هایدی

مرجع دانلود فایل ,تحقیق , پروژه , پایان نامه , فایل فلش گوشی

هایدی

مرجع دانلود فایل ,تحقیق , پروژه , پایان نامه , فایل فلش گوشی

پایان نامه ارشد برق لیزر DBR و بررسی اثر افزایش عمق کانال بر بهبود عملکرد آن

اختصاصی از هایدی پایان نامه ارشد برق لیزر DBR و بررسی اثر افزایش عمق کانال بر بهبود عملکرد آن دانلود با لینک مستقیم و پر سرعت .

پایان نامه ارشد برق لیزر DBR و بررسی اثر افزایش عمق کانال بر بهبود عملکرد آن


پایان نامه ارشد برق لیزر DBR و بررسی اثر افزایش عمق کانال بر بهبود عملکرد آن

 

 

 

 

 

چکیده:

دیودهای لیزر مبتنی بر ساختار بازتابگرهای توزیع شده براگ، به عنوان منابع نوری ارزان و مطمئن، امروزه در محدوده وسیعی از طول موج های 1.1μm:1.7μm با خاصیت تفرق پایین در سیستم های مخابراتی به کار رفته و گسترش وسیع یافته اند. تغییر در ساختمان و عمق فیزیکی این بازتابگرهای کنگره ای، خواص لیزر نیمه هادی مبتنی بر این تکنیک را تحت تاثیر قرار می دهند.

در این پایان نامه، لزر DBR مورد بررسی قرار می گیرد و مشخصات انعکاس آینه های براگی که عمق شیارهای آنها افزایش یافته تجزیه و تحلیل می گردد. ما با افزایش در عمق شیارهای این ساختار کنگره ای به بررسی بهبود منتجه در ضریب محدود کننده انرژی و ضریب امواج پرداخته و نشان دادیم در اثر افزایش عمق شیارها، منحنی اندازه ضریب بازتاب این بازتابگرهای توزیع شده بهبود یافته و منحنی تلفات مربوط به این آینه ها کاهش می یابد و نتیجه گرفتیم که مشخصات حالت آستانه لیزرهای نیمه هادی DBR مبتنی بر این تکنیک بهبود قابل ملاحظه ای می یابند. صحت نتایج به دست آمده با مقالات ارائه شده در قسمت منابع تایید می شود. محاسبات و رسم نمودارها با استفاده از نرم افزار MATLAB v7.0.4 انجام شده است.

مقدمه:

دی الکتریکهای شامل آرایه های تناوبی که می توانند نور را در طول موج های مختلف تابانده و یا عبور دهند، از اصول فیزیکی اولیه پدیده های زیبای طبیعی پیروی می کنند. به عنوان مثال، طیف های رنگ های زیبایی که از بالهای یک پروانه در زیر نور خورشید بازتابانده می شوند، ناشی از بازتاب های مختلف رنگهای تشکیل دهنده نور خورشید، از ساختارهای دی الکتریک تناوبی تشکیل دهنده سطح بال پروانه می باشند. اصول بکار رفته در فیزیک این فیدبک های تناوبی توزیع شده در یک ساختار و رفتار آنها در برابر نور تابیده شده، آنها را در محدوده وسیعی از کاربردها، از منابع بازخوان نوری اطلاعات در دیسک های فشرده شده کامپیوتری، تا انتقال دهنده های خاص لیزری در فیبرهای نوری سیستم های مخابراتی، متداول ساخته است. فرکانس گزین بودن خاصیت بازتاب و عبور این ساختارها نسبت به طیف های تشکیل دهنده نور تابیده شده، آنها را به بهترین گزینه برای جایگزینی با آینه های رایج ساختار لیزر فابری پروت ساده بدل ساخته است.

در واقع اگر بتوان رفتار آینه های دو سر لیزر فابری پروت را نسبت به طول موج های تابیده شده حساس و متفاوت ساخت، آنگاه می توان برای طول موجی خاص در داخل کاواک لیزر تشدید ایجاد نمود، طول موج خروجی نور لیزر را تحت کنترل درآورد و خروجی تک فرکانسی داشت. چنین لیزرهایی به عنوان لیزرهای تک فرکانسی شناخته شده و با توجه به اهمیت و نقش کلیدی آنها در سیستم های مخابرات نوری به طور گسترده ای از دهه 1980 مورد مطالعه گرفته اند.

دیودهای لیزر فابری پروتی که به جای یک یا هردو آینه انتهایی، از آینه هایی با بازتابگرهای تناوبی توزیع شده سود می جویند، به عنوان لیزر نیمه هادی DBR شناخته می شوند.

در این پروژه سعی شده است تا اثر تغییر عمق شیارهای ساختار کنگره ای بر عملکرد چنین لیزری بررسی گردد. فصل های تشکیل دهنده این پروژه عبارتند از:

فصل اول، که در آن به کلیاتی نظیر تاریخچه مخابرات نوری می پردازیم. در این فصل به چگونگی تولید نور لیزر در ساختارهای نیمه هادی، علت استفاده از دیودهای لیزر نیمه هادی در سیستم های مخابراتی و تقسیم بندی انواع دیودها از نقطه نظر هدایت مدهای تولید شده، می پردازیم.

