سمینار ارشد عمران کاربرد نرم افزار MIKE11 در مدل سازی کانال های انتقال آب و سازه های وابسته در شرایط غیر ماندگار

اختصاصی از هایدی سمینار ارشد عمران کاربرد نرم افزار MIKE11 در مدل سازی کانال های انتقال آب و سازه های وابسته در شرایط غیر ماندگار دانلود با لینک مستقیم و پر سرعت .

کاربرد نرم افزار MIKE11 در مدل سازی کانال های انتقال آب و سازه های وابسته در شرایط غیر ماندگار

The use of MIKE11 in irrigation canal and related
structures modeling in unsteady condition

چکیده 1
مقدمه 2
فصل اول : کلیات 3
1) هدف 4 -1
2)ضرورت انجام تحقیق 4 -1
3)اهداف تحقیق 5 -1
6 Mike فصل دوم : مدل 11
1) معرفی 7 -2
2) تعریف شعاع مقاومتی 8 -2
3) افت انرژی 8 -2
9 Mike 4) مزایای مدل 11 -2
5) ترکیبات مدل 9 -2
فصل سوم :تئوری های بکارگرفته شده در مدل 11
1) تئوری های بکارگرفته شده در مدل 12 -3
2) روش حل عددی معادلات 12 -3
3) شرایط اولیه 14 -3
4) شرایط مرزی 14 -3
فصل چهارم : 16
1) اطلاعات هیدرولوژیکی لازم جهت شروع محاسبات 17 -4
2) چهارچوب مدل 17 -4
3) معرفی برخی پارامترهای اساسی در مدل 18 -4
ز
4) مراحل انجام مدل سازی 18 -4
فصل پنجم : نتیجه گیری و پیشنهادات
نتیجه گیری
پیشنهادات

دانلود مقاله ISI مدل سازی شهری رویه جمعیت، شبکه جاده و استفاده از زمین

اختصاصی از هایدی دانلود مقاله ISI مدل سازی شهری رویه جمعیت، شبکه جاده و استفاده از زمین دانلود با لینک مستقیم و پر سرعت .

موضوع فارسی :مدل سازی شهری رویه جمعیت، شبکه جاده و استفاده از زمین

موضوع انگلیسی :Procedural urban modeling of population, road network and land use 

تعداد صفحه :8

فرمت فایل :PDF

سال انتشار :2015

زبان مقاله : انگلیسی

چکیده
در این مقاله یک سیستم شبیه سازی شهری تولید طرح بندی شهری با لایه های جمعیت، شبکه جاده ای و استفاده از زمین معرفی می کند. ساختار فضایی شهری مورد نظر است با تولید نقشه جمعیت بر اساس مدل های تراکم جمعیت دست آمده است. شبکه جاده در سه سطح فضایی مربوط به سلسله مراتب جاده تولید می شود. تخصیص استفاده از زمین است در الگوریتم مبتنی بر قانون است. و پارامترهای جهانی و محلی طراحی شده اند برای تضمین انعطاف پذیری و اصلاح طرح بندی شهری است. نتایج مورد انتظار طرح بندی شهری مناسب برای تجزیه و تحلیل سناریو علمی هستند.

دانلود مقاله ISI مدل های gestural دانش در سفال بر اساس برآورد فضای حالت و سیستم شبیه سازی پویا

اختصاصی از هایدی دانلود مقاله ISI مدل های gestural دانش در سفال بر اساس برآورد فضای حالت و سیستم شبیه سازی پویا دانلود با لینک مستقیم و پر سرعت .

موضوع فارسی :مدل های gestural دانش در سفال بر اساس برآورد فضای حالت و سیستم شبیه سازی پویا

موضوع انگلیسی :Modelling gestural know-how in pottery based on state-space estimation and system dynamic simulation 

تعداد صفحه :8

فرمت فایل :PDF

سال انتشار :2015

زبان مقاله : انگلیسی

چکیده
در این مقاله یک روش برای مدل سازی اجرای اشاری متخصص در سفال چرخ پرتاب. این رویکرد در ایجاد یک مدل عملیاتی است که توضیح می دهد چگونه متخصص حرکات انجام می شود، در نظر گرفتن نیز به روابط توجه بین بخش های مختلف بدن است. این مدل برآورد شده است با استفاده از روش برآورد فضای حالت و عملکرد آن در پیش بینی با استفاده از سیستم شبیه سازی پویا ارزیابی شده است. علاوه بر این، مرزهای اعتماد به نفس به دست آمده از عملکرد ژست متخصص در سفال چرخ پرتاب محاسبه. آنها را می توان به عنوان معیار در آزمایش زمان واقعی به منظور تولید بازخورد مناسب برای یادگیری حسی از حرکات استفاده می شود.

