پاورپوینت حافظه ها 9 اسلاید

اختصاصی از هایدی پاورپوینت حافظه ها 9 اسلاید دانلود با لینک مستقیم و پر سرعت .

دسته بندی : پاورپوینت 

نوع فایل:  ppt _ pptx

( قابلیت ویرایش )

---

 قسمتی از اسلاید پاورپوینت : 

تعداد اسلاید : 9 صفحه

Y         FLASH حافظه های حافظه ها ی الکترونیکی با اهداف متفاوت و به اشکال گوناگون تاکنون طراحی و عرضه شده اند.
حافظه فلش ، یک نمونه از حافظه های الکترونیکی بوده که برای ذخیره سازی آسان و سریع اطلاعات در دستگاههائی نظیر : دوربین های دیجیتال ، کنسول بازیهای کامپیوتری و ...
استفاده می گردد.
حافظه فلش اغلب مشابه یک هارد استفاده می گردد تا حافظه اصلی .
در تجهیزات زیر از حافظه فلش استفاده می گردد : · تراشهBIOS موجود در کامپیوتر · CompactFlash که در دوربین های دیجیتال استفاده می گردد .
· SmartMedia که اغلب در دوربین های دیجیتال استفاده می گردد · Memory Stick که اغلب در دوربین های دیجیتال استفاده می گردد .
· کارت های حافظه PCMCIA نوع I و II · کارت های حافظه برای کنسول های بازیهای ویدئویی حافظه های الکترونیکی حافظه فلاش یک نوع خاص از تراشه های EEPROM است .
حافظه فوق شامل شبکه ای مشتمل بر سطر و ستون است .
در محل تقاطع هر سطر و یا ستون از دو ترانزیستور استفاده می گردد.
دو ترانزیستور فوق توسط یک لایه نازک اکسید از یکدیگر جدا شده اند.
یکی از ترانزیستورها Floating gate و دیگری Control gate خواهد بود.
Floatino gate صرفا" به سطر (WordLine) متصل است .
تا زمانیکه لینک فوق وجود داشته باشد در سلول مربوطه مقدار یک ذخیره خواهد بود.
بمنظور تغییر مقدار یک به صفر از فرآیندی با نام Fowler-Nordheim tunneling استفاده می گردد. از Tunneling بمنظور تغییر محل الکترون ها در Floating gate استفاد می شود.
یک شارژ الکتریکی حدود 10 تا 13 ولت به floating gate داده می شود.
شارژ از ستون شروع ( bitline) و سپس به floating gate خواهد رسید .در نهایت شارژ فوق تخلیه می گردد( زمین ) .شارژ فوق باعث می گردد که ترانزیستور floating gate مشابه یک "پخش کننده الکترون " رفتار نماید .
الکترون های مازاد فشرده شده و در سمت دیگر لایه اکسید به دام افتاد و یک شارژ منفی را باعث می گردند. الکترون های شارژ شده منفی ، بعنوان یک صفحه عایق بین control gate و floating gate رفتار می نمایند.دستگاه خاصی.
مبانی حافظه فلش با نام Cell sensor سطح شارژ پاس داده شده به floating gate را مونیتور خواهد کرد.
در صورتیکه جریان گیت بیشتر از 50 درصد شارژ باشد ، در اینصورت مقدار یک را دارا خواهد بود.زمانیکه شارژ پاس داده شده از 50 درصد آستانه عدول نموده مقدار به صفر تغییر پیدا خواهد کرد.یک تراشه EEPROM دارای گیت هائی است که تمام آنها باز بوده و هر سلول آن مقدار یک را دارا است در این نوع حافظه ها ( فلش) ، بمنظور حذف از مدارات پیش بینی شده در زمان طراحی ( بکمک ایجاد یک میدان الکتریکی) استفاده می گردد.
در این حالت می توان تمام و یا بخش های خاصی از تراشه را که " بلاک " نامیده می شوند، را حذف کرد.این نوع حافظه نسبت به حافظه های EEPROM سریعتر است ، چون داده ها از طریق بلاک هائی که معمولا" 512 بایت می باشند ( به جای یک بایت در هر لحظه ) نوشته می گردند.
فلش دیسک و یا فلش درایو ، یکی از جدیدترین دستگاه های ذخیره سازی اطلاعات است که با توجه به ویژگی های منحصر بفرد خود توانسته است در کانون توجه علاقه مندان

  متن بالا فقط قسمتی از اسلاید پاورپوینت میباشد،شما بعد از پرداخت آنلاین ، فایل کامل را فورا دانلود نمایید 

---

  لطفا به نکات زیر در هنگام خرید دانلود پاورپوینت:  توجه فرمایید.

