تحقیق درمورد حافظه RAM

اختصاصی از هایدی تحقیق درمورد حافظه RAM دانلود با لینک مستقیم و پر سرعت .

لینک دانلود و خرید پایین توضیحات

فرمت فایل word  و قابل ویرایش و پرینت

تعداد صفحات: 11

حافظه RAM

 حافظه (RAM(Random Access Memory شناخته ترین نوع حافظه در دنیای  کامپیوتر است . روش دستیابی به این نوع از حافظه ها  تصادفی است . چون می توان به هر سلول حافظه مستقیما" دستیابی پیدا کرد . در مقابل حافظه های RAM ، حافظه های(SAM(Serial Access Memory وجود دارند. حافظه های SAM  اطلاعات را در مجموعه ای از سلول های حافظه ذخیره و صرفا" امکان دستیابی به آنها بصورت ترتیبی وجود خواهد داشت. ( نظیر نوار کاست ) در صورتیکه داده مورد نظر در محل جاری نباشد هر یک از سلول های حافظه به ترتیب بررسی شده تا داده مورد نظر پیدا گردد. حافظه های  SAM در مواردیکه پردازش داده ها الزاما" بصورت ترتیبی خواهد بود مفید می باشند ( نظیر حافظه موجود بر روی کارت های گرافیک ). داده های ذخیره شده در حافظه RAM با هر اولویت دلخواه قابل دستیابی خواهند بود.

مبانی حافظه های RAM

حافظه  RAM ، یک تراشه مدار مجتمع (IC)  بوده که از میلیون ها ترانزیستور و خازن تشکیل شده است .در اغلب حافظه ها  با استفاده و بکارگیری یک خازن و یک ترانزیستور می توان یک سلول  را ایجاد کرد. سلول فوق قادر به نگهداری یک بیت داده خواهد بود. خازن اطلاعات مربوط به بیت را که یک و یا صفر است ، در خود نگهداری خواهد کرد.عملکرد ترانزیستور مشابه یک سوییچ بوده که امکان کنترل مدارات موجود  بر روی تراشه حافظه را بمنظور خواندن مقدار ذخیره شده در خازن و یا تغییر وضعیت مربوط به آن ، فراهم می نماید.خازن مشابه یک ظرف ( سطل)  بوده که قادر به نگهداری الکترون ها است . بمنظور ذخیره سازی مقدار" یک"  در حافظه، ظرف فوق می بایست از الکترونها پر گردد. برای ذخیره سازی مقدار صفر، می بایست ظرف فوق خالی گردد.مسئله مهم در رابطه با خازن، نشت اطلاعات است ( وجود سوراخ در ظرف ) بدین ترتیب پس از گذشت چندین میلی ثانیه یک ظرف مملو از الکترون تخلیه می گردد. بنابراین بمنظور اینکه حافظه بصورت پویا اطلاعات  خود را نگهداری نماید ، می بایست پردازنده و یا " کنترل کننده حافظه " قبل از تخلیه شدن خازن، مکلف به شارژ مجدد آن بمنظور نگهداری مقدار "یک" باشند.بدین منظور کنترل کننده حافظه اطلاعات حافظه را خوانده و مجددا" اطلاعات را بازنویسی می نماید.عملیات فوق (Refresh)، هزاران مرتبه در یک ثانیه تکرار خواهد شد.علت نامگذاری DRAM بدین دلیل است که این نوع حافظه ها مجبور به بازخوانی اطلاعات بصورت پویا خواهند بود. فرآیند تکراری " بازخوانی / بازنویسی اطلاعات" در این نوع حافظه ها باعث می شود که زمان تلف و سرعت حافظه کند گردد.

سلول های حافظه  بر روی یک تراشه  سیلیکون و بصورت آرائه ای مشتمل از ستون ها ( خطوط بیت ) و سطرها ( خطوط کلمات) تشکیل می گردند. نقطه تلاقی یک سطر و ستون بیانگر آدرس سلول حافظه است .

حافظه های DRAM با ارسال یک شارژ به ستون مورد نظر باعث فعال شدن ترانزیستور در هر بیت ستون، خواهند شد.در زمان نوشتن خطوط سطر شامل وضعیتی خواهند شد که خازن می بایست به آن وضغیت تبدیل گردد. در زمان خواندن Sense-amplifier ، سطح شارژ موجود در خازن را اندازه گیری می نماید. در صورتیکه سطح فوق بیش از پنجاه درصد باشد مقدار "یک" خوانده شده و در غیراینصورت مقدار "صفر" خوانده خواهد شد. مدت زمان انجام عملیات فوق بسیار کوتاه بوده و بر حسب نانوثانیه ( یک میلیاردم ثانیه ) اندازه گیری می گردد.  تراشه حافظه ای که دارای سرعت 70 نانوثانیه است ، 70 نانو ثانیه طول خواهد کشید تا عملیات خواندن و بازنویسی هر سلول را انجام دهد.

