ترمز مغناطیسی 12 ص

اختصاصی از هایدی ترمز مغناطیسی 12 ص دانلود با لینک مستقیم و پر سرعت .

لینک دانلود و خرید پایین توضیحات

فرمت فایل word  و قابل ویرایش و پرینت

تعداد صفحات: 12

ترمز مغناطیسی

مکانیزم متوقف شدن پاندول

لبه ای از صفحه که بطور عمودی در میدان جلو و عقب می رود را به طول L فرض کنید. با ورود به میدان مغناطیسی به اندازه V = EL = VBL در آن ولتاژ القا می شود. طبق قانون اهم ، چگالی جریان القایی J و میدان الکتریکی القایی بصورت QE = QV*B = J به هم مربوط هستند. جهت جریان به طرف پایین (هم جهت با V * B) یاست. Q رسانایی ویژه صفحه است. از آنجایی که این جریان القایی در یک میدان مغناطیسی قرار گرفته است، یک نیروی مغناطیس بر صفحه وارد می شود. مقدار این نیرو در واحد حجم برابر است با:

؟؟؟

که در خلاف جهت حرکت صفحه است.

اثر مقدار رسانایی

اگر رسانایی ویژه مثل رسانایی ویژه مس بزرگ، ولی محدود باشد، صفحه ابتدا کند وسپس متوقف می شود. از آنجا که جریانهای القایی بصورت RI2 تلف می شود، صفحه به آرامی داخل شکاف آهنربا شده و سرانجام در همان مکانی که میدان مغناطیسی نمی بود می ایستاد، متوقف می شود. می بینیم که نیروی مغناطیسی ترمز کننده با Q متناسب است.

سیستم های ترمز

سیستم های ترمز خودروهای سواری بر مبنای شرایط ذیل دسته بندی می شوند:

از نظر طراحی و ساخت

از نظر اصول عملکردی

اصول طراحی

شرایط عملکردی تجهیزات سیستم های ترمز خودروها، مطابق با استاندارد های تدوین شده، به سه سیستم دسته بندی می گردند:

سیستم ترمز معمولی یا پایی (BBA)

سیستم ترمز ثانویه (HBA)

سیستم ترمز دستی (FBA)

سیستم ترمز معمولی

سیستم ترمز معمولی یا پایی به جهت کاهش سرعت خودرو، ثابت نگهداشتن آن در یک سطح و توقف خودرو بکار می رود.

سیستم ترمز ثانویه کمکی

در صورت عدم عملکرد سیستم ترمز معمولی، سیستم ترمز ثانویه بایستی عملکرد سیستم را بعهده گرفته و هم چنین قادر به ایجاد نیروی ترمزی مطلوب و فقط به جهت کاهش سرعت را داشته باشد.

سیستم ترمز دستی

سیستم ترمز دستی به جهت نگهداری خودرو در حالت توقف و پایداری آن بکار می رود.

اصول عملکرد سیستم

بسته به نحوه استفاده از سیستم ترمز بطور کامل، جزئی و یا انرژی، ماهیچه های پا، این سیستم به گروههای زیر دسته بندی می گردد:

سیستم های ترمز پایی

سیستم های ترمز تقویتی

سیستم های ترمز تقویتی بوستری

سیستم های ترمز پایی

این نوع سیستم ترمز در داخل اتاق خودرو تعبیه شده و بر روی چرخ ها عمل می کند.

سیستم ترمز تقویتی بوستری

این نوع سیستم ترمز در خودروهای سواری و نیز خودروهای باربری سبک بکار می رود.

سیستم ترمز تقویتی

عمده کاربرد این نوع سیستم ترمز در خودروهای سنگین و کامیون می باشد، ولی در برخی از خودروهای سواری بزرگ که دارای سیستم ترمز (ABS) می باشند بکار برده شده است.طراحی سیستم ترمز

سیستم ترمز با توجه به نیازمندیهای خودرو و ضروریات ذاتی خود سیستم طراحی می شود.