• در این مطلب، متن اسلاید های اولیه قرار داده شده است.
• به علت اینکه امکان درج تصاویر استفاده شده در پاورپوینت وجود ندارد،در صورتی که مایل به دریافت  تصاویری از ان قبل از خرید هستید، می توانید با پشتیبانی تماس حاصل فرمایید
• پس از پرداخت هزینه ،ارسال آنی پاورپوینت خرید شده ، به ادرس ایمیل شما و لینک دانلود فایل برای شما نمایش داده خواهد شد
• در صورت  مشاهده  بهم ریختگی احتمالی در متون بالا ،دلیل آن کپی کردن این مطالب از داخل اسلاید ها میباشد ودر فایل اصلی این پاورپوینت،به هیچ وجه بهم ریختگی وجود ندارد
• در صورتی که اسلاید ها داری جدول و یا عکس باشند در متون پاورپوینت قرار نخواهند گرفت.
  
• هدف فروشگاه کمک به سیستم آموزشی و یادگیری ، علم آموزان میهن عزیزمان میباشد. 
  

---

 « پرداخت آنلاین و دانلود در قسمت پایین »

تحقیق در مورد چگونه حافظه خود را تقویت کنیم 16 ص

اختصاصی از هایدی تحقیق در مورد چگونه حافظه خود را تقویت کنیم 16 ص دانلود با لینک مستقیم و پر سرعت .

لینک دانلود و خرید پایین توضیحات

دسته بندی : وورد

نوع فایل :  .doc ( قابل ویرایش و آماده پرینت )

تعداد صفحه : 16 صفحه

---

 قسمتی از متن .doc : 

چگونه حافظه خود را تقویت کنیم؟

ما بسیاری از مطالب را خوب به یاد می آوریم و برخی را سریعا فراموش می کنیم. بعضی از مردم تاثیر زیادی بر ما می گذارند و می توانیم آنها را مدتها به خاطر بسپاریم ، اما درباره بعضی افراد حتی نامشان را در ذهن خود ثبت نمی کنیم. چرا حافظه ما همواره یکسان عمل نمی کند و چرا برخی افراد حافظه بهتری دارند؟ حافظه خوب ، بجز در موارد استثنایی ، هدیه خاص برای افراد خاص نیست ، بلکه اکثرا محصول تلاش آگاهانه و سازمان یافته هر فرد است که از نیاز به دانستن و به یاد آوردن موفقیت آمیز، ناشی می شود.

هنر و علم هر دو عواملی هستند که می توانند نتایج شگفت آوری را از طریق تلاش دایم ایجاد کنند. حتی با کمی تمرین و مقداری آگاهی کلی از عواملی که در ایجاد یک حافظه بهتر موثرند، به نتایج مثبتی می توان دست یافت.

در اینجا به برخی رموز یک حافظه خوب ، یعنی عواملی که می توانند در ایجاد حافظه قوی موثر باشند، اشاره می کنیم.

علاقه

این یک قانون است ؛ اگر شما علاقه مند نباشید، به خاطر نخواهید سپرد. ما آنچه را که بدان علاقه مندیم ، به یاد می آوریم ؛ آنچه را که می توانیم خودمان را با آن در ارتباطی تنگاتنگ قرار دهیم ، آنچه را که کنجکاوی ما را برمی انگیزد، یا عمیقا آن را لمس می کنیم. اگر شما اختصاصا به یک موضوع یا رویداد ویژه علاقه مند هستید، احتمال کمی وجود دارد که آن را فراموش کنید. بنابراین برای به خاطر سپردن سعی کنید علاقه به آن را در خود ایجاد کنید.

توجه

این قانون دوم است: اگر شما علاقه مند نباشید، توجه نخواهید کرد و اگر توجه نکنید، به خاطر نخواهید سپرد.