سلول های حافظه در صورتیکه از روش هائی بمنظور اخذ اطلاعات موجود در  سلول ها استفاده ننمایند، بتنهائی فاقد ارزش خواهند بود. بنابراین لازم است  سلول های حافظه دارای یک زیرساخت کامل حمایتی از مدارات خاص دیگر  باشند.مدارات فوق عملیات زیر را انجام خواهند داد :

مشخص نمودن هر سطر و ستون (انتخاب آدرس سطر و انتخاب آدرس ستون )

نگهداری وضعیت بازخوانی و باز نویسی داده ها ( شمارنده )

خواندن و برگرداندن سیگنال از یک سلول ( Sense amplifier)

اعلام خبر به یک سلول که می بایست شارژ گردد و یا ضرورتی به شارژ وجود ندارد ( Write enable)

سایر عملیات مربوط به "کنترل کننده حافظه" شامل مواردی نظیر : مشخص نمودن نوع سرعت ، میزان حافظه و بررسی خطاء است .

حافظه های SRAM دارای یک تکنولوژی کاملا" متفاوت می باشند. در این نوع از حافظه ها از فلیپ فلاپ برای ذخیره سازی هر بیت حافظه استفاده می گردد. یک فلیپ فلاپ برای یک سلول حافظه، از چهار تا شش ترانزیستور استفاده می کند . حافظه های SRAM نیازمند بازخوانی / بازنویسی اطلاعات نخواهند بود، بنابراین سرعت این نوع از حافظه ها بمراتب از حافظه های DRAM بیشتر است .با توجه به اینکه حافظه های SRAM از بخش های متعددی  تشکیل می گردد، فضای استفاده شده آنها بر روی یک تراشه بمراتب بیشتر از یک سلول حافظه از نوع DRAM خواهد بود. در چنین مواردی  میزان حافظه بر روی یک تراشه کاهش پیدا کرده و همین امر می تواند باعث افزایش قیمت این نوع از حافظه ها گردد. بنابراین حافظه های SRAM سریع و گران و حافظه های DRAM ارزان و کند می باشند . با توجه به موضوع فوق ، از حافظه های SRAM  بمنظور افزایش سرعت پردازنده ( استفاده از Cache) و  از حافظه های DRAM برای فضای حافظه RAM در کامپیوتر استفاده می گردد.

ما ژول های حافظه

تراشه های حافظه در کامییوترهای شخصی در آغاز از یک پیکربندی مبتنی بر Pin با نام (DIP(Dual line Package استفاده می کردند. این پیکربندی مبتنی بر پین،  می توانست لحیم کاری  درون حفره هائی برروی برداصلی

تحقیق درمورد انواع حافظه

اختصاصی از هایدی تحقیق درمورد انواع حافظه دانلود با لینک مستقیم و پر سرعت .

لینک دانلود و خرید پایین توضیحات

فرمت فایل word  و قابل ویرایش و پرینت

تعداد صفحات: 28

انواع حافظه :

حافظه های اصلی به کاربرده شده در اجزاء و مدارات سیستم های کامپیوتری دو نوع اصلی را شامل

می شوند:

1. حافظه با قابلیت دسترسی تصادفی Read Write Memory (RWM)

2.حافظه فقط خواندنی Read Only Memory (ROM)

1. RWM : تا زمانی که جریان های الکترونیکی از این حافظه گذر کند قادر به ذخیره سازی اطلاعات می باشد . حافظه RAM شناخته ترین نوع حافظه در دنیای کامپیوتر است. روش دستیابی به این نوع از حافظه ها تصادفی است . چون می توان به هر سلول حافظه مستقیماً دستیابی پیدا کرد . در مقابل حافظه های RAMحافظه های SAM (Serial Access Memory) وجود دارند. حافظه های SAM اطلاعات را در مجموعه ای از سلول های حافظه ذخیره و صرفاً امکان دستیابی به آنها بصورت ترتیبی وجود خواهد داشت. (نظیر نوار کاست) در صورتیکه داده مورد نظر در محل جاری نباشد هر یک از سلول های حافظه به ترتیب بررسی شده تا داده مورد نظر پیدا گردد. حافظه های SAM در مواردیکه پردازش داده ها الزاماً بصورت ترتیبی خواهد بود مفید می باشند ( نظیر حافظه موجود بر روی کارت های گرافیک.) داده های ذخیره شده در حافظه RAM با هر اولویت دلخواه قابل دستیابی خواهند بود.