فصل دوم، که در آن ضمن معرفی تئوری روش ماتریس انتقال، به روشی برای دستیابی به ضرایب بازتاب و انتقال کلی دیده شده از ساختاری با بازتابگرهای تناوبی توزیع شده و به کار رفته بجای آینه های لیزر فابری پروت، می پردازیم. روش ماتریس انتقال از آن جهت مورد توجه می باشد که ضمن عمومیت داشتن و مطمئن بودن، تمامی ساختارهای این چنینی را پوشش داده و به کمک آن می توان ضمن ساده سازی ساختارهای پیچیده به ساختارهای بنیادی و ساده تر متصل بهم، به آسانی رفتار کل مجموعه را تنها با ضرب ماتریس های انتقال این اجزای ساده تر به دست آورد و خواص کلی این مجموعه را مورد بررسی قرار داد.

فصل سوم، که در آن ضمن معرفی روش تئوری امواج تزویج شده، به بررسی انتشار مدهای تولید شده محفظه تشدید کاواک لیزر در محیط های دی الکتریک چند لایه پرداخته و ضرایبی نظیر ضریب محدود کننده مد در این محیط و ضریب تزویج این مدها را تعریف کرده و به دست می آوریم. این ضرایب در بررسی وضعیت انتشار امواج در ساختارهای فیزیکی متناوب مختلف بسیار مهم و کاربردی می باشند. سپس به بررسی اثر تغییر عمق شیارهای ساختار کنگره ای بر روی این فاکتورهای اساسی پرداخته و بر روی بهبودی که در مشخصات توصیف کننده عملکرد لیزر DBR به وجود می آید، بحث می نماییم.

و در فصل چهارم ضمن جمع بندی و تحلیل نتایج حاصله، نگاهی به کاربرد این قطعات در سیستم های امروزی انداخته و ضمن معرفی چند مرجع فارسی و غیر فارسی، پیشنهاداتی را جهت ادامه این بحث ارائه می نماییم.

تعداد صفحه : 113

 


دانلود با لینک مستقیم


پایان نامه ارشد برق لیزر DBR و بررسی اثر افزایش عمق کانال بر بهبود عملکرد آن

شبیه سازی حالات گذرا در مدارات خطی بر اثر کلید زنی در نرم افزار MATLAB

اختصاصی از هایدی شبیه سازی حالات گذرا در مدارات خطی بر اثر کلید زنی در نرم افزار MATLAB دانلود با لینک مستقیم و پر سرعت .

شبیه سازی حالات گذرا در مدارات خطی بر اثر کلید زنی در نرم افزار MATLAB


شبیه سازی حالات گذرا در مدارات خطی بر اثر کلید زنی در نرم افزار MATLAB

 

 

این محصول شامل:

 

شبیه سازی حالات گذرا

 

 

در مدارات خطی بر اثر

 

کلید زنی در نرم افزار MATLAB

 

به همراه توضیحاتی پیرامون مدارات شبیه سازی

 

  

ارزانتر از همه جا

 

 

بهترین ها را از ما بخواهید

 

شعار فروشگاه ما : کیفیت + قیمت مناسب + اطمینان


دانلود با لینک مستقیم


شبیه سازی حالات گذرا در مدارات خطی بر اثر کلید زنی در نرم افزار MATLAB

پایان نامه مطالعه اثر رسانندگی الکتریکی بر روی بادهای قرصهای برافزایشی با پهن رفت غالب

اختصاصی از هایدی پایان نامه مطالعه اثر رسانندگی الکتریکی بر روی بادهای قرصهای برافزایشی با پهن رفت غالب دانلود با لینک مستقیم و پر سرعت .

پایان نامه مطالعه اثر رسانندگی الکتریکی بر روی بادهای قرصهای برافزایشی با پهن رفت غالب


پایان نامه مطالعه اثر رسانندگی الکتریکی بر روی بادهای قرصهای برافزایشی با پهن رفت غالب

 

 

 

 

 

 



فرمت فایل : WORD (قابل ویرایش)

تعداد صفحات:122

پایان نامه دوره کارشناسی ارشد در رشته اخترفیزیک

فهرست مطالب:

فصل اول: مقدمه ای بر فرآیند برافزای...................................................................................................................................    1
1-1- مقدمه ……………………………………………………………………………………………………………………………………..    1
1-2- برافزایش بوندی……………………………………………………………………………………..3
1-3- مفهوم قرص های برافزایشی  …………………………………………………………………………………………………………….    4
1-4- طبقه بندی کلی قرص های برافزایشی …………………………………………………………………………………………………    6
1-4-1- قرص سیستم های پیش ستاره ای    …….………………………………………………………………6
1-4-2- قرص ستاره های دوتای……………….…………………………………………………………………8
1-4-3- قرص هسته های فعال کهکشانی……………………………………………………………………..12
1-5- طبقه بندی قرص های برافزایشی از لحاظ شکل هندسی…………………………………..…………………13
1-5-1- قرص های نازک……………………………………………..………………………………………13
1-5-2- قرص های ضخیم……………..…………………………………………………………………14
1-6- عوامل مؤثر در برافزایش…………….………………………………………………………………14
1-6-1- برافزایش آدیاباتیک………………………………………………………………………………14
1-6-2- دما در نزدیکی اجسام متراکم………………………………………………………………………16
1-6-3- از دست دادن تابش………………………………………………………………………………16
1-6-4- درخشندگی بحرانی ادینگتون………………………………………………………………………17
1-6-5- درخشندگی ادینگتون در عمق نوری بالا………………………………………………………………18
1-6-6-مقایسة برافزایش در ستارههای نوترونی و سیاهچالهها………………………………………..……………19
1-6-7- برافزایش با تکانه زاویهای…………………….……………………………………………………19
1-7- پارامترهای نوعی قرصها……………………..………………………………………………………20
1-7-1- وشکسانی………………………………………………………………………………………23
1-7-2- پارامتر α…………….……………..…………………………………………………………23
1-7-3- مدل  β…………….…………………………………………………………………………25
1-8- ناپایداریها……….………………….……………………………………………………………26
1-8-1- ناپایداری مغناطیسی………………..……………………………………………………………27
1-8-2- ناپایداری گرانشی…………………..……………………………………………………………31
1-9- الگوهای اصلی قرص های برافزایشی…………….…….…………………………………………………35
1-9-1- قرص های استاندارد…………………………….…………………………………………………35
1-9-2- قرص های مدل RIAF……………………..….…………………………………………………36
1-9-2-1- مدل ADAF…………………………………………………………………………………36
1-9-2-2- مدل Slim……………….…….……………………………………………………………38
1-9-2-2-1- خصوصیات  قرص های Slim……………………………….…………………………………38
1-9-2-2-2- به دام افتادن الکترون در قرص های Slim………………………………….……………………39
1-9-3- مدل CDAF………….…………………….………………………………………………………40
1-9-3-1- مدل ADIOS……….…………………………………………………………………………41
فصل دوم: حرکت تک ذره در پلاسما………………………………………………………………………43
2-1-تعریف فضای پلاسمایی………….....…………………………………………………………………43
2-2- رسانایی پلاسما………………………………………………………………………………………..44
2-3- پلاسمای نامغناطیده…….……………….……………………………………………………………45
2-4- حرکت تک ذره………….………………………………………………………..…………………45
2-5- معادلات میدان…………..…………………………………………………………………………….46
2-6- چرخش…………………………………………………………………………………………………47
2-7- سوقهای مغناطیسی………………………………………………………………………………………49
2-8- سوقهای الکتریکی………………………………………………………………………………………51
2-8-1- سوق E×B……………………………………………………………………………………51
2-8-2- سوق قطبشی…………………………………………………………………………………………53
فصل سوم: بررسی اثرات میدان مغناطیسی خارجی  بر ساختار قرص های برافزایشی استاندارد…..…………56
3-1- مقدمه……………………..……………….…………………………………………………………56
3-2 معادلات مغناطوهیدرودینامیک………………..…………………………………………………………58
3-2-1 معادلاتMHD ایده‌آل…………………….…………………………………………………………58
3-3- معادلات حاکم بر دینامیک قرص های برافزایشی……………………………………………………………    63
3-4- روابط، محاسبات و فیزیک مسئله………………………..………………………………………………64
3-5- روش خود مشابه برای حل معادلات………………………………………………………………………68
3-6- حل عددی و بررسی نتایج……………..………………………………………………………………70
3-7- اثرات میدان مغناطیسی چنبرهای خارجی بر قرص برافزایشی استاندارد……………………….…………………74
3-8- حل معادلات در حضور میدان مغناطیسی چنبرهای خارجی و بدون رسانندگی…………………….………..…………75
3-9- حل عددی و بررسی آن……………………………………………………………………...…………79
فصل چهارم: بررسی معادلات حاکم بر قرص برافزایشی در حضور میدانهای مغناطیسی و الکتریکی داخلی…….…………83
4-1- نظریة تک سیالی………………………..………………………………………………………………84
4-2- محاسبه میدان مغناطیسی و الکتریکی در قرص برافزایشی…………………………………….....……………88
4-3- حل عددی و بررسی نتایج…………………..……………………………………………………………    94
4-4- پیشنهادها………………………………………………………………………………………………99
منابع ومراجع………………………..……………………………………………………………………100