به جزییات توجه کنید و حالت های متمایز را جستجو کنید. چیزها را با هم مقایسه کنید تا شباهت یا عدم شباهت آنها را دریابید. به هر چیزی طوری نگاه کنید که گویی برای اولین بار است آن را می بینید. هنگام مشاهده و تحلیل از شلوغی ذهن پرهیز کنید. بگذارید حواس شما به بهترین نحو عمل کند. فرآیند مشاهده شامل 4 عنصر ضروری به نام توجه کامل ، تمرکز، توجه خلاق و درک آگاهانه است. دقت کنید توجه کامل (Concentration)و تمرکز (Focus) به یک منظور اما به طرق متفاوت عمل می کنند. اولی یک نقطه خاص و دومی یک حوزه خاص را دربرمی گیرد. در مورد اول شما جزییات کوچک را می بینید، در حالی که در حالت دوم تصویر بزرگتری را از بخشهای مختلف یک موضوع و کل آن در نظر می گیرید.

توجه خلاق به شما کمک می کند هر چیزی را از زوایای مختلف از نو بنگرید و با آنچه مشاهده می کنید، آگاهانه آشنا شوید. اگر در توجه خود درنگ کنید، توجه کامل داشته باشید و تمرکز کنید، به احتمال زیاد به خاطر خواهید سپرد.

درک

این قانون سوم است. آنچه را که درک نکنید، بخوبی به ذهن نخواهید سپرد. شما آن چیزی را به یاد می آورید که درک کرده اید و مفهومی از آن در ذهنتان نقش بسته است. بنابراین ضروری به نظر می رسد که آنچه را یاد می گیرید، آنالیز و سعی کنید آن را بفهمید. موارد شک را از بین ببرید و در پی آن باشید تا مطلب برایتان واضح شود. یادداشت های ذهنی و توضیحی داشته باشید تا مطمئن شوید آنچه را که باید به یاد بسپارید، کاملا درک کرده اید.

تکرار

و اما قانون چهارم ، اجازه دهید خاطره در ذهن شما نقش بندد، به طوری که به مدت طولانی باقی بماند، نه این که مانند ردپایی روی شن به زودی ناپدید شود.

مکرر بخوانید، بنویسید، ترسیم کنید و به ذهن بسپارید تا موضوع کاملا در ذهنتان ثبت شود. حفظ برخی موضوعات به تلاش بیشتری نیاز دارد و برخی دیگر سعی کمتری را می طلبد، اما به هر حال در همه موارد تکرار بیشتر به خاطر سپردن بیشتری را تضمین می کند.

مرور

هر از گاه آنچه را به ذهن سپرده اید، مرور کنید. این یکی از راههایی است که باعث تقویت حافظه ، تداوم اتصالات نورونی و ظاهر کردن دوباره مطالبی است که زیر لایه های جدید دانستنی های تازه کسب شده پنهان شده اند.

به کارگیری

هر آنچه می آموزید، عملا به کار گیرید. چیزی را که فهمیده اید تمرین کنید. دانش تئوری خود را مورد استفاده عملی قرار دهید.

تحقیق در مورد تقویت کننده حافظه

اختصاصی از هایدی تحقیق در مورد تقویت کننده حافظه دانلود با لینک مستقیم و پر سرعت .

لینک دانلود و خرید پایین توضیحات

دسته بندی : وورد

نوع فایل :  .doc ( قابل ویرایش و آماده پرینت )

تعداد صفحه : 17 صفحه

---

 قسمتی از متن .doc : 

غذاهای تقویت کننده حافظه

فرآیندهای زیادی باعث گرفتگی رگ های قلب، پیدایش سلول های سرطانی و آسیب شبکه ارتباطی اعصاب در مغز می شوند.

سبزیجات و میوه ها دارای مواد آنتی اکسیدانی هستند. مغز برای خنثی کردن رادیکال های آزاد نیاز به آنتی اکسیدان ها دارد. رادیکال های آزاد به سلول های عصبی آسیب می رسانند و عمل واسطه های شیمیایی اعصاب را مختل می کنند.

وقتی سن شما افزایش می یابد، قدرت دفاعی بدنتان ضعیف می شود، در نتیجه اثر تخریبی رادیکال های آزاد افزایش می یابد.

