CeO2 (پروژه ساختار سرامیک)

ساختار Biepitaxid، پیوند josephson و SQUIDs ساختار و ویژگی‌های اتصال یا پیوند josephson و SQUIDs، yBCoCeO2Mgo Biepitaxid را بررسی و گزارش کردیم، در اینجا CeO2 به عنوان یک لایه استفاده شده تا یک محدوده یا مرز Biepitaxid برای بلور یا ذره ایجاد کند سطوح تابکاری نشده لایه CeO2 و سطح تابکاری شده آن توسط میکروسکوپ اتر یا (AFM) بررسی شدند دمای مقاوم

1. بدلیل توسعه و پیشرفت مدارهای مجتمع ابررسانا، High-T، اتصالات ابررسانای josephson به شکل گسترده‌ای مورد بررسی و آزمایش واقع شدند. به منظور بدست آوردن اتصالات josephson قابل کنترل و قابل دستیابی به انواع مختلف اتصالات مانند محدوده دارای لبه پله‌ای، SNS یا اساس و پایه bicrystaf استفاده شد. بهرحال این نوع مرزها معمولاً طی زمان ساخت با فرآیندهای بسیار زیادی درگیر هستند. برای ساده‌تر کردن فرآیند ساخت، اتصالات josephson محدوده دانه Biepitaxid مورد بررسی واقع شد. در این کار، CeCo2 انتخاب شد تا یک لایه برای محدوده ذره   Biepitaxid باشد و روش ساده و شیمیایی حکاکی بجای فرزکاری آهن استفاده شد تا باعث جدا شدن نیمی از لایه CeCo2 از پایه Mgo شود.

SQUIDs و اتصالات josephson  Biepitaxid را ساختیم. بعضی از ویژگی‌های جریان ولتاژ برای اتصالات josephson و SQUIDs مورد بررسی واقع شد. همچنین نوسان ولتاژ تقسیم شده در میدان مغناطیسی برای SQUIDs نیز بررسی شد.

2- شرح تجربی و آزمایشی: یک سیستم آبکاری فلز مغناطیسی rf خارج از محور برای جدا کردن تمام لایه‌ها در این مبحث استفاده شده است. CeCo2 در دمای ^OC750 برروی سطح Mgo که با یک لایه (yBCo)800 A-thick  پوشیده شده، آبکاری شد. سپس لایه yBCo /  CeCo2 با استفاده از اسید هیدروکلریک جدا شد. بعد از آن، این پایه و اساس در دمای ^OC1100 به مدت 10 ساعت تابکاری شد. برای بررسی تغییرات سطح CeCo2، ساختار سطحی لایه‌های CeCo2 تابکاری شده و تابکاری نشده با میکروسکوپ‌های (AFM) بررسی شدند و سپس یک لایه (yBCo)2000 A-thick   برروی سطح تابکاری شده قرار داده شد، رسوب‌گذاری شده بعلاوه لایه نازک yBCo با یک محدوده یا مرز Biepitaxid توسط فتولیتوگرافی در یک اتصال josephson با 5pm پهنا یا SQUIDs با یک ناحیه سوراخ  40*20 و پهنای اتصال  بصورت طرح و نقش قرار داده شد. برای بررسی واکنش‌های میکرو ویوی اتصال، یک میکرو ویو با استفاده از آنتن دیود به این اتصال تابانده شد. برای بررسی نوسان بخش بخش میدان مغناطیسی، SQUID برروی یک سولئوئید که دارای میدان مغناطیسی موازی با سطح SQUID بود نصف شد. یک روش معمولی چهارمرحله‌ای برای اندازه‌گیری و بخش الکتریکی استفاده شد. معیار برای جریان اصلی در این مبحث  بود

دانلود با لینک مستقیم