لینک دانلود و خرید پایین توضیحات
فرمت فایل word و قابل ویرایش و پرینت
تعداد صفحات: 21
مدار شماره 1
در مدارهای زیر الف) پتانسیل گره ها ب) جریان شاخه ها ج) توان هر یک از عناصر را بدست آورید. ابتدا برنامه را اجرا کرده وقتی محیط برای کار آماده شد مدار را رسم می کنیم. برای ترسیم مدار از کتابخانه Analog المان R (مقاومت را در محیط ترسیم قرار می دهیم و بعد از آن در همین کتابخانه منبع جـریان وابستـه بـه جریان F را در محـیط کـار قرار می دهـیم و در کتابخانه Source که مربوط به منابع می باشد منبع ولتاژ DC به نام VDC را در مدار قرار می دهیم و بعد از آن با استفاده از Place wire مدار را رسم می کنیم و زمین را که با نام O/Source مشخص شده است در جای خود قرار داده و برای تغییر مقدار مقاومت و مقدار منبع با دبل کلیک کردن روی مقدار پیش فرض آن مقدار مورد نیاز را واردمی نماییم و برای تعیین ضریب وابستگی منابع وابسته با دبل کلیک کردن بر روی آنها در قسمت Gain ضریب وابستگی را مشخص می کنیم و سپس خارج می شویم و بعد از ترسیم باید آن را آنالیز می کنیم.
بعد از آن وارد قسمت محیط آنالیز می شویم و در قسمت Analyses type نوع آنالیز را مشخص می کنیم
و بعد از آن گزینه Run را اجرا می کنیم ومی توان ولتاژ جریان و توان راباانتخاب گزینه های V و I و W مشاهده نمود.
1ـ پتانسیل گره ها
2ـ جریان شاخه ها
3ـ توان عناصر
مدار شماره 2
بعد از اجرای برنامه هنگامی که محیط برای کار آمداه شد مدار را رسم کرده
پتانسیل گره ها جریان شاخه ها
توان عناصر
آنالیز در حوزه زمان Time domain :
توسط این آنالیز می توان پتانسیل گره ها، جریان هر المان و توان المان را توسط شکل موج ملاحظه کرد ترانزیستور
در مدار شکل زیر توسط آنالیز Bias point نقطه کار شامل IB، IE، IC، VBC و VCE را بدست آورید. سپس مدار را در حوزه زمان آنالیز نموده و موارد خواسته شده را اندازه گیری کنید.
برای ترسیم مدار از کتابخانه Analog مقاومت R و خازن C-elect و از کتابخانه Source منبع ولتاژ سینوسی (VSIN) ترانزیستور Q2N2219 و از کتابخانه Bipolar انتخاب کرده و در محیط کار قرار می دهیم و سپس توسط گزینه Place wire مدار را ترسیم می کنیم و زمین را که به نام O/Source مشخص شده است در جای مناسب قرار می دهیم و ظرفیت مقاومت ها و خازن ها را با دابل کلیک کردن بر روی مقدار ظرفیتی که از پیش انتخاب شده است مقدار ظرفیت مورد نیاز را وارد می کنیم و برای منبع ولتاژ سینوسی مقدار Freq=1K,VAMPL=10mv,Voff=0 را با دابل کلیک کردن روی آنها مقدار لازم را وارد می کنیم و با استفاده از (Vin) Place Netaliul و (Voo) در روی مدار مشخص می کنیم.
بعد از آن گزینه New Simulation Profile را در بالای صفحه انتخاب کرده و سپس نامی را برای آنالیز انتخاب می کنیم.
و وارد محیط آنالیز می شویم و نوع آنالیز را Bias Point انتخاب کرده و OK را می زنیم. و سپس Run را اجرا می کنیم و با انتخاب این گزینه در بالای صفحه VCE و VBE را بدست می آوریم. و سپس با فعال کردن گزینه I جریان IB و IC و IE را بدست می آوریم.
سپس مدار را در حوزه زمان آنالیز می کنیم و موارد زیر را بدست می آوریم.
1ـ IB و IC و IE 2ـ شکل موج ورودی با اندازه 3ـ شکل موج خروجی با اندازه 4ـ محاسبه ضریب تقویت ولتاژ 5ـ محاسبه مقاومت خروجی تقویت کننده 6ـ ضریب تقویت جریان 7ـ مقاومت ورودی تقویت کننده برای آنالیز در حوزه زمان ابتدا نامی را برای آنالیز انتخاب می کنیم.
سپس نوع آنالیز را Time Domain انتخاب می کنیم و سپس مقدار مطلوب را برای Run to Time و Maximum Step Size انتخاب می کنیم و OK را می زنیم.
1ـ برای بدست آوردن جریان پایه بیس IB کرسر جریان را بروی پایه بیس قرار می دهیم و مدار را Run می کنیم. 2ـ برای بدست آوردن جریان پایه امیتر IE کرسر جریان را را روی پایه امیتر قرار داده و مدار را Run می کنیم. 3ـ برای بدست آوردن جریان پایه کلکتور IC کرسر جریان را روی پایه کلکتور قرار داده و مدار را Run می کنیم.
4ـ شکـل مـوج ورودی با انـدازه کرسر ولتاژ را در قسمت ورودی مدار Vin قرار داده و مدار را Run می کنیم.
5ـ برای رسم شکل موج خروجی با اندازه کرسر ولتاژ را در قسمت خروجی مدار Voo قرار داده و مدار را Run می کنیم.
6ـ برای محاسبه ضریب تقویت ولتاژ باید ولتاژ خروجی را تقسیم بر ولتاژ ورودی کرد.
7ـ مقاومت خروجی تقویت کننده را با استفاده از رابطه زیر بدست می آوریم.
با وارد کردن RL=1000meG مقدار Vooرا بدست می آوریم.
ضریب تقویت جریان برابر است با
Io برابر است با
Ii برابر است با
مقاومت روی تقویت کننده برابر است با
کاربرد رایانه در برق