آنتی اکسیدان ها، حالت ارتجاعی رگ ها و قوت ضربان های قلب را حفظ می کنند. 20 درصد خون خارج شده از قلب به مغز می رود. هر چیزی که مانع از جریان خون به مغز شود، قدرت یادگیری و ذهنی فرد را کاهش می دهد.

وقتی که جریان خون در مغز مختل شود، باعث سکته و خونریزی مغزی می شود؛ چنین چیزی خطرناک و کشنده است. به تدریج یک سری حملات مغزی ضعیف اتفاق می افتد که در ابتدا باعث کاهش حافظه و فراموشی می شود و در نهایت رگ های مغزی آسیب می بینند و حالتی شبیه بیماری آلزایمر به وجود می آید.

افزایش هموسسیتئین خون (اسید آمینه ای که از هضم پروتئین حیوانی در بدن تولید می شود) رگ های خونی را مجروح می کند و باعث پیدایش پلاک ( بافت زخمی و مجروح ) می شود.

یک بررسی نشان داد افزایش هموسسیتئین خون، حافظه مردان مسن را کاهش می دهد. مطالعات دیگری نیز ثابت کرده که این امر باعث تنگ شدن سرخرگ های کاروتید ( رگ های بزرگی که خون را به مغز می رسانند) می شود.

فشار خون بالا، سرخرگ ها و سیاهرگ ها را ملتهب می کند و باعث تنگ شدن آنها می شود و شرایطی را به وجود می آورد که پلاک ها افزایش می یابد و سکته مغزی رخ می دهد.

افرادی که به طور مزمن دارای فشار خون بالا هستند، با افزایش سن ، در یادآوری ، خلاصه کردن و بررسی مطالب دچار مشکل می شوند. اسکن مغزی نشان می دهد افراد دچار فشار خون بالا، بی سبب دچار حملات خفیف مغزی می شوند. محققین می گویند حتی افزایش جزئی فشار خون، تغییرات عمده ای در مغز به وجود می آورد.

تغذیه و نگهداری قدرت حافظه

1- مرحله اول، مصرف کمتر نمک و چربی های اشباع است. رژیمDASH  که دارای میوه و سبزی فراوان و لبنیات کم چرب است، همان اثر داروها را در کاهش فشار خون بالا دارد.

2- اسیدهای چرب امگا-3 میزان حملات قلبی و افسردگی را کاهش می دهد. اسیدهای چرب غیر اشباعLDL را کاهش داده وHDL را افزایش می دهند.

3- زغال اخته و توت فرنگی و اسفناج منبع غنی آنتوسیانین هستند. آنتوسیانین توانایی سلول های عصبی را برای پاسخ به واسطه های شیمیایی حفظ می کند. همچنین مانع از تشکیل لخته های خونی می شود ( رقیق کننده های خون) . این سه ماده غذایی کشسانی رگ های خونی را حفظ می کند و انتقال پیام های عصبی را بهبود می بخشد .

سایر مواد غذایی مثل کلم قرمز، انگور، آلو و آلبالو نیز همین اثرات را دارند.

اسفناج دارای آنتی اکسیدان فراوانی است که شامل بتا کاروتن ( پیش ساز ویتامینA)، ویتامینC و اسید فولیک است.

4- سیر تا 12 درصد میزان کلسترول بالا را کاهش می دهد. همچنین انعطاف پذیری رگ های خونی را حفظ می کند. برای این منظور روزانه 4 حبه سیر را به صورت خام یا نیمه پخته مصرف کنید، یا اینکه 2 تا 8 عدد کپسول 50 میلی گرمی را که حاوی عصاره سیر است بخورید.

5- سویا نیز کلسترول خون را کاهش می دهد. موادی در سویا وجود دارد که از اکسیده شدنLDL جلوگیری می کنند و مانع از اثرات آتروژنیک رادیکال های آزاد ( تشکیل پلاک در دیواره داخلی سرخرگ ها ) می شود.

اثر سویا در کاهش کلسترول فقط برای افراد دچار کلسترول بالا موثر است، ولی اثر آنتی اکسیدانی آن برای همه افراد مفید است.