مبانی حافظه های RAM

حافظه RAM یک تراشه مدار مجتمع (IC) بوده که از میلیون‌ها ترانزیستور و خازن تشکیل شده است. در اغلب حافظه‌ها با استفاده و بکارگیری یک خازن و یک ترانزیستور می‌توان یک سلول را ایجاد کرد. سلول فوق قادر به نگهداری یک بیت داده خواهد بود. خازن اطلاعات مربوط به بیت را که یک و یا صفر است، در خود نگهداری خواهد کرد. عملکرد ترانزیستور مشابه یک سوییچ بوده که امکان کنترل مدارات موجود بر روی تراشه حافظه را بمنظور خواندن مقدار ذخیره شده در خازن و یا تغییر وضعیت مربوط به آن، فراهم می نماید. خازن مشابه یک ظرف (سطل) بوده که قادر به نگهداری الکترون‌ها است. بمنظور ذخیره سازی مقدار "یک" در حافظه، ظرف فوق می‌بایست از الکترونها پر گردد. برای ذخیره سازی مقدار "صفر"، می بایست ظرف فوق خالی گردد. مساله مهم در رابطه با خازن، نَشت اطلاعات است (وجود سوراخ در ظرف) بدین ترتیب پس از گذشت چندین میلی‌ثانیه یک ظرف مملو از الکترون تخلیه می گردد. بنابراین بمنظور اینکه حافظه بصورت پویا اطلاعات خود را نگهداری نماید , می بایست پردازنده و یا "کنترل کننده حافظه" قبل از تخلیه شدن خازن، مکلف به شارژ مجدد آن بمنظور نگهداری مقدار"یک" باشند. بدین منظور کنترل کننده حافظه اطلاعات , حافظه را خوانده و مجدداً اطلاعات را بازنویسی می نماید. عملیات فوق (Refresh) هزاران مرتبه در یک ثانیه تکرار خواهد شد. برای Refresh کردن RAM از چیپDAM(Direct Memory Access) استفاده میشود. علت نامگذاری DRAM بدین دلیل است که این نوع حافظه ها مجبور به بازخوانی اطلاعات بصورت پویا خواهند بود. فرآیند تکراری" بازخوانی / بازنویسی اطلاعات" در این نوع حافظه ها باعث می شود که زمان تلف شده و سرعت حافظه کند گردد. سلول های حافظه بر روی یک تراشه سیلیکون و بصورت آرایه ای مشتمل از ستون ها (خطوط بیت) و سطرها (خطوط کلمات) تشکیل می گردند. نقطه تلاقی یک سطر و ستون بیانگر آدرس سلول حافظه است.

حافظه های DRAM با ارسال یک شارژ به ستون مورد نظر باعث فعال شدن ترانزیستور در هر بیت ستون، خواهند شد.در زمان نوشتن خطوط سطر شامل وضعیتی خواهند شد که خازن می بایست به آن وضعیت تبدیل گردد. در زمان خواندن Sense-amplifier ، سطح شارژ موجود در خازن را اندازه گیری می نماید. در صورتیکه سطح فوق بیش از پنجاه درصد باشد مقدار "یک" خوانده شده و در غیر اینصورت مقدار "صفر" خوانده خواهد شد. مدت زمان انجام عملیات فوق بسیار کوتاه بوده و بر حسب نانوثانیه ( یک میلیاردم ثانیه ) اندازه گیری میشود. تراشه حافظه ای که دارای سرعت 70 نانوثانیه است ، 70 نانو ثانیه طول خواهد کشید تا عملیات خواندن و بازنویسی هر سلول را انجام دهد. سلول های حافظه در صورتیکه از روش هایی بمنظور اخذ اطلاعات موجود در سلول ها استفاده ننمایند، بتنهایی فاقد ارزش خواهند بود. بنابراین لازم است سلول های حافظه دارای یک زیرساخت کامل حمایتی از مدارات خاص دیگر باشند. مدارات فوق عملیات زیر را انجام خواهند داد:

مشخص نمودن هر سطر و ستون (انتخاب آدرس سطر و انتخاب آدرس ستون ) نگهداری وضعیت بازخوانی و باز نویسی داده ها ( شمارنده ) خواندن و برگرداندن سیگنال از یک سلول ( Sense amplifier)اعلام خبر به یک سلول که می بایست شارژ گردد و یا ضرورتی به شارژ وجود ندارد(WRITE ENABEL)

