دانلود مقاله ژئوتکنیک رفتار و ویژگیهای خاک

اختصاصی از هایدی دانلود مقاله ژئوتکنیک رفتار و ویژگیهای خاک دانلود با لینک مستقیم و پر سرعت .

مقدمه

در رشته مکانیک خاک و مهندسی پی یا ( ژئوتکنیک ) ، تعیین مشخصات خاک تعریفی از چگونگی رفتار و ویژگیهای خاک از اهمیت زیادی برخوردار است . در کارهای عمومی که غالباً با خاک سروکار داشته و مجبور به تصرف در وضعیت موجود آن هستیم ، لازم است توانایی خاک برای تحمل بارهای وارده از سوی ما و نیز قابلیت آن به عنوان یک مصالح در روبرو شدن با حالات و شرایط متفاوت مورد بررسی و ارزیابی قرار گیرد . تمام این مطالب ما را به تعریف آزمایشهایی برای تعیین خواص مکانیکی و مقاومتی خاک و نیز احیاناً ویژگیهای فیزیکی آن رهنمون می سازد کشورهای مختلف سعی کرده اند آزمایشهای لازم را بصورتی ثابت تعریف کنند تا قابل استفاده در محلهای مختلف باشد و بتوان از نتایج آن برای مقایسه و نیز انجام کارهای پژوهشی سود و نیز از خطاهای دستگاهی و ... احتراز جست . اکنون تقریباً این آزمایشها به صورت ثابتی تعیین شده اند ، اگر چه ، پیشرفت تکنیک حساسیت ، دقت و یا سرعت آنها افزایش یافته است ولی تغییرات زیادی پیدا نکرده اند . البته ممکن است برای موارد خاصی ، آزمایشهای خاصی نیز ابداع شود . به هر حال در این کتاب با توجه به نیازهای پروژه های عمرانی درگیر با خاک بهتعیین ویژگیهای مقاومتی خاک ، آزمایشهایی ذکر شده است . این آزمایشها عمدتاً آزمایشگاهی و بنابراین کوچک مقیاس بوده و برروی نمونه های کوچکی از خاک انجام شده و مشخصات لازم را تعیین می کنند . در کنار این آزمایشها ، آزمایشهای صحرایی نیز وجود دارند که در پروژه های مهم و حساس وجود آنها ناگزیر و به طور کلی نتایج اطمینان بخش تری را به ما خواهند داد .

هر چند هزینه انجام آنها قابل مقایسه با نمونه ها‌ی آزمایشگاهی نیست .

در این کتاب دانشجو با این آزمایشها آشنا خواهد شد و با تمرین و انجام آنها به توانایی نسبتاً خوبی در انجام آزمایش و تحلیل نتایج آن دست خواهد یافت . البته دانشجو باید چگونگی استفاده از این نتایج را در امر طراحی نیز بیاموزد . کتب نظری مکانیک خاک و مهندسی «‌پی » تا حدود زیادی وی را در این امر یاری خواهند کرد .

 اساس این کتاب بر محور کتابی است از Braja M.Das به نام

Soil Mechanics Laboratory Manual

که سه فصل (18.19.20) بر‌آن افزوده شده است . ضمناً با توجه به وجود نرم افزار کامپیوتری در کتاب فوق تصمیم گرفته شد که بهمراه این کتاب در صورت تمایل نرم افزار مذکور نیز در اختیار علاقه مندان قرار گیرد .

امید است این تلاش مورد استفاده دانشجویان محترم و عزیز این مرز و بوم الهی قرار گیرد و در ارتقاء دانش آنها موثر و مفید افتد .

آزمایشهای آزمایشگاهی و تهیة گزارش

...

25 ص فایل Word

Kahoot is the advanced methods of American education

اختصاصی از هایدی Kahoot is the advanced methods of American education دانلود با لینک مستقیم و پر سرعت .

Kahoot is the advanced methods of American education

با متن کامل ترجمه فارسی

روش نوین تدریس امریکایی و اروپایی 2016

پروژه برنامه نویسی ضرب چند جمله ای ها با استفاده از زبان ++C به صورت لیست پیوندی

اختصاصی از هایدی پروژه برنامه نویسی ضرب چند جمله ای ها با استفاده از زبان ++C به صورت لیست پیوندی دانلود با لینک مستقیم و پر سرعت .