فیتواستروژن های سویا، هورمون های گیاهی هستند که محققین اعتقاد دارند مانند هورمون استروژن باعث تقویت حافظه می شوند.

قرص های هوش :

1-اسید فولیک :برای رفع هموسیستئین ( اسید آمینه خطرناک ) بدن لازم است. تحقیقات ثابت کرده است در اثر کاهش اسید فولیک، ویتامین هایB6 وB12 در خون، مشکلاتی نظیر کاهش سطح  ادراک در افراد مسن، اشکال در یاد آوری، تمرکز حواس و افزایش هموسیستئین خون به وجود می آید.

2-ویتامینB12 :برای نگهداری سلول های عصبی ضروری است. حتی اگر این ویتامین در حداقل مقدار طبیعی باشد، برای بدن مضر است و بایستی دارای مقدار نرمال خود باشد. رفتار و حافظه افراد با مکمل دهی ویتامین های گروهB بهبود

مقاله درباره حافظه داخلی تلفن

اختصاصی از هایدی مقاله درباره حافظه داخلی تلفن دانلود با لینک مستقیم و پر سرعت .

لینک دانلود و خرید پایین توضیحات

فرمت فایل word  و قابل ویرایش و پرینت

تعداد صفحات: 49

وزارت علوم، تحقیقات و فن آوری

مؤسسه آموزش عالی

جهاد دانشگاهی یزد

دانشکده فنی - مهندسی

پایان نامه جهت اخذ درجه کاردانی

در رشته برق - الکترونیک

عنوان :

حافظه داخلی تلفن

فهرست مطالب

عنوان صفحه

چکیده 1

مقدمه 2

انواع میکرو پروسسورها 5

مختصری راجع به AVR 8

خصوصیات Atmega16L 11

پیکره بندی LCD 26

تعیین نوعLCD 27

شماتیک آی سی ATMEGA16 33

نرم افزاروسخت افزار حافظه...............................................................................................34

نرم افزار...............................................................................................................................35

شکل مدار سخت افزار .46

ضمایم .48

بنام خدا

چکیده :

"حافظه داخلی تلفن" شاید هنوز برای عده ای این اسم نا مفهوم باشد یا اینکه آن را با CALLERIDاشتباه بگیرند.

حافظه داخلی تلفن یعنی ذخیره سازی تعدادی شماره روی تلفن تا با زدن تنها دکمه ای شماره مورد نظر ما گرفته .

پروژهمن در این رابطه توسط برنامه ای به عنوان میکرو کنترلرAVR طراحی شده است.

این دستگاه قابلیت ذخیره سازی 10 شماره را داراست.

این پروژه طی سه مرحله انجام شده است.

1. مرحله نرم افزاری که مربوط به بخش برنامه نویسی است (مهمترین مرحله)

2. مرحله سخت افزاری

3. مرحله مطالعهو پژوهش جهت تهیه پایان نامه

تاریخچه و مقدمه :

ریزپردازنده وسیله ای است که می توان با دادن فرمان آن را به عملیات مختلف واداشت . یعنی یک کنترل کننده قابل برنامه ریزی است . همه ریزپردازنده ها سه عمل اساسی یکسانی را انجام می دهند : انتقال اطلاعات ، حساب و منطق ، تصمیم گیری ، اینها سه کار یکسان هستند که به وسیله هر ریزپردازنده ، کامپیوتر کوچک یا کامپیوتر مرکزی انجام می شود .

اولین ریزپردازنده تک تراشه ای ، ریزپردازنده Intel 4004 بود که توانست دو عدد 4 بیتی دودویی را جمع کند و عملیات متعدد دیگری را انجام دهد .

4004 با معیارهای امروزی یک وسیله کاملا ابتدایی بود که می توانست 4096 مکان مختلف را آدرس دهد. برای حل این مسئله بود که ریزپردازنده 8 بیتی ( 8008 ) به وسیله شرکت Intel معرفی شد .