سایر عملیات مربوط به کنترل کننده حافظهً شامل مواردی نظیر : مشخص نمودن نوع سرعت ، میزان حافظه و بررسی خطاء است . حافظه های SRAM دارای یک تکنولوژی کاملاً متفاوت می باشند. در این نوع از حافظه ها از فلیپ فلاپ برای ذخیره سازی هر بیت حافظه استفاده می گردد. یک فلیپ فلاپ برای یک سلول حافظه، از4 تا 6 ترانزیستور استفاده می کند . حافظه های SRAM نیازمند بازخوانی / بازنویسی اطلاعات نخواهند بود، بنابراین سرعت این نوع از حافظه ها بمراتب از حافظه های DRAM بیشتر است .با توجه به اینکه حافظه های SRAM از بخش های متعددی تشکیل می گردد، فضای استفاده شده آنها بر روی یک تراشه بمراتب بیشتر از یک سلول حافظه از نوع DRAM خواهد بود. در چنین مواردی میزان حافظه بر روی یک تراشه کاهش پیدا کرده و همین امر می تواند باعث افزایش قیمت این نوع از حافظه ها گردد. بنابراین حافظه های SRAM سریع و گران و حافظه های DRAM ارزان و کند می باشند . با توجه به موضوع فوق ، از حافظه های SRAM بمنظور افزایش سرعت پردازنده ( استفاده ازCache) و از حافظه های DRAM برای فضای حافظه RAM در کامپیوتر استفاده می گردد.

ماژول های حافظه

تراشه های حافظه در کامپیوترهای شخصی در آغاز از یک پیکربندی مبتنی بر Pin با نام

DIP(Dual line Package) استفاده می کردند. این پیکربندی مبتنی بر پین، می توانست لحیم کاری درون حفره هایی برروی برداصلی کامپیوتر و یا اتصال به یک سوکت بوده

پاورپوینت-حافظه و انواع آن در روانشناسی یادگیری- در 75 اسلاید-powerpoin-ppt

اختصاصی از هایدی پاورپوینت-حافظه و انواع آن در روانشناسی یادگیری- در 75 اسلاید-powerpoin-ppt دانلود با لینک مستقیم و پر سرعت .

همه یادگیریها نشانی از حافظه دارند. اگر ما تجربه‌هایمان را به کلی فراموش می‌کردیم، نمی‌توانستیم چیزی یاد بگیریم، چرا که در این صورت زندگی ما متشکل  تجربه‌های گذرایی می‌شد که هیچگونه پیوندی بین آنها وجود نداشت و حتی از عهده یک مکالمه ساده هم بر نمی‌آمدیم. برای ایجاد ارتباط با دیگران شما باید اندیشه‌هایی را که می‌خواهید، بیان کنید و همچنین مطلبی را که چند لحظه پیش شنیده‌اید، به یاد آورید. این مورد تنها یک مورد ساده از تاثیر حافظه در زندگی روزمره انسان است. روشن است در عظیم‌ترین یافته‌های علمی ، پیشرفتهای فنی و ... ردپای حافظه و تاثیر آن کاملا پیداست. 

مراحل اصلی حافظه

بسته به اینکه اندوزش مطالب برای چند ثانیه (حافظه کوتاه مدت) یا برای مدت طولانی‌تری (حافظه بلند مدت) مورد نظر باشد، شیوه کار مراحل حافظه متفاوت خواهد بود. بطور کلی در مرحله رمزگردانی ، اطلاعات به شکل معینی یا به صورت رمز معینی در حافظه اندوخته می‌شوند.

• رمز گردانیدر حافظه کوتاه مدت به صورت رمز صوتی ، دیداری و یا شنیداری است، ولی در حافظه بلند مدت به صورت رمز معنایی است.
• در مرحلهاندوزش اطلاعات رمز گردانی شده در حافظه نگهداری می‌شوند. میزان مواد اندوخته شده بسته به نوع حافظه متفاوت خواهد بود. گنجایش حافظه کوتاه مدت برای اندوزش مطالب  ماده است، در حالی که گنجایش حافظه بلند مدت نامحدود است.
• در مرحلهبازیابی پی‌گردی در حافظه اتفاق می‌افتد و این پی‌گردی در حافظه کوتاه مدت با سرعت بسیار زیاد انجام می‌گیرد. در واقع با چنان سرعتی که ما از آن آگاه نمی‌شویم.  در حافظه بلند مدت سرعت بازیابی بر حسب نوع طبقه بندی مطالب در حافظه ، مدت زمان سپری شده از زمان اندوزش تا بازیابی و دیگر عوامل متفاوت خواهد بود.