این پروژه با زبان ++C نوشته شده است و برای ضرب تمامی چند جمله ای ها استفاده می شود در این پروژه از لیست پیوندی استفاده شده است و کارکرد آن به این صورت است که ابتدا تک تک جمله ها را وارد کرده و در انتها گزینه ضرب را انتخاب میکنیم تا حاصل را به ما نشان دهد . در این پروژه از یک منوی شش گزینه ای استفاده شده است .

1- اضافه کردن جمله اول

2- اضافه کردن جمله دوم

3- نمایش جمله اول

4- نمایش جمله دوم

5- ضرب

6- خروج 

این برنامه حالتی طراحی شده که حتی عملگرها را نیز محاسبه می کند .

تحقیق احداث باغ در اراضی شیبدار

اختصاصی از هایدی تحقیق احداث باغ در اراضی شیبدار دانلود با لینک مستقیم و پر سرعت .

دسته بندی : فنی و مهندسی  _ کشاورزی و زراعت 

فرمت فایل:   doc ( قابلیت ویرایش ) 

حجم فایل:  (در قسمت پایین صفحه درج شده)

تعداد صفحات :  18

کد محصول : 1KZ

فهرست متن Title : 

فهرست

عنوان

صفحه

مقدمه

فرسایش خاک

نقش هوموس و پوشش گیاهی در جلوگیری از فرسایش خاک در اراضی شیبدار

سکوبندی

تراس های آبراهه ای

انواع تراسهای آبراهه ای

تراسهای آبراهه های با نیمرخ   V شکل

تراسهای آبراهه ای با نیمرخ نرمال

روش ساختن تراسهای آبراهه ای

چگونگی پیاده کردن طرح تراسهای آبراهه ای

روش نگهداری و مراقبت از تراسها

تراسهای سکویی یا پله ای

تراسهای سکویی قائم

تراسهای سکویی مایل

روش تثبیت شیبهایی که در آنها لغزش زمین وجود دارد

چپربندی برای تثبیت شیبها

استفاده از قلمه برای تثبیت شیبها

آبیاری بارانی سیستم قابل حمل با دست

سیستم شیلنگ کشی

سیستم ثابت دائمی

روش آبیاری بابلر

آبیایر بوسیله آبراه های تراس

آبیاری قطره ای

سیستم کوددهی

بعضی از مسائل کاشت گیاهان در اراضی شیبدار

بحث و نتیجه گیری

فهرست منابع مورد استفاده

قسمتی از محتوای متن :

بسم الله الرحمن الرحیم

مقدمه

با توجه به اینکه بیشتر زمینهای مستعد کشور ما در دامنه ها و کوهپایه ها قرار دارند و از طرفی دیگر چون ایران یک کشور بسیار مناسب از لحاظ تولید محصولات باغی است بنابراین باید راهکاری ارائه شود تا بتوان به نحو بسیار خوب از این اراضی استفاده کرد. در اینجا موضوع دیگر مهمی که خودنمایی می کند موضوع فرسایش خاک است زیرا اگر این بهره برداری از اراضی شیبدار به نحو محاسبه شده ای نباشد می تواند ضربه بسیار سنگینی به کشور و سرمایه ملی کشور وارد کند و نسل بعد را با یک خاک فقیر و از بین رفته روبرو کند.

فرسایش خاک –

نقش هوموس و پوشش گیاهی در جلوگیری از فرسایش خاک در اراضی شیبدار.

پوشش گیاهی و هوموس در جلوگیری از فرسایش بسیار مؤثر است. هوموس نفوذپذیری خاک را افزایش می دهد و از شدت جریان آبی می کاهد. افزایش هوموس به دو طریق انجام می شود. 1- افزایش هوموس از طریق دادن کود حیوانی بقایای گیاهی مانند کاه و کلشن و غیره 2- افزایش هوموس بطور غیرمستقیم از طریق دادن کود شیمیایی و تقویت زمین و غیره. در بعضی از شیب ها با درجه کم یا ایجاد پوشش گیاهی می توان از فرسایش خاک جلوگیری کرد.

سکوبندی:

به سکو در زبان فرانسه Terrasse و در زبان انگلیسی Trasse می گویند.

