو، شبیه سازی و پلت فرم واقعی معرفی شده اند.


دانلود با لینک مستقیم


دانلود مقاله ISI رفتار واکنشی برای رباتیک تلفن همراه از طریق محیط شبیه سازی گرافیکی

برنامه های واکنشی موثر به ریسک های کلیدی در پروژه های خطوط انتقال آب

اختصاصی از هایدی برنامه های واکنشی موثر به ریسک های کلیدی در پروژه های خطوط انتقال آب دانلود با لینک مستقیم و پر سرعت .

یکی از مشکلات اساسی در پروژه های عمرانی بروز تاخیر در پروژه است. انجام پروژه ها در زمان مقرر و با اجرای بدون تاخیر آن ها یکی از شاخص های اصلی در ارزیابی موفقیت پروژه های می باشد. هدف از این تحقیق شناسایی ریسک های موثر در پروژه های خطوط انتقال آب و ارائه راهکارر جهت مدیریت ریسک می باشد. برای این منظور در یک مطالعه موردی عوامل تاخیر پروژه های لوله گذاری استان کردستان شناسایی و اولویت بندی شده و مهمترین آنها استخراج گردید. سپس جهت بررسی دیدگاه افراد که مستقیما در پروژه دخیل هستند تحقیق زمینه یابی با تکیه بر یک پرسشنامه محقق ساخته شده به شکل میدانی انجام شد و علاوه بر دسته بندی و اولویت بندی عوامل تحلیل روابط بین عوامل اصلی بوجود آوردنده تاخیر و ارائه راهکارهایی جهت مدیریت و کاهش تاخیر انجام گردید. عوامل تاخیر ات بر اساس متدولوژی شش مرحله ای و فرآیند تحلیلی سلسله مراتبی در پنج نهاده کارفرما مشاور پیمانکار و عوامل مستقل لوله گذاری و سایر عوامل خارجی اولویت بندی گردید. با توجه به نتایج حاصل از تجزیه و تحلیل داده ها میزان تاثیر هر یک از ریسک های شناسایی شده بر اهداف پروژه زمان هزینه کیفیت شناسایی می شود از مهمترین ریسک های تاثیرگذار بر اهداف اصلی پروژه که اکثر عوامل درگیر در پروژه در مورد اهمیت بسیار زیاد آنها اتفاق نظر دارند ریسک های زمانی از جمله برنامه ریزی ضعیف پیمانکار جهت اجرای پروژه عدم آشنایی با مدیریت برنامه ریزی و کنترل پروژه و ریسک های مالی از جمله افزایش تورم و ریسک های کیفیتی از جمله ریزش کانال حفاری شده و ریزش برداری مجدد آن می باشد. بنابراین برای شناسایی تاخیرات توجه به منطق تاثیرگذار لازم و ضروری است در نهایت با برگزاری جلساتی توسط صاحب نظران و مطالعات پروژه های مشابه و پژوهش های علمی مرتبط در این زمینه راهکارهای مدیریتی جهت پیشبرد اهداف و کاهش ریسک های منفی که بر تاخیر در پروژه های لوله گذاری تاثیر دارند ارائه گردید.

 

سال انتشار: 1392

تعداد صفحات: 11

فرمت فایل: pdf


دانلود با لینک مستقیم


برنامه های واکنشی موثر به ریسک های کلیدی در پروژه های خطوط انتقال آب