اساس زیستی مراحل حافظه

مراحل مختلف حافظه ساختارهای مختلفی در مغز دارند. گویاترین شواهد در این زمینه حاصل بررسی‌هایی است که در آنها از طریق عکسبرداری از مغز به جستجوی تفاوتهای «عصب شناسی ، کالبد شناسی» بین مراحل رمز گردانی و بازیابی پرداخته‌اند. در این آزمایشها آزمودنی‌ها در بخش اول (رمزگردانی) مطالبی را می‌خواندندو در بخش دوم بازیابی اطلاعات خوانده شده را بازیابی (فراخوانی) می‌کردند و همان حال بوسیله «پی.ای.تی»(P.E.TT) فعالیت مغزیشان  ثبت می‌شد. یافت‌ها نشان داد که در جریان خواندن مطالب (رمزگردانی) بیشتر نواحی نیمکره چپ مغز و در جریان فراخوانی (بازیابی) اطلاعات بیشتر در نیمکره راست مغز فعال می‌شود. بنابراین تمایز بین مراحل رمز گردانی و مرحله بازیابی اساس زیستی مشخصی دارد. 

فراموشی و مراحل حافظه

فراموشی با مراحل حافظه رابطه تنگاتنگی دارد. اگر در هر یک از این سه مرحله خطایی صورت گیرد، دیگر مطالب آموخته شده یا وقایع و چیزها به خوبی بازیابی  نخواهند شد. برای مثال اگر برای بار دوم نام فردی که با او آشنا شدید را نمی‌توانستید به یاد بیاورید، این احتمال وجود دارد که این ناتوانی ناشی از وقوع خطا در هر یک از سه مرحله مورد نظر باشد. امروزه اغلب پژوهش‌ها درباره حافظه هدفشان اینست که عملیات ذهنی هر یک از این مراحل را مشخص کنند و توضیح دهند که چگونه ممکن است در هر یک از این عملیات اشکالی پیش آید و به خطای حافظه منجر شود. در نظریه‌های حافظه ، فراموشی ناشی از وقوع خطا در یک یا چند مرحله از این مراحل سه‌گانه شناخته می‌شود. 

چشم انداز بحث مبحث حافظه و مراحل آن هر چند عمدتا مورد توجه روان شناسان می‌باشد، اما از لحاظ اینکه اساس بیولوژیکی برای حافظه شناخته شده است، به علوم عصب فیزیولوژیک نیز مرتبط است. بر اساس این نظریه در طول گذر اطلاعات از سه مرحله حافظه تغییرات بیولوژیکی در یاخته‌های عصبی اتفاق می‌افتد.روانشناسی تربیتی نیز جهت بهبود فرایند یادگیری از یافته‌های مربوط به پژوهشهای حافظه استفاده می‌کند. امروزه شیوه‌های نوین برای بهسازی حافظه با استفاده از بهبود شرایطی که منجر به تحکیم عمل هر یک از مراحل حافظه می‌شود، بکار می‌روند.

بطور کلی شناخت مراحل حافظه و ویژگیهای هر یک از مراحل و اینکه چگونه در هر یک از این مراحل تغییراتی روی اطلاعات اعمال می‌شود، متخصصان را در شناسایی علل فراموشی و درمان آنها ، شیوه‌های بهسازی حافظه به صورت شیوه‌های مناسب برای رمز گردانی بهتر ، نگهداری طولانی‌تر و بازیابی سریعتر مفید فایده خواهد بود. فراموشی چیست؟

همه ما در زندگی روزمره خود مواردی را سراغ داریم که نتوانسته باشیم مطلب ، اسم فرد یا مکان خاص و یا اطلاعات دیگری را یادآوری کنیم. شاید بسیار پیش آمده باشد که مدتها به دنبال دسته کلید یا وسائل شخصی دیگر خود گشته باشیم و خیلی موراد دیگر. همه اینها مواردی جزئی از اختلال در عملکرد حافظه را  نشان می‌دهد که تحت تاثیر عوامل مختلف ممکن است بوجود بیاید. این عوامل هرچه باشد، آنچه که برای ما پیش آمده این است که نتوانسته‌ایم به اطلاعاتی که مطمئن از دانستن آنها هستیم، دست پیدا کنیم. به عبارتی حافظه نتوانسته به اطلاعاتی که قبلا ذخیره کرده‌ایم، دسترسی پیدا کند. پدیده‌ای که همه آن را با عنوان فراموشی می‌شناسیم که در بسیاری موارد هم نتایج ناگواری به بار می‌آورد، مثل کم شدن نمره امتحانی. 