فهرست شکلها :
فصل اول: مقدمه¬ای بر فرآیند برافزایش
شکل (1-1). نمایی از برافزایش کروی............................................................................................................................................................3
شکل (1-2). نمایی جانبی از یک قرص برافزایشی.......................................................................................................................................6
شکل (1-3). نمایی از سیر تحولی یک سیستم پیش ستاره ای.................................................................................................................7
شکل (1-4). نمایی از قرص سیستم دوتایی...................................................................................................................................................9
شکل (1-5): پتانسیل روچ یک ستارة دوتایی معمولی با...........................................................................................................................10
شکل (1-6). نمایی از قرص برافزایشی اطراف یک مرکز فعال کهکشانی...............................................................................................12
شکل (1-7). نمایی از نیروهای وارد بر ذره در حالت تابندگی ادینگتون................................................................................................17
شکل (1-8). نمایی از چگونگی انتقال تکانه زاویه ای بین دو لایه وشکسان.........................................................................................27
شکل (1-9). نمایی از چگونگی رشد یک اختلال........................................................................................................................................28
شکل(1-10): نمایی از به دام افتادن الکترون در قرصهای slim............................................................................................................39
فصل سوم: بررسی اثرات میدان مغناطیسی خارجی  بر ساختار قرص های برافزایشی استاندارد
شکل(3-1) : مقایسه امواج ماگنتوسونیک، سرعت صوت و سرعت آلفن................................................................................................61
شکل( 3-2): خطوط میدان مغناطیسی در اثر دوران مواد.........................................................................................................................62
شکل (3-3). نمایی جانبی از نواحی مختلف در قرص برافزایشی.............................................................................................................71 شکل (3-4). نمایی از سرعت شعاعی در قرص استاندارد با فشار گاز غالب.........................................................................................72
شکل (3-5). نمایی از سرعت زاویه ای در قرص استاندارد با فشار گاز غالب........................................................................................72
شکل (3-6). نمایی از سرعت سمتی در قرص استاندارد با فشار گاز غالب............................................................................................72
شکل (3-7). نمایی از فشار در قرص استاندارد با فشار گاز غالب............................................................................................................72
شکل (3-8). نمایی از چگالی در قرص استاندارد با فشار گاز غالب.........................................................................................................73
شکل (3-9). نمایی از سرعت شعاعی در قرص استاندارد با فشار تابشی غالب.....................................................................................73
شکل (3-10). نمایی از سرعت زاویه ای در قرص استاندارد با فشار تابشی غالب...............................................................................73
شکل(3-11). نمایی از سرعت سمتی در قرص استاندارد با فشار تابشی غالب.....................................................................................74
شکل (3-12). نمایی از فشار در قرص استاندارد با فشار تابشی غالب....................................................................................................74
شکل (3-13). نمایی از چگالی در قرص استاندارد با فشار تابشی غالب.................................................................................................75
شکل (3-14): نمایی از مؤلفه شعاعی سرعت در قرص استاندارد با فشار گاز غالب در حضور میدان مغناطیسی چنبره¬ای.......79
شکل (3-15): نمایی از مؤلفه زاویه¬ای سرعت در قرص استاندارد با فشار گاز غالب در حضور میدان مغناطیسی چنبره¬ای......79
شکل(3-16): نمایی از مؤلفه سمتی سرعت در قرص استاندارد با فشار گاز غالب در حضور میدان مغناطیسی چنبره¬ای..........79
شکل(3-17): نمایی از فشار در قرص استاندارد با فشار گاز غالب در حضور میدان مغناطیسی چنبره-ای......................................79
شکل(3-18): نمایی از چگالی در قرص استاندارد با فشار گاز غالب در حضور میدان مغناطیسی چنبره-ای..........................................................................................................................................................................................................................80
شکل(3-19): نمایی از مؤلفه شعاعی سرعت در قرص استاندارد با فشار تابشی غالب در حضور میدان مغناطیسی چنبره-ای..........................................................................................................................................................................................................................81شکل(3-20): نمایی از مؤلفه زاویه¬ای سرعت در قرص استاندارد با فشار تابشی غالب در حضور میدان مغناطیسی چنبره-ای...........................................................................................................................................................................................................................81
شکل(3-21): نمایی از مؤلفه سمتی سرعت در قرص استاندارد با فشار تابشی غالب در حضور میدان مغناطیسی چنبره-ای...........................................................................................................................................................................................................................81
شکل(3-22): نمایی از فشار در قرص استاندارد با فشار تابشی غالب در حضور میدان مغناطیسی چنبره-ای..........................................................................................................................................................................................................................81
شکل(3-23): نمایی از چگالی در قرص استاندارد با فشارتابشی غالب در حضور میدان مغناطیسی چنبره-ای.........................................................................................................................................................................................................................82