Intel 8008:

Intel 8008 توانست اعداد 8 بیتی را ( که بایت نامیده می شوند ) به کار گیرد ، که این خود پیشرفت بزرگی نسبت به 4004 بود . تقریبا در همان زمان گشایشی در ساختن مدارهای منطقی NMOS ( نیمه هادی اکسید فلز از نوع N )پیش آمد . منطق NMOS بسیار سریع تر از PMOS است . به علاوه از یک منبع تغذیه مثبت استفاده می کند که آن را برای اتصال به مدارهای منطقی TTL سازگارتر می کند . خصوصیات مذکور از این جهت دارای اهمیت است که بسیاری از مدارهای جنبی ریزپردازنده از نوع TTL هستند . NMOS سرعت ریزپردازنده را با ضریبی در حدود 25 بار افزایش می دهد که رقم چشمگیری است .

این تکنولوژی جدید درساختمان ریزپردازنده معروف امروزی یعنی Intel 8080 به کار برده شد .

تحقیق درباره حافظه RAM

اختصاصی از هایدی تحقیق درباره حافظه RAM دانلود با لینک مستقیم و پر سرعت .

لینک دانلود و خرید پایین توضیحات

فرمت فایل word  و قابل ویرایش و پرینت

تعداد صفحات: 11

حافظه RAM

 حافظه (RAM(Random Access Memory شناخته ترین نوع حافظه در دنیای  کامپیوتر است . روش دستیابی به این نوع از حافظه ها  تصادفی است . چون می توان به هر سلول حافظه مستقیما" دستیابی پیدا کرد . در مقابل حافظه های RAM ، حافظه های(SAM(Serial Access Memory وجود دارند. حافظه های SAM  اطلاعات را در مجموعه ای از سلول های حافظه ذخیره و صرفا" امکان دستیابی به آنها بصورت ترتیبی وجود خواهد داشت. ( نظیر نوار کاست ) در صورتیکه داده مورد نظر در محل جاری نباشد هر یک از سلول های حافظه به ترتیب بررسی شده تا داده مورد نظر پیدا گردد. حافظه های  SAM در مواردیکه پردازش داده ها الزاما" بصورت ترتیبی خواهد بود مفید می باشند ( نظیر حافظه موجود بر روی کارت های گرافیک ). داده های ذخیره شده در حافظه RAM با هر اولویت دلخواه قابل دستیابی خواهند بود.

مبانی حافظه های RAM

حافظه  RAM ، یک تراشه مدار مجتمع (IC)  بوده که از میلیون ها ترانزیستور و خازن تشکیل شده است .در اغلب حافظه ها  با استفاده و بکارگیری یک خازن و یک ترانزیستور می توان یک سلول  را ایجاد کرد. سلول فوق قادر به نگهداری یک بیت داده خواهد بود. خازن اطلاعات مربوط به بیت را که یک و یا صفر است ، در خود نگهداری خواهد کرد.عملکرد ترانزیستور مشابه یک سوییچ بوده که امکان کنترل مدارات موجود  بر روی تراشه حافظه را بمنظور خواندن مقدار ذخیره شده در خازن و یا تغییر وضعیت مربوط به آن ، فراهم می نماید.خازن مشابه یک ظرف ( سطل)  بوده که قادر به نگهداری الکترون ها است . بمنظور ذخیره سازی مقدار" یک"  در حافظه، ظرف فوق می بایست از الکترونها پر گردد. برای ذخیره سازی مقدار صفر، می بایست ظرف فوق خالی گردد.مسئله مهم در رابطه با خازن، نشت اطلاعات است ( وجود سوراخ در ظرف ) بدین ترتیب پس از گذشت چندین میلی ثانیه یک ظرف مملو از الکترون تخلیه می گردد. بنابراین بمنظور اینکه حافظه بصورت پویا اطلاعات  خود را نگهداری نماید ، می بایست پردازنده و یا " کنترل کننده حافظه " قبل از تخلیه شدن خازن، مکلف به شارژ مجدد آن بمنظور نگهداری مقدار "یک" باشند.بدین منظور کنترل کننده حافظه اطلاعات حافظه را خوانده و مجددا" اطلاعات را بازنویسی می نماید.عملیات فوق (Refresh)، هزاران مرتبه در یک ثانیه تکرار خواهد شد.علت نامگذاری DRAM بدین دلیل است که این نوع حافظه ها مجبور به بازخوانی اطلاعات بصورت پویا خواهند بود. فرآیند تکراری " بازخوانی / بازنویسی اطلاعات" در این نوع حافظه ها باعث می شود که زمان تلف و سرعت حافظه کند گردد.