علل فراموشی

فراموشی به علل مختلفی ممکن است اتفاق بیافتد. اکثر فراموشی‌های عادی روزمره مربوط به مراحل حافظه می‌باشند. وجود مشکل در هر یک از مراحل ،  یادآوری اطلاعات را با مشکل مواجه خواهد ساخت. نظریات جدید حافظه به این مطلب تاکید دارند و فراموشی را ناشی از احتمال خطا در یک یا چند مرحله از مراحل سه گانه حافظه می‌دانند. مراحل حافظه رمز گردانی ، اندوزش و بازیابی را شامل می‌شود و می‌دانیم که در مرحله رمز گردانی سپردن اطلاعات به  حافظه اتفاق می‌افتد. در مرحله اندوزش نگهداری اطلاعات در حافظه و در مرحله بازیابی فراخوانی اطلاعات از حافظه. خطای حافظه در هر یک از این مراحل مشکل فراموشی را به بار خواهد آورد. 

چنانچه خط

پاورپوینت یک حافظه ثانوی دیسک نوری

اختصاصی از هایدی پاورپوینت یک حافظه ثانوی دیسک نوری دانلود با لینک مستقیم و پر سرعت .

دسته بندی : پاورپوینت 

نوع فایل:  ppt _ pptx

( قابلیت ویرایش )

---

 قسمتی از محتوی متن پاورپوینت : 

تعداد اسلاید : 12 صفحه

File Structure Lecture 5A Secondary Storage Device:CD-ROM (sections 3.4 – 3.6) یک حافظه ثانوی: دیسک نوری(CD-ROM) دیسک نوری (Compact Disk – read only! memory) چیست؟
یک صفحه دایره شکل و منعکس کننده نور(لیزری)، حاوی: یک پیست مارپیچ (spiral) از مرکز صفحه تا لبه آن. بعلاوه تعدادی حفره (Pits) روی پِیست مارپیچ.
(چرا ROM ؟
) (چرا نور لیزری؟
) (640-700 MB per platter) خواص دیسک نوری خواص دیسک نوری (یا لیزری) چیست؟
داده ها به کمک تشعشع لیزری نوشته یا خوانده میشوند.
ظرفیت آن حدود 600 تا 700 مگا بایت داده میباشد. تنها یک شیار مارپیچ طولانی شامل تعداد زیادی سکتور دارد. داده های دیجیتالی بصورت یک سری حفره روی این شیار ثبت میشوند. به سطح بالایی شیار Land و به حفره ایجاد شده روی شیار Pit گفته میشود.
File Structure خواندن دیسک نوری عمل خواندن دیسک نوری چگونه است؟
به وسیله تابش نور لیزری روی شیار. و تشخیص تغییرات درشدت انعکاس نور (intensity). تشخیص صفر و یک چگونه است؟
عدد یک = تغییر ارتفاع (از Land به Pit یا بر عکس). عدد صفر = تعداد فواصل زمانی معین بین دو عدد یک.
(فواصل زمانی؟
) File Structure خواندن دیسک نوری تشخیص صفر و یک چگونه است؟
مابین دو عدد یک، بایستی لااقل دو عدد صفر وجود داشته باشد! (چرا؟
) برای کد گذاری 256 حروف جدول ASCII احتیاج به 14 بیت خواهد بود! (چرا؟
) تبدیل کد گذاری حروف از 8 بیت به 14 بیت بکمک یک جدول ( (Eight to Fourteen Modulationانجام میشود. مثال: نمونه ای از جدول E.F.M.
: 0 → 0000 0000 → 0100 1000 100000 1 → 0000 0001 → 1000 0100 000000 2 → 0000 0010 → 1001 0000 100000 File Structure سرعت وظرفیت دیسک نوری روش سرعت خطی ثابت (Constant Linear Velocity) چیست؟
حرکت نور لیزری روی شیار با سرعت خطی ثابت انجام میشود.
(چرا؟
) طول شیار مار پیچ (Spiral track) تقریبا سه مایل میباشد. طول سکتورها از مرکز تا لبه دیسک همواره ثابت است.
این تکنولوژی از دیسک های صوتی به ارث گرفته شده، و باعث بالا بردن ظرفیت دیسک (تا دو برابر) میشود.
(چرا؟
) ولی باعث پایین آمدن سرعت دسترسی (بین نیم تا یک ثانیه) نیز میگردد.
(چرا؟
) File Structure آدرس دهی دیسک نوری روش آدرس دهی (Addressing) چگونه است؟
روش سیلندر:شیار:سکتور نمی تواند جواب دهد! (چرا؟
) ولی فاصله زمانی یک سکتور نسبت به مبداء شیار (Root) قابل اندازه گیری میباشد. روش آدرس دهی زمانی چگونه است؟
هر ثانیه چرخش به 75 سکتور تقسیم میشود.
اندازه هر سکتورمعادل2 KB داده میباشد. طول شیار هر دیسک معادل لااقل 60 دقیقه پیمایش ظرفیت دارد. ظرفیت دیسک = 75*60*60= 270000 سکتور= 540000 کیلو بایت میگردد. هر سکتور بکمک شاخص "minute:second:sector" آدرس دهی میشود. مثال

  متن بالا فقط قسمتی از محتوی متن پاورپوینت میباشد،شما بعد از پرداخت آنلاین ، فایل را فورا دانلود نمایید 

---

  لطفا به نکات زیر در هنگام خرید دانلود پاورپوینت:  توجه فرمایید.