فصل چهارم: بررسی معادلات حاکم بر قرص برافزایشی در حضور میدانهای مغناطیسی و الکتریکی داخلی
شکل(4-1): نمایی از مؤلفه شعاعی سرعت در قرص استاندارد با فشار گاز غالب در حضور میدان الکتریکی داخلی...................94
شکل(4-2): نمایی از مؤلفه زاویه¬ای سرعت در قرص استاندارد با فشار گاز غالب در حضور میدان الکتریکی داخلی..................94
شکل(4-3): نمایی از مؤلفه سمتی سرعت در قرص استاندارد با فشار گاز غالب در حضور میدان الکتریکی داخلی...................95
شکل(4-4): نمایی از فشار در قرص استاندارد با فشار گاز غالب در حضور میدان الکتریکی داخلی................................................95
شکل(4-5): نمایی از چگالی در قرص استاندارد با فشار گاز غالب در حضور میدان الکتریکی داخلی.............................................95
شکل(4-6): نمایی از میدان مغناطیسی شعاعی داخلی در قرص استاندارد با فشار گاز غالب در حضور میدان الکتریکی داخلی....................................................................................................................................................................................................................95
شکل(4-7): نمایی از میدان مغناطیسی زاویه¬ای داخلی در قرص استاندارد با فشار گاز غالب در حضور میدان الکتریکی داخلی.....................................................................................................................................................................................................................96
شکل(4-8): نمایی از میدان مغناطیسی سمتی داخلی در قرص استاندارد با فشار گاز غالب در حضور میدان الکتریکی داخلی.....................................................................................................................................................................................................................96
شکل(4-9): نمایی از مؤلفه شعاعی سرعت در قرص استاندارد با فشار تابشی غالب در حضور میدان الکتریکی داخلی.....................................................................................................................................................................................................................97
شکل(4-10): نمایی از مؤلفه زاویه¬ای سرعت در قرص استاندارد با فشار تابشی غالب در حضور میدان الکتریکی داخلی.....................................................................................................................................................................................................................97
شکل(4-11): نمایی از مؤلفه سمتی سرعت در قرص استاندارد با فشار تابشی غالب در حضور میدان الکتریکی داخلی.....................................................................................................................................................................................................................97
شکل(4-12): نمایی از فشار در قرص استاندارد با فشار تابشی غالب در حضور میدان الکتریکی داخلی.....................................................................................................................................................................................................................97
شکل(4-13): نمایی از چگالی در قرص استاندارد با فشار تابشی غالب در حضور میدان الکتریکی داخلی....................................................................................................................................................................................................................98
شکل(4-14): نمایی از میدان مغناطیسی شعاعی داخلی در قرص استاندارد با فشار تابشی غالب در حضور میدان الکتریکی داخلی.....................................................................................................................................................................................................................98
شکل(4-15): نمایی از میدان مغناطیسی زاویه¬ای داخلی در قرص استاندارد با فشار تابشی غالب در حضور میدان الکتریکی داخلی.....................................................................................................................................................................................................................98
شکل(4-16): نمایی از میدان مغناطیسی سمتی داخلی در قرص استاندارد با فشار تابشی غالب در حضور میدان الکتریکی داخلی....................................................................................................................................................................................................................98



 
چکیده
در این پایان نامه اثر میدان الکتریکی داخلی قرصهای برافزایشی استاندارد با وشکسانی آلفا را بررسی می¬کنیم. با در نظر گرفتن میدان الکتریکی داخلی در قرص برافزایشی، تغییراتی در سرعت، فشار، چگالی و میدان مغناطیسی داخلی ایجاد می¬شود. در اینجا از معادلات هیدرودینامیکی مربوط و فرض خود مشابهی در راستای شعاعی استفاده کردیم و تغییرات را تنها در راستای θ مورد بررسی قرار دادیم که در نهایت به چند معادله دیفرانسیل معمولی دست یافتیم که با استفاده از شرایط مرزی توانستیم متغییر ها را به روش حل عددی تعیین کنیم. طبق نتایج حاصل اثرات میدان الکتریکی داخلی قرص بر تغییرات سرعت، فشار، چگالی و میدان مغناطیسی داخلی در دو منطقه outflow و inflow بدست آمد
کلمات کلیدی: قرص برافزایشی ، میدان مغناطیسی داخلی، میدان الکتریکی.


دانلود با لینک مستقیم


پایان نامه مطالعه اثر رسانندگی الکتریکی بر روی بادهای قرصهای برافزایشی با پهن رفت غالب

اثر شاخص‌های آموزشی و تکنولوژی آموزشی بر کارائی نیروی انسانی در دبیرستان‌های پسرانه منتخب منطقه 2 تهران (رشته مدیریت، گروه اقتص

اختصاصی از هایدی اثر شاخص‌های آموزشی و تکنولوژی آموزشی بر کارائی نیروی انسانی در دبیرستان‌های پسرانه منتخب منطقه 2 تهران (رشته مدیریت، گروه اقتصاد) دانلود با لینک مستقیم و پر سرعت .