پایان نامه مدل سازی سوئیچ

اختصاصی از هایدی پایان نامه مدل سازی سوئیچ دانلود با لینک مستقیم و پر سرعت .

لینک پرداخت و دانلود *پایین مطلب*

فرمت فایل:Word (قابل ویرایش و آماده پرینت)

تعداد صفحات : 88 صفحه

فهرست :

کیفیت سرویس و فنآوری های شبکه

ساختار سوئیچ های شبکه

مدلسازی یک سوئیچ MPLS

شبیه سازی کل سوئیچ

نتیجه گیری و پیشنهادات

شرح مختصر:

با گسترش تعداد کاربران اینترنت و نیاز به پهنای باند بیشتر از سوی آنها، تقاضا برای استفاده از سرویسهای اینترنت با سرعت رو به افزایش است و تهیه کننده های سرویس اینترنت برای برآورده سازی این تقاضا ها احتیاج به سوئیچ های با ظرفیت بیشتر دارند 

در این میان تلاشهای زیادی نیز برای دستیابی به کیفیت سرویس بهتر در حال انجام می‌باشد. فنآوریATM[1] نیز که به امید حل این مشکل عرضه شد، بعلت گسترش و محبوبیتIP[2] نتوانست جای آن را بگیرد و هم اکنون مساله مجتمع سازی IP و ATM نیز به یکی از موضوعات مطرح در زمینه شبکه تبدیل شده است.

در این فصل به معرفی مسائل و مشکلات مربوط به کیفیت سرویس و مجتمع سازی IP و ATM می پردازیم و راه حلهای ارائه شده از جمله MPLS [3] رابررسی خواهیم نمود.

1-2- کیفیت سرویس در اینترنت

سرویسی که شبکه جهانی اینترنت به کاربران خود ارائه داده است، سرویس بهترین تلاش4 بوده است. یکی از معایب اصلی این سرویس این است که با وجود اینکه مسیریاب‌های شبکه به خوبی قادر به دریافت و پردازش بسته های ورودی می باشند ولی هیچگونه تضمینی در مورد سالم رسیدن بسته ها به مقصد وجود ندارد. با توجه به رشد روز افزون استفاده از اینترنت و به خصوص با توجه به اشتیاق زیاد به اینترنت به عنوان ابزاری برای گسترش تجارت جهانی، تلاش های زیادی جهت حفظ کیفیت سرویس (QoS)[4] در اینترنت در حال انجام می باشد. در این راستا در حال حاضر کلاس های سرویس متنوعی مورد بحث و توسعه می باشند. یکی از کلاس های سرویس فوق ، به شرکت ها و مراکز ارائه سرویس های web که نیاز به ارائه سرویس های سریع و مطمئن به کاربران خود دارند، اختصاص دارد.

یکی دیگر از کلاس های سرویس جدید در اینترنت ، به سرویس هایی که نیاز به تاخیر و تغییرات تاخیر کمی دارند، اختصاص دارد. سرویس هایی نظیر تلفن اینترنتی[5] و کنفرانس‌های تصویری اینترنتی نمونه ای از سرویس های این کلاس سرویس می باشند.

برای نیل به سرویس های جدید فوق، عده ای براین عقیده هستند که در آینده ای نزدیک تکنولوژی فیبر نوری و WDM[6] آنقدر رشد خواهد کرد که اینترنت به طور کامل بر مبنای آن پیاده سازی خواهد شد و عملا مشکل پهنای باند و همچنین تضمین کیفیت سرویس وجود نخواهد داشت. عقیده دوم که ظاهرا درست تر از عقیده اول می باشد، این است که با وجود گسترش فنآوریهای انتقال و افزایش پهنای باند، هنوز به مکانیسم هایی برای تضمین کیفیت سرویس کاربران نیاز می باشد. در حال حاضر اکثر تولید کنندگان مسیریاب ها و سوئیچ های شبکه اینترنت، در حال بررسی و افزودن مکانیسم‌هایی برای تضمین کیفیت سرویس در محصولات خود می باشند.

از سوی سازمان جهانی IETF[7] مدل ها و مکانیسم های مختلفی برای تضمین کیفیت سرویس مورد تقاضای کاربران ارائه شده است. برخی از مهمترین این مدل ها عبارتند از:

• پروتکل رزرو منابع در اینترنت RSVP[8]
• سرویس های متمایز DS[9]
• مهندسی ترافیک
• سوئیچنگ برچسب چندین پروتکل MPLS

در قسمتهای بعدی به طور خلاصه با هر یک از مدل های فوق آشنا می شویم .