• در این مطلب، متن اسلاید های اولیه قرار داده شده است.
• به علت اینکه امکان درج تصاویر استفاده شده در پاورپوینت وجود ندارد،در صورتی که مایل به دریافت  تصاویری از ان قبل از خرید هستید، می توانید با پشتیبانی تماس حاصل فرمایید
• پس از پرداخت هزینه ،ارسال آنی پاورپوینت خرید شده ، به ادرس ایمیل شما و لینک دانلود فایل برای شما نمایش داده خواهد شد
• در صورت  مشاهده  بهم ریختگی احتمالی در متون بالا ،دلیل آن کپی کردن این مطالب از داخل اسلاید ها میباشد ودر فایل اصلی این پاورپوینت،به هیچ وجه بهم ریختگی وجود ندارد
• در صورتی که اسلاید ها داری جدول و یا عکس باشند در متون پاورپوینت قرار نخواهند گرفت.
  
• هدف فروشگاه ایران پاورپوینت کمک به سیستم آموزشی و رفاه دانشجویان و علم آموزان میهن عزیزمان میباشد. 
  

---

دانلود فایل  پرداخت آنلاین 

بررسی مشخصات وخواص لحیم نا همجنس آلیاژ حافظه دار TINI و فولاد ضد زنگ 14 ص

اختصاصی از هایدی بررسی مشخصات وخواص لحیم نا همجنس آلیاژ حافظه دار TINI و فولاد ضد زنگ 14 ص دانلود با لینک مستقیم و پر سرعت .

لینک دانلود و خرید پایین توضیحات

فرمت فایل word  و قابل ویرایش و پرینت

تعداد صفحات: 15

عنوان تحقیق:

بررسی مشخصات وخواص لحیم نا همجنس آلیاژ حافظه دار TINI و فولاد ضد زنگ

تاریخچه

آلیاژ حافظه دار TINI ماده ای است کاربردی با استفاده وسیع در بسیاری از منابع از جمله صنایع هوا فضا . انرژی هسته ای صنایع دریایی علوم پزشکی می باشد.این آلیاژ دارای خاصیت ویژه حافظه دار SME الاستیک بسیار بالا . مقاومت به سایش و فرسایش بسیار خوب و پایداری بالا در محیط بیو شیمیایی می باشد.( 1)

.امروزه در صنایع پزشکی از آلیاژ TINI و همچنین فولاد ضد زنگ برای ساخت سیستمهای ارتودنسی دندان استفاده می شود . خاصیت هوشمندی و همچنین الاستیکی بالای آلیاژ TINI به دندان ها این امکان را می دهد که در یک دوره درمانی بلند مدت و تحت نیروی کم ولی مداوم سیمها مکان خود را تصحیح کنند با این روش می توان تغییر فرم زیادی در دندان ها بدون اعمال نیروی زیاد اعمال نمود.(3)

با این وجود استحکام نسبتا پائین این آلیاژ باعث شل شدن تدریجی سیم در حین حرکت دندان ها در جهت مخالف می گردد. در مقابل استفاده از فولاد ضد زنگ بعلت استحکام بالا عیب مذکور را بر طرف می کند. ولی فلاد نیز بعلت داشتن الاستیکیه کم باعث اعمال نیروی زیاد به دندانها شده و از حرکت تدریجی آنها در حین دوره درمانی جلوگیری می کند.

با این تفاسیر تولید یک اتصال ناهمجنس از آلیاژ TINIو فولاد ضد زنگ مزایای استفاده از هر دو ماده را بدنبال دشانه و باعث کاهش طول دره درمان و افزایش کییفیت کار می گردد.