اثر شاخص‌های آموزشی و تکنولوژی آموزشی بر کارائی نیروی انسانی در دبیرستان‌های پسرانه منتخب منطقه 2 تهران (رشته مدیریت، گروه اقتصاد)


اثر شاخص‌های آموزشی و تکنولوژی آموزشی بر کارائی نیروی انسانی در دبیرستان‌های پسرانه منتخب منطقه 2 تهران (رشته مدیریت، گروه اقتصاد)

اثر شاخص‌های آموزشی و تکنولوژی آموزشی بر کارائی نیروی انسانی در دبیرستان‌های پسرانه منتخب منطقه 2 تهران (رشته مدیریت، گروه اقتصاد)

175 صفحه در قالب word

 

 

 

«فهرست مطالب»                                                                                       

چکیده

فصل اول : کلیات تحقیق 1            

1-1- مقدمه 2

1-2- شناخت وطبقه بندی فواید اقتصادی آموزش و پرورش 4

1-2-1-فواید خصوصی آموزش و پرورش5

1-2-2 - فواید خصوصی مستقیم 5

1-2-3-فواید خصوصی غیر مستقیم 5

1-2-4-فواید اجتماعی آموزش و پرورش 6

1-2-5-فوایداجتماعی مستقیم 7

1-2-6-فواید اجتماعی غیرمستقیم 7

1-3-اهداف و ضرورت پژوهش 9

1-4-فرضیه های تحقیق (پژوهش)9

1-5-کلیات پژوهش 10

فصل دوم :مروری بر ادبیات تحقیق11 مبانی نظری تحقیق ومروری برمطالعات تجربی 12

2-1-مقدمه 12

2-1-1-دیدگاههای اقتصاد دانان کلاسیک درباره اهمیت اقتصادی آموزش13

2-1-2-دیدگهای اقتصاددانان نئوکلاسیک درباره اهمیت اقتصادی آموزش16

2-1-3-دیدگاههای اقتصاددانان معاصر درباره  اهمیت اقتصادی آموزش17

2-2-نظریه سرمایه انسانی 31

2-2-1-مفهوم سرمایه انسانی 33

2-2-2-سرمایه گذاری درسرمایه انسانی 35

2-2-3-ویژگیهای سرمایه انسانی 38

2-2-4-کارکردهای سرمایه انسانی 43

2-2-5-تشکیل سرمایه انسانی ازطریق آموزش و پرورش 46

2-2-6-تشکیل سرمایه انسانی از طریق آموزش ضمن خدمت 50

2-3-نقش آموزش و پرورش دررشد و توسعه اقتصادی 51

2-3-1-انواع آموزش و پروش و رشد اقتصادی 54

2-4-سرمایه گذاری درآموزش و پرورش 62

2-5-توجیه اقتصادی درآموزش و پرورش64

2-6-کیفیت آموزش و پرورش 69

2-7-تحقیقات انجام شده درجهان 74

فصل سوم :روش اجرای تحقیق 88

متدولوژی تحقیق89

مقدمه 89

3-1-تابع تولید 93

3-1-1-روشهای پارامتری 93

3-1-2-روشهای ناپارامتری 94

3-2-ویژگیها و قابلیتهای روش تحلیل پوششی داده ها (DEA)95

3-2-1-مزایای روش تحلیل پوششی داده ها95

3-2-2-معایب روش تحلیل پوششی داده ها97

3-3-تعریف واحدهای تصمیم گیری (DMU)97

3-4-انواع کارایی ازدیدگاه فارل 98

3-5-کارایی درتحلیل پوششی داده ها (DEA)101

3-6-مدلهای DEA 102

3-6-1-مدل CCR103

3-6-1-1-تعریف کارایی درمدل CCR105

3-6-1-2-مثالهای مربوطه به مدل CCR105

3-6-1-3-مدلهای ستانده گراو نهاده گر درمدل CCR110

3-6-2-مدل BCC116

3-6-3-تفاوت CCR و BCC118

3-7-مدل اندرسن – پیترسون(AP)120

3-8-بررسی بازده مقیاس درروش DEA122

3-9-جمع بندی125

فصل چهارم :تجزیه و تحلیل داده ها 128

تجزیه و تحلیل نتایج حاصل از مدل DEA129

4-1- مقدمه 129

4-2-معرفی دبیرستانهای موردمطالعه130

4-3- انتخاب داده ها و ستانده ها 132

4-4-معرفی مدل مورد استفاده 134

4-5-تجزیه و تحلیل نتایج135

4-5-1-تاثیر آموزش برکارایی دبیرستانها 141

4-5-2-تاثیر تکنولوژی آموزشی برکارایی دبیرستانهای منطقه (2)149

4-5-3-بررسی فرضیات تحقیق 157

4-5-4-عامل تولید مازاد (اضافی) Slack159

4-5-5-انتخاب الگوی مناسب برای بنگاه 160

4-6-خلاصه ای از تجزیه و تحلیل نتایج 165

4-6-1-تجزیه و تحلیل جدول 16-4 167

4-6-2-فرق کارایی فنی و کارایی مقیاس 169

فصل پنجم :نتیجه گیری و پیشنهادات 171

نتیجه گیری و پیشنهادات 172 

منابع 174

 

چکیده


واژه های کلیدی: شاخص های آموزشی ، تکنولوژی آموزشی،‌کارایی نیروی انسانی در دبیرستانهای پسرانه منتخب منطقه 2 تهران.