 1-2-1- پروتکل رزور منابع در اینترنت

پروتکل RSVP به عنوان یک پروتکل سیگنالینگ برای رزرو منابع در اینترنت استفاده می شود. در شکل 1-1 مثالی از عملیات سیگنالینگ RSVP نشان داده شده است. مطابق با شکل فوق، فرستنده ابتدا پیام PATH را ارسال می دارد. در این پیام مشخصات و پارامترهای ترافیکی فرستنده موجود می باشد. هر مسیریاب شبکه با دریافت پیام PATH با کمک جدول مسیریابی خود پیام را هدایت نموده تا اینکه پیام به مقصد نهایی برسد. گیرنده نهایی بعد از دریافت پیام PATH، پیام RESV را از خود عبور داده و منابع لازم شامل پهنای باند و فضای بافر را به ارتباط جدید اختصاص می دهد. چنانچه یکی از مسیریاب های موجود در مسیر، قادر به قبول پیام RESV نباشد، آنرا رد نموده و پیام خطایی به گیرنده ارسال می نماید و سپس عملیات سیگنالینگ خاتمه می یابد. با قبول پیام    RESVاز جانب هر مسیر یاب موجود در مسیر، اطلاعات وضعیت مربوط به جریان ترافیکی فوق ثبت می شود .

 

پایان نامه ارشد برق مدل سازی پدیده های مزوسکوپیک در ترانزیستورهای MOS مقیاس نانومتر

اختصاصی از هایدی پایان نامه ارشد برق مدل سازی پدیده های مزوسکوپیک در ترانزیستورهای MOS مقیاس نانومتر دانلود با لینک مستقیم و پر سرعت .

چکیده:

نوسانات تناوبی در مشخصه IV افزاره های MOSFET زیر 100 نانومتر در دماهای پایین توسط برخی پژوهشگران در آزمایش های تجربی مشاهده شده است. برای توجیه نوسانات تناوبی، نظریه های مختلفی بیان شده است. همه ی این نظریه ها انتقال کوانتمی حامل ها در کانال را مطرح می سازند. از مقایسه نتایج تجربی با نظریه های موجود، به این نتیجه می توان رسید که برای توجیه علمی وجود این نوسانات، نظریه سد کولونی و ترانزیستور تک الکترونی مناسب می باشد. ما هم بر اساس نظریه سد کولونی و ترانزیستور تک الکترونی یک مدل اسپایس را شبیه سازی نم ودیم. نتایج بدست آمده از این شبیه سازی، تایید می کند که نظریه سد کولونی و ترانزیستور تک الکترونی توجیه بسیار مناسبی برای وجود نوسانات تناوبی در افزاره های نانومتری می باشد . بعلاوه هر چه خازن کل جزیره (که اساس کار ترانزیستور تک الکترونی است ) کوچکتر باشد، این ترانزیستور می تواند در دماهای بالاتری کار کند که این امر منطبق بر نظریه سد کولونی و ترانزیستور تک الکترونی می باشد. از طرفی، شبیه سازی های انجام شده نشان می دهد که هر چه خازن جزیره کوچکتر شود، جریان خروجی هم کمتر می شود که این خود ممکن است باعث مشکلاتی در کاربردهای ترانزیستور تک الکترونی شود.

فصل اول

1- مقدمه

قابلیت صنعت نیمه هادی برای فراهم کردن محصولاتی با کاهش مداوم قیمت و در عین حال افزایش کارآیی آنها، علت اصلی موفقیت آن بوده است. این موفقیت نتیجه کاهش ابعاد و به دنبال آن افزایش تعداد افزاره ها در یک تراشه می باشد.

در ابعاد زیر 100 نانومتر پدیده های جدیدی که در ساختارهای بزرگتر وجود نداشتند، رفتار MOSFET ها را تحت تاثیر قرار می دهند. SIA پیش بینی می کند که حداقل ابعاد افزاره ها در سال 2012 در حدود 35nm و 108 ترانزیستور بر سانتیمتر مربع برای فناوری CMOS شود.

کاملاً مشخص است که رفتار این افزاره ها که مدارات آینده با آنها ساخته می شود، با رفتار افزاره های امروزی با ابعاد بزرگتر متفاوت است. در این بین مدل سازی و بررسی خصوصیات این افزاره ها می تواند به بسیاری از بحث ها ی موجود در ارتباط با کوچک سازی بیشتر افزاره ها، پاسخ دهد. یعنی اینکه اگر نتوانیم افزاره ها را مدل سازی کنیم، مسئله کوچک سازی به عنوان سدی پیش روی توسعه ی صنعت نیمه هادی باقی خواهد ماند. هدف اصلی این پایان نامه بررسی و مدل سازی پدیده های محتمل در مورد MOSFET های زیر 100 نانومتر می باشد.

مهمترین هدف مدل سازی بدست آوردن روش های ممکن برای بررسی های عددی مورد نیاز درباره خصوصیات و رفتار افزاره ها می باشد.