سلول های حافظه  بر روی یک تراشه  سیلیکون و بصورت آرائه ای مشتمل از ستون ها ( خطوط بیت ) و سطرها ( خطوط کلمات) تشکیل می گردند. نقطه تلاقی یک سطر و ستون بیانگر آدرس سلول حافظه است .

حافظه های DRAM با ارسال یک شارژ به ستون مورد نظر باعث فعال شدن ترانزیستور در هر بیت ستون، خواهند شد.در زمان نوشتن خطوط سطر شامل وضعیتی خواهند شد که خازن می بایست به آن وضغیت تبدیل گردد. در زمان خواندن Sense-amplifier ، سطح شارژ موجود در خازن را اندازه گیری می نماید. در صورتیکه سطح فوق بیش از پنجاه درصد باشد مقدار "یک" خوانده شده و در غیراینصورت مقدار "صفر" خوانده خواهد شد. مدت زمان انجام عملیات فوق بسیار کوتاه بوده و بر حسب نانوثانیه ( یک میلیاردم ثانیه ) اندازه گیری می گردد.  تراشه حافظه ای که دارای سرعت 70 نانوثانیه است ، 70 نانو ثانیه طول خواهد کشید تا عملیات خواندن و بازنویسی هر سلول را انجام دهد.

سلول های حافظه در صورتیکه از روش هائی بمنظور اخذ اطلاعات موجود در  سلول ها استفاده ننمایند، بتنهائی فاقد ارزش خواهند بود. بنابراین لازم است  سلول های حافظه دارای یک زیرساخت کامل حمایتی از مدارات خاص دیگر  باشند.مدارات فوق عملیات زیر را انجام خواهند داد :

مشخص نمودن هر سطر و ستون (انتخاب آدرس سطر و انتخاب آدرس ستون )

نگهداری وضعیت بازخوانی و باز نویسی داده ها ( شمارنده )

خواندن و برگرداندن سیگنال از یک سلول ( Sense amplifier)

اعلام خبر به یک سلول که می بایست شارژ گردد و یا ضرورتی به شارژ وجود ندارد ( Write enable)

سایر عملیات مربوط به "کنترل کننده حافظه" شامل مواردی نظیر : مشخص نمودن نوع سرعت ، میزان حافظه و بررسی خطاء است .

حافظه های SRAM دارای یک تکنولوژی کاملا" متفاوت می باشند. در این نوع از حافظه ها از فلیپ فلاپ برای ذخیره سازی هر بیت حافظه استفاده می گردد. یک فلیپ فلاپ برای یک سلول حافظه، از چهار تا شش ترانزیستور استفاده می کند . حافظه های SRAM نیازمند بازخوانی / بازنویسی اطلاعات نخواهند بود، بنابراین سرعت این نوع از حافظه ها بمراتب از حافظه های DRAM بیشتر است .با توجه به اینکه حافظه های SRAM از بخش های متعددی  تشکیل می گردد، فضای استفاده شده آنها بر روی یک تراشه بمراتب بیشتر از یک سلول حافظه از نوع DRAM خواهد بود. در چنین مواردی  میزان حافظه بر روی یک تراشه کاهش پیدا کرده و همین امر می تواند باعث افزایش قیمت این نوع از حافظه ها گردد. بنابراین حافظه های SRAM سریع و گران و حافظه های DRAM ارزان و کند می باشند . با توجه به موضوع فوق ، از حافظه های SRAM  بمنظور افزایش سرعت پردازنده ( استفاده از Cache) و  از حافظه های DRAM برای فضای حافظه RAM در کامپیوتر استفاده می گردد.

ما ژول های حافظه

تراشه های حافظه در کامییوترهای شخصی در آغاز از یک پیکربندی مبتنی بر Pin با نام (DIP(Dual line Package استفاده می کردند. این پیکربندی مبتنی بر پین،  می توانست لحیم کاری  درون حفره هائی برروی برداصلی کامپیوتر و یا اتصال به یک سوکت بوده  که خود  به  برد اصلی لحیم  شده است .همزمان با افزایش حافظه ، تعداد تراشه های  مورد نیاز، فضای زیادی از برد اصلی