 

سرمایه گذاری در نیروی انسانی از اساسی ترین بخشهای توسعه بلندمدت و پایدار است و برخی بر این باورند که بسیاری از مشکلات و معضلات موجود در جامعه ایران را بایست به عدم آموزش صحیح در دوران قبل از دانشگاه ارتباط داد. در این راستا این تحقیق خواهد کوشید اثر تکنولوژی آموزشی برکارایی نیروی انسانی دبیرستانهای پسرانه منتخب منطقه 2 تهران را مورد بررسی و ارزیابی قرار دهد. در این مطالعه از روش ناپارامتری تحلیل پوششی داده ها استفاده شده است.  ابتدا قرار بر این بود که اثرات شاخص آموزش و تکنولوژی آموزشی بر کارایی فنی نیروی انسانی مورد بررسی قرار گیرد ولی به دلیل محدودیتهای آماری در جمع آوری اطلاعات دبیرستانها و به دلیل اینکه تنها آمار 15 دبیرستان پسرانه منطقه 2 به دست محقق رسید به ناچار دو سناریو برای این تحقیق گزینش گردید. سناریوی اول به بررسی تأثیرات آموزش بر کارایی فنی نیروی انسانی می پردازد و سناریوی دوم نیز اثر تکنولوژی آموزشی بر کارایی را مورد ارزیابی قرار می دهد. داده های مورد استفاده در سناریوی اول(اثر آموزش) بر سطح کارایی عبارتند از: سرانه معلم به دانش آموزش (smd) ، میانگین سابقه کار معلمین (mskm) ، میانگین پیشرفت تحصیلی  دانش آموزان(mptd) ، و داده های مورد استفاده در سناریوی دوم(اثر تکنولوژی آموزشی بر سطح کارایی) نیز عبارتند از: سرانه کتاب به دانش آموز (skd) ، سرانه مساحت آزمایشگاه (sma) وسرانه کامپیوتر (sk) ، ستانده ها مورد استفاده در هر سناریو نیز میانگین دروس اختصاصی (mde) و میانگین دروس عمومی(mdo) بوده اند. نتایج این تحقیق نشان می دهند در هیچ یک از مدلهای روش تحلیل پوششی داده ها (CCRوBCC) ،‌رابطه معنی داری میان شاخصهای آموزشی و تکنولوژی آموزشی بر درجات کارایی دبیرستانها مورد مطالعه مشاهده نکرده ایم. بنابراین فرضیه های ما که مبنی بر تأثیر مثبت آموزش معلمان مدارس منطقه 2 و بکارگیری تکنولوژی آموزشی و محیط آموزشی بر کارایـی فنـی نیروی انسانی است رد می شود؛ در واقع این فرضیات شرطهای لازم هستند ولی کافی نمی باشند. به نظر می رسد در کارایی دبیرستانهای منطقه 2 عوامل دیگری نظیر کیفیت مدیریت و کیفیت تدریس، چگونگی قرار گرفتن مدارس از نقطه نظر جغرافیایی در درون منطقه 2 موثر بوده باشد.

 

مقدمه

آموزش و پرورش دررفتار فردی و اجتماعی انسانها نقش مهمی دارد. تأثیری که در فرآیند رشد اقتصادی کشورها می‌گذارد سبب شده تا شاخة جدیدی در علم اقتصاد، تحت عنوان “اقتصاد آموزش و پرورش” توسعه یابد. به خاطر نیازهای روزافزون جامعه به آموزش و پرورش، از پیشرفت قابل ملاحظه ای برخوردار بوده و مطالعات گوناگونی در این زمینه صورت گرفته است. آموزش و پرورش از قدیمی‌ترین نهادهای اجتماعی است که با بسیاری از نهادها بویژه نهاد خانواده، دین و سیاست و اقتصاد رابطه ای محکم دارد.

 

تحول هر یک از نهادهای فوق با نقش آموزش و پرورش در ارتباط است. و از طریق آموزش و پرورش، فرهنگ یا ارزشها و نگرشها، دانش‌ها و مهارت‌ها از نسلی به نسل دیگر یا از جامعه‌ای به جامعة دیگر انتقال می‌یابد. از طرف دیگر آموزش و پرورش از طریق تحولاتی که در رفتار فردی بوجود می‌آورد و در رشد و پویایی فرهنگ جامعه تأثیر عمیقی می‌گذارد. در حقیقت میزان مشارکت مردم در فعالیتهای اقتصادی، اجتماعی و سیاسی که در تحول جامعه نقش اساسی دارد وابسته به آموزش و پرورش آنان است. مدارس، علاوه بر انتقال علم و دانش، ارزشهای دیگری از جمله نظم و انضباط، تعهد و احساس مسئولیت را در جوانان ایجاد کرده و تقویت می‌نمایند. آموزش و پرورش مردم را تواناتر و قدرت تولید آنان را افزون‌تر ‌نموده و در کاهش نابرابریهای درآمدی نقش قابل ملاحظه‌ای دارد. زیرا از طریق بالا بردن قدرت تولید، سطح عمومی درآمدها را افزایش می‌دهد. از طرفی رشد سریع جمعیت و تقاضای روزافزون برای آموزش، موجب شده تا جامعه نیز منابع قابل توجهی را به این بخش اختصاص دهد.