مقدمه

مقاله حاضر حاصل مطالعه سه مقاله تحقیقی می باشد که در آنها اهداف زیر مورد نظر بوده است:

1)بررسی ارتباط بین ریز ساختار و خواص اتصال ناهمجنس و دستیابی به راهکارهای مناسب بمنظور به بهبود خواص اتصال(1)

2)بررسی تاثیر پارامترهای لحیم لیزر بر خواص اتصال (2)

3)مطالعه خواص خوردگی اتصال(3)

محققین فوق ابتدا با استفاده از جوشکاری میکروپلاسما اتصال فوق را تولید کردند که مشکلات این اتصال عبارت بودند از استحکام که جوش (159-127 پاسگال) بعلت تشکیل ساختار سرد و همچنین وسیع بودن منطقه متاثر از حرارت (HAZ) (2)

لذا در کار پژوهشی اخیر به تولید اتصال آلیاژ TINI و فولاد ضد زنگ با اسفتاده از پروسه لحیم سخت لیزر و سیم لحیمی از جنس آلیاژ نقره پرداختند که به بررسی اجمالی نحه کار و نتایج این تحقیق خواهیم پرداخت.

آلیاژ TINI با استحکام کششی 1319-1108 مگا پاسکال و کرنش 18-16 در صد استفاده شد. فیلد متان مورد استفاده دارای ترکیب شیمیائی 68-50 درصد جرمی نقره 30-10 درصد مس .

20-12 درصد روی و 10-0 درصد قلع می باشد. در بخش های دوم وسوم تحقیق از فیلد سما با ترکیب 52 درصد نقره .22%مس.18%روی .8% وزنی قلع استفاده شده که دمای سالید و مس آن 590 و دمای لیکوئید و مس آن 3/635 بوده است.

بررسی ارتباط بین ریز ساختار و خواص اتصال:(1)

فرآیند لحیم با استفاده از یک دستگاه لیزر(JY-100 ) انجام شد. خواص مکانیکی اتصال در دمای اتاق و با استفاده از دستگاه یونیور سال (CSS-44100) و ریز ساختار اتصال با استفاده از میکروسکوپ نوری ،آنالیزور تصویر (VIDAS) میکروسکوپ SEM و دستگاه X-RAY بررسی گردید.

استحکام کششی و سختی اتصال:(1)

شکل (1) نحوه انجام تست مکانیکی بر روی اتصال را نشان می دهد. در شکل (2) پارامترهای لحیم نشان داده شده اند و در شکل (3) نمودار تنش کرنش مربوط به اتصال تحت پارامترهای نادیده در شکل (2) رسم شده است.

نتایج نشان داد که بهترین استحکام کششی سوپر الاستیکی در شرایط ناحیه 10 بدست می آید.

استحکام کششی اتصال 360-320 مگا پاسکال بدست آمد وکرنش الاستیک تا حد 10-8 در صد قابل افزایش بود. در حرارت ورودی کمتر (ناحیه9) استحکام 210-190 مگا پاسکال بدست آمد.منظقه شکست ،فصل مشترک بین آلیاژ TINI و فیلد متال بود که بدلیل پایین بودن حرارت ورودی زمان کوتاه لحیم و در نتیجه پیوند ضعیف بین این دو قسمت است. در منطقه(C) که حرارت رودی لحیم بالا است. شکست اتصال از منطقه HAZ آلیاژ TINI است که نشان دهنده تغییر شدید خواص آلیاژ در این ناحیه می باشد. (شکل4) . همچنین استحکام کششی تا 320 – 300 مگا پاسکال کاهش یافته و سختی نیز کمتر شد.(شکل5).

سوپرالاستیسیته آلیاژ TINI(1)

شکل 6 نمودار تنش – کرنش را برای بار گذاری در سه حالت و سپس برداشتن بار ،نشان می دهد.همانطور که مشاهده می شود،کرنش ایجاد شده در اثر بارگذاری با بر داشتن بار تا حد زیادی قابل بازگشت است و لذا اتلاف سوپر الاستیسته آلیاژ تقریبا پایین می باشد.

تحت خشن بصورتی که در شکل (7) نشان داده شده انجام گردید. خش درست آلیاژ TINI تا زاویه 90 درجه و بعد تا زمان 30 ثانیه انجام شد. با افزایش زایه (B) و افزایش حرارت ورودی لحیم میزان اتلاف خاصیت سوپر الاستیسته آلیاژ TINIافزایش یافت.در شرایطی که پارامترهای لحیم در ناحیه a شکل (2) قرار دارد.اتلاف سوپر الاستیسته آلیاژ در منطقه HAZ کم است. در ناحیه b این اتلاف کمی بیشتر شده و در ناحیه C افزایش اتلاف قابل ملاحظه است. لذا با کنترل مناسب میزان حرارت ورودی می توان خاصیت سوپر الاستیسته و حافظه داری آلیاژ TINI را در حد مطلوب نگه داشت.

ریز ساختار اتصال غیر همجنس:(1)

همانطور که در شکل های ریز ساختاری منطقه لحیم مشاهده می شود (شکل 8) فیلد نقره ای قابلیت تر