سکوبندی در نواحی شیب دار صورت می گیرد و منظور از ایجاد سکو از بین بردن شیب زمین بوسیله پله بندی است چون غرض از مبارزه با فرسایش آبی جلوگیری از شدت جریان آب در سطح زمین و نفوذ دادن بیشتر آن در خاک است. دامنة کوه ها را که ممکن است شیب ملایم داشته باشد، به صورت پله های پهن یا تختهایی که همان سکو باشد درمی آوردند و سطح هر پله را هموار می کنند تا آبهای جاری نتواند به کمک شیب زمین به شدت جریان یابد به این وسیله آبها در سکوها یا زمینهای تخت شده جمع می شود که در نتیجه بهتر و بیشتر در زمین نفوذ می کند.

• تراس های آبراهه ای Greded terreces

برای ساختن تراس های آبراهه ای قسمتی از دامنه را در امتداد خطوط تراز خاکبرداری کرده، در پائین شیب بصورت پشته ای قرار می دهند مقطع عرضی تراس ها شبیه مقطع یک آبراه می شود.

انواع تراس های آبراهه ای:

تراس های آبراهه ای را بر حسب شیب زمین می توان به دو گروه تقسیم کرد

الف) تراس آبراهه ای با شیب زیاد: این تراس ها معمولاً برای کشت درختان میوه و با جنگلکاری به کار می روند. معمولاً در حد واسط تراس ها علوفه کشت می شود.

انواع این تراس به شرح ذیل می باشد.

(توضیحات کامل در داخل فایل)

متن کامل را می توانید بعد از پرداخت، آنی دانلود نمائید، چون فقط تکه هایی از متن به صورت نمونه در این صفحه درج شده است.

همچنان شما میتوانید قبل از خرید با پشتیبانی فروشگاه در ارتباط باشید، و فایل مورد نظر خود را اخذ نمایید.

311-جزوه درس طراحی سامانه های VLSI -دانشگاه صنعتی امیر کبیر-دکتر شالچیان

اختصاصی از هایدی 311-جزوه درس طراحی سامانه های VLSI -دانشگاه صنعتی امیر کبیر-دکتر شالچیان دانلود با لینک مستقیم و پر سرعت .

311-جزوه درس طراحی سامانه های VLSI -

دانشگاه صنعتی امیر کبیر

دکتر شالچیان

تایپ شده و مرتب در دو قسمت134+133 صفحه -فارسی- pdf

فصل اول: مقدمه .............................................................................................................. 1
2 ..............................................................................................................VLSI 2.2 چیستی و اهمیت فن آوری
1 ....................................................................................................................... VLSI 2.1 تاریخچه فن آوری
به عنوان اصلی ترین محرک توسعه فن آوری مدار های مجتمع ............................................. 8 CMOS 2 فن آوری . 1. 2
1 مقیاس تراکم ترانزیستور ها در مدار های مجتمع ............................................................................... 21 . 1. 2
9 عوامل موثر در توسعه گسترده فن آوری طراحی مدار های مجتمع دیجیتال ........................................... 21 . 1. 2
9.2 مروری بر مطالبی که در این درس ارایه می شود .................................................................................... 29
4.2 ارایه تصویر کلی از موضوعات درس در قالب یک مثال )تکمیلی( ............................................................. 21
11................................................................................................ VLSI 1.2 شاخص های مهم در ارزیابی مدار های
2 قیمت .................................................................................................................................... 12 . 1. 2
1 سرعت یا کارایی ......................................................................................................................... 19 . 1. 2
9 قابلیت اعتماد ............................................................................................................................ 14 . 1. 2
4 مصرف توان و انرژی ................................................................................................................ 12 . 1. 2
92 ........................................................................ VLSI فصل دوم : فن آوری ساخت و جانمایی مدار های
2.1 مقدمات ساخت مدار های مجتمع ........................................................................................................... 13
2 ویفر سیلیکان ............................................................................................................................ 13 . 2. 1
92........................................................................................................... (clean room) 1 اطاق تمیز . 2. 1
1.1 فن آوری های پایه مورد استفاده در ساخت .............................................................................................. 92
2 فتولیتوگرافی ............................................................................................................................. 92 . 1. 1
99.................................................................. (Diffusion and Ion Implantation) 1 نفوذ و کاشت یونی . 1. 1
99.......................................................................................................... (oxidation) 1.1.9 اکسیداسیون
94.......................................................................................................... (deposition) 1.1.4 لایه نشانی
94.............................................................................................................. (etching) 1.1.1 لایه برداری
91........................................................................................................... (planarization) 1.1.2 تسطیح
91........................................................................................................................ CMOS 9.1 فرآیند ساخت
92 .................................................................................................... N-WELL : 2 گام فتولیتوگرافی اول . 9. 1
1.9.1 گام فتولیتوگرافی دوم: ناحیه فعال ............................................................................................. 92
9.9.1 مرحله تشکیل گیت ترانزیستور ها ............................................................................................ 98
93....................................................................................

