تحقیق درباره تقویت کننده های عملیاتی یا آپ امپ 7 ص

اختصاصی از هایدی تحقیق درباره تقویت کننده های عملیاتی یا آپ امپ 7 ص دانلود با لینک مستقیم و پر سرعت .

دسته بندی : برق و الکترونیک ،مخابرات،

فرمت فایل:  ورد ( قابلیت ویرایش و آماده چاپ ) 

---

 قسمتی از محتوای متن ...

تعداد صفحات : 7 صفحه

تقویت کننده های عملیاتی تقویت کننده های عملیاتی به اختصار آپ امپ نامیده می شو ند.
و به صورت مدار مجتمع در دسترس می باشند.
این تقویت کننده ها از پایداری بالایی برخوردارند.
، و با اتصال ترکیب مناسبی از عناصر خارجی مثل مقاومت،خازن،دیود و غیره به آنها،می توان انواع عملیات خطی و غیر خطی را انجام داد.
از ویژگیهای اختصاصی تقویت کننده های عملیا تی ورودی تفاضلی و بهره بسیار زیاد است.
این المان الکترونیکی اختلاف میان ولتاژهای ورودی در پای های مثبت و منفی را در خروجی با تقویت بسیار با لایی آشکار می سازد.
حتی اگر این اختلاف ولتاژ کوچک نیز باشد.
،آنرا به سطح قابل قبولی از ولتاژ‌ در خروجی تبدیل می کند.
به شکل مداری این المان در زیر توجه کنید.
این المان همواره دارای دو پایه مثبت و منفی در ورودی،این دو پایه ورودی مستلزم یک پایه در خروجی هستند.
پایه ورودی مثبت را در اصطلاح لاتین noninverting و پایه منفی را inverting می گویند.
نحوه عملکرد op_amp این المان بسته به وضعیت پایه های ورودی و خروجی دارای شرایط و عملکرد متفاوتی خواهد شد که در زیر به توضیح راجب این وضعیت ها می پردازیم.
اگر inverting > noninverting باشد.
خروجی به سمت منفی VSS اشباع می شود.
منظور از منفی VSS مقدار منفی ولتاژ تغذیه آیسی است.
مثلا اگر ولتاژ ورودی 5 ولت باشد و ورودی پایه منفی دارای ولتاژی بزرگتر از ورودی پایه مثبت باشد.
خروجی به سمت منفی 5 ولت به اشباع می رود.
اگر inverting < noninverting باشد.
خروجی به سمت مثبت VSS اشباع می شود.
مثلا اگر تغذیه آیسی 5 ولت باشد.
و ورودی پایه مثبت دارای ولتاژی بزرگتر از پایه منفی باشد.
خروجی به سمت مثبت 5 ولت به اشباع می رود.
  متن بالا فقط تکه هایی از محتوی متن مقاله میباشد که به صورت نمونه در این صفحه درج شدهاست.شما بعد از پرداخت آنلاین ،فایل را فورا دانلود نمایید 

---

  لطفا به نکات زیر در هنگام خرید دانلود مقاله :  توجه فرمایید.

• در این مطلب،محتوی متن اولیه قرار داده شده است.
• به علت اینکه امکان درج تصاویر استفاده شده در ورد وجود ندارد،در صورتی که مایل به دریافت  تصاویری از ان قبل از خرید هستید، می توانید با پشتیبانی تماس حاصل فرمایید.
  
• پس از پرداخت هزینه ،ارسال آنی مقاله یا تحقیق مورد نظر خرید شده ، به ادرس ایمیل شما و لینک دانلود فایل برای شما نمایش داده خواهد شد.
• در صورت  مشاهده  بهم ریختگی احتمالی در متون بالا ،دلیل آن کپی کردن این مطالب از داخل متن میباشد ودر فایل اصلی این ورد،به هیچ وجه بهم ریختگی وجود ندارد.
• در صورتی که محتوی متن ورد داری جدول و یا عکس باشند در متون ورد قرار نخواهند گرفت.
• هدف اصلی فروشگاه ، کمک به سیستم آموزشی میباشد.
• توجه فرمایید که قیمت تحقیق و مقاله های این فروشگاه کمتر از 5000 تومان میباشد (به علت  اینکه بانک ها کمتر از 5تومان را انتقال نمیدهند) باید از کارت هایی استفاده نمایید که بتوان کمتر از مبلغ ذکر شده را پرداخت نمود.. در صورتی که نتوانستید پرداخت نمایید با پشتیبانی در تماس باشید،تا شمارا راهنمایی نمایند...

---

دانلود فایل   پرداخت آنلاین 

تقویت کننده:

اختصاصی از هایدی تقویت کننده: دانلود با لینک مستقیم و پر سرعت .

لینک دانلود و خرید پایین توضیحات

فرمت فایل word  و قابل ویرایش و پرینت

تعداد صفحات: 16

تقویت کننده:

یک آمپلی فایر قدرت منولیتیکی Si PCS-CDMA با 30%PAE در 1.9GH2 با استفاده از یک شمای بایاس کردن جدید.