 

از آنجا که با وجود محدودیتهای زیاد منابع قسمت قابل توجهی از بودجه دولتها به آموزش و پرورش اختصاص می‌یابد،‌جامعه علاقمند است از منطقی بودن تخصیص چنین منابعی به امر آموزش و پرورش اطمینان حاصل کند و یا به عبارت دیگر از کارایی نظام آموزشی و رسالت آن جهت نیل به اهداف تعیین شده مطمئن گردد. در راستای چنین هدفی ضرورت با توجه به هزینه های انجام شده برای آموزش معلمان و تکنولوژی آموزشی بکار رفته در مدارس به بررسی این موضوع بپردازیم که آیا انجام چنین هزینه‌هایی نتایج لازم و مورد انتظار را داشته است. هدف عمده این تحقیق پاسخ به سؤال بالا از طریق یک مطالعه موردی به منظور تعیین کارایی نیروی انسانی (معلمان مدارس منتخب) و عوامل مؤثر بر آن (در دبیرستانهای پسرانه منتخب منطقه 2 تهران) در سالهای مورد بررسی است به عبارت دیگر این تحقیق در صدد آن است که نحوه تأثیرگذاری آموزش معلمان مدارس، محیط آموزش و تکنولوژی آموزشی بر کارایی نیروی انسانی (معلمان مدارس) در نمونه تحت بررسی را مطالعه نماید.

 

بیان مسأله و اهمیت موضوع

 

بسیاری از صاحبنظران اعتقاد دارند که وجوه اختصاص یافته به آموزش و پرورش را می‌توان هزینه‌های سرمایه‌گذاری به حساب آورد. از این رو، تخصیص بودجه کافی به امر آموزش و پرورش با توجه به بنیادی بودن آن ضروری است. توجه به این بخش آثار مثبت و نتایج اجتماعی، اقتصادی متعددی به دنبال دارد که به بررسی اجمالی آن می‌پردازیم:

 

1-2- شناخت و طبقه بندی فواید اقتصادی آموزش و پرورش:

 

آموزش و پرورش جزو آن دسته از کالاهای عمومی است که تولید آنها نه تنها برای فرد، بلکه برای جامعه بسیار مفید می‌باشد. به این معنی که آموزش فردی،‌بازتاب‌ها و پیامدهای متنوع اجتماعی به دنبال دارد. فردی که آموزش می‌بیند نه تنها خود را از توانایی‌ها و کفایت های قابل توجهی برخوردار می‌شود بلکه تحصیلات او در محیط منزل، محیط کار در جامعه آثار بسیار گسترده ای دارد. برای آ نکه به صورت سیستماتیک با مسأله برخورد نماییم می توانیم فواید اقتصادی آموزش و پرورش را به طور کلی به فواید خصوصی و فواید اجتماعی تقسیم کنیم. این فایده‌ها نیز هر یک به نوبه خود به فواید مستقیم و غیرمستقیم تقسیم می‌شوند. در این بخش ابتدا فواید خصوصی و سپس فواید اجتماعی آموزش و پرورش بطور مختصر مورد شناسائی و مطالعه قرار می‌گیرد.

 

1-2-1- فواید خصوصی آموزش و پرورش

 

این فواید به آن دسته از مزایایی اطلاق می‌شود که منحصراً افراد از آن بهره‌مند می‌شوند. فواید خصوصی را می‌توان به دو بخش مجزا تقسیم نمود: فواید مستقیمی که آموزش نصیب افراد می‌کند و فواید غیرمستقیمی که افراد آموزش دیده از آن بهره می‌برند.

 

1-2-2-فواید خصوصی مستقیم

 

فایده مستقیم خصوصی ناشی از سرمایه گذاری در آموزش، در حقیقت همان اضافه درآمدی است که افراد تحصیل کرده بدلیل ارتقاء سطح توانایی ها و بهره وری دریافت می‌دارند. مهمترین اثر اقتصادی آموزش در واقع افزایش قدرت تولید و دستیابی به درآمدهای بیشتر است. بنابراین فایده خصوصی مستقیم آموزش، افزایش سطح درآمدی فرد است.

 

ممکن است هنگام انتقال از فایل ورد به داخل سایت بعضی متون به هم بریزد یا بعضی نمادها و اشکال درج نشود ولی در فایل دانلودی همه چیز مرتب و کامل است

متن کامل را می توانید در ادامه دانلود نمائید

چون فقط تکه هایی از متن برای نمونه در این صفحه درج شده است ولی در فایل دانلودی متن کامل همراه با تمام ضمائم (پیوست ها) با فرمت ورد word که قابل ویرایش و کپی کردن می باشند موجود است

 


دانلود با لینک مستقیم


اثر شاخص‌های آموزشی و تکنولوژی آموزشی بر کارائی نیروی انسانی در دبیرستان‌های پسرانه منتخب منطقه 2 تهران (رشته مدیریت، گروه اقتصاد)