NMOS 4 نواحی سورس و درین ترانزیستور های

1.9.2 مرحله ایجاد پنجره کنتاکت های اتصال به ترانزیستور ها ............................................................. 41
1.9.2 مرحله ایجاد اتصال میانی با لایه فلز ......................................................................................... 41
4.1 جانمایی مدار های مجتمع .................................................................................................................... 49
2 لایه های مورد استفاده در جانمایی ................................................................................................... 49 . 4. 1
1 بر قراری اتصال بین لایه ها ............................................................................................................. 41 . 4. 1
9 قواعد طراحی .............................................................................................................................. 42 . 4. 1
4 نمونه های از قواعد طراحی ........................................................................................................... 42 . 4. 1
1 جانمایی ترانزیستور ...................................................................................................................... 48 . 4. 1
1.1 تولید بدون کارخانه ............................................................................................................................ 11
2.1 بسته بندی مدار های مجتمع )تکمیلی( .................................................................................................. 11
55 ............................................................ [2] MOSIS پیوست فصل دوم: تعدادی از قواعد طراحی شرکت
46 ........................................................................................ MOSFET فصل سوم : مدل ترانزیستور
21 ............................................................................................................................ P-N 2.9 یادآوری پیوند
28 .................................................................................................... MOSFET 1.9 ساختار و عملکرد ترانزیستور
2 ولتاژ آستانه ترانزیستور ................................................................................................................ 23 . 1. 9
1 هدایت کانال در ناحیه خطی ........................................................................................................... 21 . 1. 9
9 هدایت کانال در ناحیه اشباع ........................................................................................................... 29 . 1. 9
4 اثر مدولاسیون طول کانال ............................................................................................................. 21 . 1. 9
1 هدایت کانال کوتاه و اشباع سرعت .................................................................................................. 21 . 1. 9
2 مدل ساده کانال کوتاه با تقریب برای تحلیل دستی ............................................................................... 28 . 1. 9
28........................................................................................ MOS 2.1.9 مشخصه جریان - ولتاژ ترانزیستور
8 هدایت زیر آستانه )تکمیلی( .......................................................................................................... 81 . 1. 9
3 مدل یکپارچه و ساده برای تحلیل دستی ............................................................................................ 82 . 1. 9
9.9 مدل دیجیتال ترانزیستور ..................................................................................................................... 89
2 مدل سوییچ مقاومتی در تحلیل پویای مدار های دیجیتال ....................................................................... 89 . 9. 9
81............................................................................................................. MOS 1.9.9 خازن های ساختار
9.9.9 خازن های پیوند .................................................................................................................... 82
83.......HSPICE و تحلیل با نرم افزار BSIM3V 4.9 مدل 3
29 ................................................................................................... CMOS فصل چهارم : وارونگر
34................................................................................................................ CMOS 2.4 تحلیل ایستای وارونگر