چکیده:

یک آمپلی فایر قدرت (PA) منولیتیک Si برای سیستم ارتباطات شخصی (PCS)- CDMA قادر به ایجاد توان خروجی 28.2dBm با 30% بازده افزوده توان و 45dB نسبت توان کانال مجاور در 1.9GHz و 3.6V ولتاژ تغذیه برای اولین بار در این مقاله ارائه می شود. PA بکار گرفته شده در یک فرایند 30GHz-Bicmos از یک شمای بایاس قابل کنترل با امپدانس به منظور کنترل کلاس کاری و مقاومت بایاس طبقه خروجی استفاده می کند. برای مقایسه هر دو نتایج و داده های شبیه سازی شده و اندازه گیری شده نشان داده شده اند.

عبارات متن: مدارات مجتمع آنالوگ BiCMOS- دستیابی چندگانه تقسیم کد، آمپلی فایرهای قدرت، آمپلی فایرهای فرکانس رادیویی.

1- مقدمه

تقویت کننده های قدرت رادیویی (RF) منولیتیکی (PAS) برای کاربرد در گوشی موبایل از لحاظ نسبتی در قلمرو تکنولوژیهای GaAs بودند. کوششهائی برای طراحی PAS غیرخطی در هر دو باند فرکانس سلولی (900MHz) و باند فرکانس سیستم ارتباطات شخصی (1.96GHz) با استفاده از تکنولوژیهای Si صورت گرفته است. اخیراً PAS فرکانس زیاد خطی با استفاده از تکنولوژی ترانزیستورهای دو قطبی اتصال ناهمگن (HCBT) Sge در بالای دو باند بالا شرح داده شده اند.

PA برای کاربردهای دسترسی چندگانه تقسیم کننده کد (CDMA) در باند پایین باید بتواند 28dBm قدرت (توان) خروجی با PAE 30% (بازده افزوده توان) و 44.1dBc نسبت توان کانال مجاور (ACPR) ایجاد کننده در حالیکه CDMA AP در باند بالایی می تواند 30dBm قدرت (توان) خروجی با 41F% PAE و 46dBc- ACPR ایجاد کنند.

بهرحال مورد اخیر هنوز یک راه حل ترکیبی است. بهره RFAS منولیتیک Si از لحاظ هزینه پایین مجتمع سازی با سایر مدارات وسیع و اصلی بر پایه Si دارای مزایائی است. تابحال هیچ گونه Si PCS-CDMA PA منولیتیکی گزارش نشده است.

شمای هدولاسیون سیستم CDMA نیازمند است که PA استفاده شده در گوشی بصورت زیادی خطی باشد و بنابراین طراحی یک PCS-CDMA PA منولیتیکی با کارآئی (بازده) زیاد است.

با استفاده از تکنولوژیهای Si به دلیل تلفات سوبسترا و پارازیتهای ذاتی زیادشان مشکل است.

یک Si PCS-CDMA PA منولیتیک قادر به ایجاد توان خروجی برابر با 28.2dBm با PAE 30%، ACPR - 45dBc و بهره 21.5dB در 1.9GHz و ولتاژ تغذیه 3.6V برای اولین بار در این مقاله شرح داده می شود. PA بصورت تراشه روی بورد اتصالی (COB) با قطعات نصب سطحی ارزان قیمت برای هر دو شبکه های تطبیق دهنده ورودی و خروجی ساخته شده است. نتایج از یک بورد آزمایشی RF-4 با استفاده از یک سیستم اندازه گیری بدست آمده اند.

در بخش 2 یک شمای بایاس کردن مرسوم برای طبقه خروجی PA مورد بحث قرار گرفته است. یک شمای بایاس کردن کنترل شده با امپدانس برای PA و مزایای آن نسبت به روش مرسوم در بخش 3 ارائه شده است. نتایج شبیه سازی شده و اندازه‌گیری شده PA با شمای بایاس کردن کنترل شده با امپدانس در بخشهای 4و5 به ترتیب داده شده اند. مطالب، در آخر، در بخش 6 نتیجه گیری شده است.

2- شمای بایاس کردن متداول

شکل 1 یک شکل شماتیک ساده شده یک PA شامل 2 طبقه امیتر مشترک (Q0,Q1) را نشان می دهد. شبکه تطبیق دهنده خروجی از خازنهای C3 تا C5، القاگرهای L2 و دو خط انتقال یعنی هادی های موج هم صفحه (CPWS) تشکیل شده است. شبکه تطبیق دهنده ورودی از خازنهای C6 و C7 و خط انتقال (یعنی CPW) ساخته شده است. طبقه ورودی از طریق یک مقاومت روی تراشه R6 با استفاده از ولتاژ بایاس V6 به منظور سادگی بایاس شده است. یک مدار آینه جریان متداول متشکل از Q2 و Q3 برای بایاس کردن طبقه خروجی مورد استفاده قرار گرفته است.

در شکل 1، Lgnd1 و Lgnd2 و Lgnd3، انداکتورهای زمین متشکل از سیمهای اتصالی هستند. L2,L1 انداکتورهای خارج از تراشه می باشند. شبکه تطبیق دهنده بین طبقه ای از یک خازن روی تراشه L1,C1 ایجاد شده با استفاده از یک سیم اتصال و یک مدار فیبر مدار چاپی (PCB) تشکیل شده است. C2 یک خازن کنارگذر (bypass) خط روی تراشه می باشد.