در فصل دو ابتدا مختصری در مورد نظریه کلی MOS توضیح داده خواهد شد. سپس در فصل سوم مسئله توضیح داده خواهد شد. سپس در فصل سوم مسئله ID(VG که از نتایج تجربی ساخت افزاره ها ی زیر 100 نانومتر توسط برخی از پژوهشگران بدست آمده است نشان داده خواهد شد. چیزی که مهم است اینست که در آزمایش های تجربی پدیده هایی دیده شد که در MOS های با مقیاس بالاتر دیده نشده بود. یعنی اینکه این پدیده ها را نمی توان با نظریه کلاسیک موجود در مورد MOS یعنی نظریه “نفوذ – رانش” توجیه کرد. به همین علت مجبور هستیم که نظریه های جدیدی را بررسی کنیم تا شاید بتوان نتایج تجربی را به آنها نسبت داد. فصل چهارم به این موضوع می پردازد. وجود این نوسانات به عنوان یک پدیده جدید، بسیار جالب توجه بود که انگیزه ی اصلی کار روی این پایان نامه می باشد.

قوی ترین نظریه در مورد نوسانات تناوبی مشاهده شده در مشخصه ID (VG افزاره ها ی زیر 100 نانومتر، نظریه سد کولونی و ترانزیستور تک الکترونی می باشد. سد کولونی برای اولین بار در دهه 1950 و 1960 مشاهده شد. در سال 1975 کولیک و شختر در مورد اثرات شارژ کنندگی سد کولونی توضیحاتی ارائه کردند و پلکان کولونی را در حالت تونل زنی یک الکترون از طریق یک جزیره کروی بین دو اتصال تونلی نامتقارن پیش بینی کردند. شکل نهایی نظریه ترانزیستور تک الکترونی (SEM) در سال 1985 توسط آورین و لیخاریو در مسکو ارائه شد. اولین شکل واقعیٍ این نظریه ها توسط فولتن و دولان در آزمایشگاه های بل در سال 1987 ساخته شد.

در فصل پنجم به طور مفصل با این نظریه آشنا خواهید شد و کاربرد های آنرا بیان می کنیم. در فصل شش یک ترانزیستور تک الکترونی (SET) را شبیه سازی می کنیم. در فصل هفتم آینده نانوالکترونیک را بررسی می کنیم.

موضوع اصلی این پایان نامه پدیده های مزو سکوپیک می باشد که مشخصات و خصوصیات سیستم هایی را معرفی می کند که ابعاد آنها بین مقیاس میکروسکوپی و ماکروسکوپی است. مزو یک کلمه یونانی به معنای وسط می باشد. در این سیستم ها انتقال الکترون یا بار گسسته الکترونها اهمیت دارد.

تعداد صفحه : 92

فهرست مطالب:

چکیده ................................................................................................................................................... 1
فصل اول : مقدمه
مقدمه ......................................................................................................................................... 3
MOSFETs : فصل دوم
2-1 اصول عملکرد ...................................................................................................................... 6
2-1-1 وارونگی .................................................................................................................... 9
2-1-2 مشخصه ولتاژ- جریان ............................................................................................... 11
به دما ............................................................. 15 MOSFET 2-2 وابستگی مشخصه الکتریکی
فصل سوم : نتایج تجربی .
17................................................................................................................ ID(VG) 3-1 مشخصه
3-2 اثر ولتاژ سورس .................................................................................................................. 22
3-3 اثر میدان مغناطیسی .............................................................................................................. 28
فصل چهارم : نظریه نوسانات تناوبی
4-1 رسانایی جهش ها و تونل زنی تشدید ................................................................................. 30
4-2 اختلال ضعیف بین سورس و درین ..................................................................................... 36
4-3 مدل انتقالی کوانتمی ......................................................................................................... 37
4-4 سد کولونی در تک نقطه .................................................................................................. 40
4-5 سد کولونی در نقاط موازی .............................................................. ................................ 49
51............................................................................. (SET) فصل پنجم : ترانزیستور تک الکترونی
5-1 الکترونیک تک ذره ای .................................................................................................... 52
5-2 ترانزیستور تک الکترونی ................................................................................................... 56
5-3 پلکان کولونی ................................................................................................................... 60
5-4 مزایا و مشکلات ترانزیستورهای تک الکترونی ................................................................... 62
فصل ششم : شبیه سازی یک ترانزیستور تک الکترونی
6-1 مقدمه ....................................................................................................................... 65
6-2 مدل ............................................................................................................................ 65
6-3 تحلیل مدل .................................................................................................................. 66
6-4 نتایج شبیه سازی .......................................................................................................... 67
فصل هفتم : نتیجه گیری و پیشنهادات ........................................................................................... 76
فصل هشتم : آینده و نانوالکترونیک ............................................................................................... 79
منابع و مراجع ................................................................................................................................... 82
ضمیمه
86..................................................................................................................... Spice Sourse
چکیده انگلیسی