2 عملکرد وارونگر ......................................................................................................................... 34 . 2. 4
1 مشخصه انتقالی وارونگر ............................................................................................................... 32 . 2. 4
9 تحلیل پارامتری ولتاژ آستانه سوییچینگ ........................................................................................... 33 . 2. 4
4 تحلیل پارامتری حاشیه نویز ......................................................................................................... 211 . 2. 4
1 نکات تکمیلی.......................................................................................................................... 211 . 2. 4
211 ............................................................................................................... CMOS 1.4 تحلیل پویای وارونگر
2 محاسبه مولفه های خازن بار ........................................................................................................ 212 . 1. 4
1.1.4 تحلیل تاخیر انتشار .............................................................................................................. 222
9 بررسی تاثیر پارامتر های طراحی روی تاخیر دریچه وارونگر ......................................................... 221 . 1. 4
4 طراحی وارونگر با هدف بهینه کردن تاخیر .................................................................................... 224 . 1. 4
1 تاثیر تغییر اندازه ترانزیستور های وارونگر به یک نسبت روی تاخیر ................................................ 221 . 1. 4
2.1.4 سایز بندی زنجیره وارونگر ها .............................................................................................. 222
2 انتخاب تعداد طبقات در زنجیره وارونگر ها ................................................................................... 228 . 1. 4
223 .................................................................................................. CMOS 9.4 انرژی و توان مصرفی در وارونگر
2 تلفات پویای ناشی از سوییچینگ خازنها ......................................................................................... 211 . 9. 4
1 تلفات پویای ناشی جریان مستقیم در زمان سوییچینگ ....................................................................... 211 . 9. 4
9 تلفات ایستا ............................................................................................................................. 211 . 9. 4
4 معادله کامل توان ...................................................................................................................... 212 . 9. 4
212 ................................. PDP: Power-Delay Product ) 1 حاصلضرب توان – تاخیر )انرژی بازای یک عملیات . 9. 4
212 ............................................................... EDP: Energy Delay Product 2.9.4 حاصلضرب انرژی در تاخیر
218 .......................................................................................... HSPICE 2 نحوه محاسبه توان در نرم افزار . 9. 4
پیشرفته( ......................................................................... 218 ( CMOS 4.4 تاثیر کاهش مقیاس فن آوری روی وارونگر
مراجع .......................................................................................................... 191

فصل پنجم: گیت های ترکیبی CMOS ........................................................................................... 1
3 گیت های . 5 CMOS مکمل ایستا ...................................................................................................... 2
3 ساختار کلی و نکات مهم . 3. 5 ..................................................................................................... 2
2 مشخصه انتقالی گیت های مکمل ایستا . 3. 5 .................................................................................... 7
1 تاخیر انتشار گیت های مکمل ایستا . 3. 5 ........................................................................................ 8
4 چالش های طراحی گیت های مکمل ایستا . 3. 5 .............................................................................. 33
5 روش های طراحی گیت های با تعداد ورودی زیاد . 3. 5 31
6 بهینه سازی کارآیی در شبکه های ترکیبی )پیشرفته( . 3. 5 .................................................................. 35
7 مصرف توان در گیت های منطقی ایستا )پیشرفته( . 3. 5 ..................................................................... 23
5 . چینش گیت های CMOS ایستا .................................................................................................... 26 2
3 نمودار میله ای . 2. 5 (stick diagram) ........................................................................................... 27
2 گراف اولر و پیوستگی خط نفوذ . 2. 5 ............................................................................................ 23
منطق نسبتی (RATIOED LOGIC) ................................................................................................... 13 1.5
3 محاسبه . 1. 5 VOL ................................................................................................................. 13
2.1.5 منطق DCVSL ................................................................................................................ 11
5 . منطق های ترانزیستور عبوری و گیت انتقالی 15 4
3 منطق ترانزیستور عبوری . 4. 5 .................................................................................................... 15
2 منطق گیت انتقالی . 4. 5 .......................................................................................................... 43
1 بهینه سازی گیت ها در منطق ترانزیستور عبوری و گیت انتقالی . 4. 5 .................................................... 44
5 . منطق های CMOS پویا ............................................................................................................. 43 5
3 مبانی عملکرد گیت های . 5. 5 CMOS پویا .................................................................................... 43
2 گیت پویا با شبکه ارزیابی بالاکش . 5. 5 ......................................................................................... 53
1 سرعت و تلفات در منطق پویا . 5. 5 )پیشرفته( ................................................................................ 53
4 ملاحظات طراحی گیت های پویا . 5. 5 .......................................................................................... 54
5 اتصال پشت سر هم گیت های پویا . 5. 5 ........................................................................................ 58
6 منطق دومینو . 5. 5 ................................................................................................................. 53
7 منطق . 5. 5 np-CMOS ............................................................................................................ 62
5 . جمع بندی ................................ ................................ ................................ ................................ ................................ ...........................

اتصالات میانی .. .. .. .. .. .. .. .. .. .. .. .. .. .. .. .. .. .. .. .. .. .. .. .. .. .. .. .. .. .. .. .. .. .. .. .. .. .. .. .. .. .. .. .. .. .. .. .. .. .. .. .. .. .. .. .. .. .. .. .. .. .. .. .. .. .. .. .. .. .. .. .. .. .. .. .. .. .. .. .. .. .. .. .. .. .. .. .. .. .. .. .. .. .. .. .. .. .. .. .. .. .. .. .. .. .. .. .. .. .. .. .. .. .. .. .. .. .. .. .. .. .. .. .. .. .. .. .. .. .. .. .. .. .. .. .. .. .. .. .. .. .. .. .. .. 66
6 . تحلیل پارامتر های اتصالات میانی .. .. .. .. .. .. .. .. .. .. .. .. .. .. .. .. .. .. .. .. .. .. .. .. .. .. .. .. .. .. .. .. .. .. .. .. .. .. .. .. .. .. .. .. .. .. .. .. .. .. .. .. .. .. .. .. .. .. .. .. .. .. .. .. .. .. .. .. .. .. .. .. .. .. 67 3
3 خازن اتصالات میانی . 3. 6 ......................................................................................................... 67
2 مقاومت اتصالات میانی . 3. 6 ...................................................................................................... 72
1 اندوکتانس )پیشرفته( . 3. 6 ....................................................................................................... 77
6 . مدل های الکتریکی سیم ........................................................................................................... 78 2
3 مدل سیم ایده ال . 2. 6 ............................................................................................................ 78
2.2.6 مدل فشرده (Lumped) ..................................................................................................... 78
1 مدل . 2. 6 RC فشرده ............................................................................................................... 73
4 مدل خط . 2. 6 rc گسترده ........................................................................................................ 82
6 . مدل خط انتقال .. .. .. .. .. .. .. .. .. .. .. .. .. .. .. .. .. .. .. .. .. .. .. .. .. .. .. .. .. .. .. .. .. .. .. .. .. .. .. .. .. .. .. .. .. .. .. .. .. .. .. .. .. .. .. .. .. .. .. .. .. .. .. .. .. .. .. .. .. .. .. .. .. .. .. .. .. .. .. .. .. .. .. .. .. .. .. .. .. .. .. 85 1
6 . مدل SPICE خط RC گسترده برای سیم .......................................................................................... 85 4
................................ ................................ ................................ ................................ ........ 7 طراحی گیت های ترتیبی . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 77
7 . مقدمه ............................................................................................................................... 87 3
3 معیار های زمانی در مدار های ترتیبی . 3. 7 .................................................................................... 88
2 دسته بندی عناصر حافظه . 3. 7 .................................................................................................. 83
7 . لچ ها و رجیستر های ایستا ......................................................................................................... 33 2
3 اصول پایداری دو حالته . 2. 7 ..................................................................................................... 33
2 لچ های مبتنی بر مالتی پلکسر . 2. 7 ............................................................................................. 34
1.2.7 رجیستر حساس به لبه پایه پیرو – (Master Slave) ................................................................... 35
7 . لچ ها و رجیستر های پویا )دینامیکی( ......................................................................................... 311 1
3 رجیستر های پویای حساس به لبه با گیت انتقالی . 1. 7 .................................................................... 311
2 ساختار . 1. 7 C2MOS ساختار غیر حساس به همپوشانی کلاک – ......................................................... 312
1.1.7 رجیستر های با کلاک کاملا تک فاز (TSPCR) ......................................................................... 315
7 . سایر انواع عناصر ترتیبی ....................................................................................................... 318 4
3 رجیستر پالسی . 4. 7 ............................................................................................................ 318
2 عناصر ترتیبی دارای . 4. 7 reset ............................................................................................... 331
1 عناصر ترتیبی دارای . 4. 7 enable ............................................................................................. 333
7 . ساختار PIPELINE برای بهینه سازی مدار های ترتیبی

3 مقایسه پایپ لاین با استفاده از لچ و رجیستر . 5. 7 .......................................................................... 334
2.5.7 پیاده سازی مدار های پایپ لاین با استفاده از منطق NORA-COMS .............................................. 334
7 . مدارهای ترتیبی غیر دوحالته ................................................................................................... 336 6
3 اشمیت تریگر . 6. 7 ............................................................................................................... 337
2.6.7 نوسانگر حلقه ای ................................ ................................ ................................ ................................ ............................... 333. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
7 . کلاک و زمانبندی در مدار های ترتیبی سنکرون ........................................................................... 321 7
3 پدیده جابجایی کلاک . 7. 7 (Clock Skew) .................................................................................. 323
2 پدیده تشویش کلاک . 7. 7 (Jitter) ........................................................................................... 324
1 روش های توزیع کلاک . 7. 7 ....................................................................................................