ساختار مکانیکی ترمز گیری

استانداردهای مخصوصی، ساختاربندی مکانیکی سیستم ترمزگیی را در فاصله ما بین آغاز فعالیت کنترلی ترمز و پایان عمل ترمزگیری مشخص می کند.

شروع پروسه ترمزگیری

نقطه ای که در آن نیروی ترمزی بر مکانیزم کنترل در t0 اعمال شده و تاثیر می گذارد.

زمان پاسخ دهی اولیه سیستم

این زمان برابر است با t1 – t0 که برابر اختلاف مدت زمانی است که نیرو شروع به تاثیر گذاری بر مکانیزم کنترلی کرده و مدت زمانی که نییروی ترمز فعال شده ، اعمال می شود.

زمان اعمال فشار ترمزی

این زمان برابر است با t1 – t1 که برابر اختلاف مدت زمان اعمال اولیه نیروی ترمزی و حصول فشار مورد نیاز ترمزگیری می باشد.

مدت زمان کلی ترمزگیری

برابر اختلاف مدت زمانی (t4 – t0) است که نیرو شروع به تاثیر گذاری بر مکانیزم کنترل، کرده و زمانی که نیروی ترمز قطع می شود.

زمان فعال بودن پروسه ترمز گیری

برابر اختلاف مدت زمانی (t4 – t1) یعنی اعمال نیروی موثر ترمزی و قطع کامل آن می باشد. اگر خودرو قبل از قطع نیروی ترمز متوقف گردد، در اینصورت مدت زمان کل ترمزگیری به نقطه ای که در آن خودرو متوقف می گردد، اطلاق می گردد.

مفاهیم پایه

تمامی اجسام بدون حرکت، تمایل به ساکن ماندن دارند و تمامی اجسام محرک، تمایل به حفظ موقعیت حرکتی و سرعت خود را دارند. نیروهای ذیل بر حرکت خودرو در سطح زمین تاثیر می گذارد:

نیروی جاذبه زمین

نیروی آیرودینامیکی (زاویه Drag)

اصطکاک لاستیک (مقاومت چرخشی)

اصطکاک لاستیک

اصطکاک لاستیک برابر مقاومت آستانه ای شروع حرکت و تغییرات جهتی آن می باشد. اصطکاک لاستیک شامل اجزا مستقل ذیل می باشد.:

نیروی محیطی (Fu) مشتق از نیروی محرک حرکتی

نیروی جانبی(Fs) مشتق از سیستم فرمان و نیروی چرخشی

نیروی نرمال (Fn) که بواسطه وزن خودرو حاصل می شود.

نیروی محیطی چرخ

نیروی محیطی (Fu) بر سطح تماس زمین با لاستیک تاثیر می گذارد.

نیروی نرمال

نیروی نرمال (Fn) برابر نیروی حاصل از وزن و بار خودرو می باشد. عکس العمل نیروی وزن خودرو در جهت عمودی بر سطح زمین می باشد. امتداد این نیرو به موارد ذیل بستگی دارد:

شرایط سطح جاده

شرایط لاستیک های خودرو

شرایط آب و هوایی

نیروهای اصطکاکی

نیروی حاصل از اصطکاک (FR) مطابق رابطه زیر و متناسب با نیروی نرمال (FN) می باشد:

FR=MHF . FN

MHF برابر ضریب نیروی ترمزی (یا ضریب اصطکاک یا چسبندگی موثر) می باشد.

لغزش

فاکتور لغزش (؟) بیانگر تناسب لغزش در مرحله چرخش لاستیک می باشد:؟؟؟؟؟

VF بیانگر سرعت خودرو و Vu برابر شتاب محیطی لاستیک می باشد.

حرکت چرخشی چرخ خودرو: a چرخ با حرکت آزاد، b چرخ ترمز گرفته شده، Vs سرعت چرخ در مرکز چرخ، نقطه (m)، VU سرعت محیطی چرخ، عمل ترمزگیری باعث کاهش زاویه چرخش در واحد زمان می شود. (لغزش چرخ)؟؟؟

نمودار روبرو ة بیانگر رابطه ما بین ضریب نیروی ترمز و ضریب نیروی جانبی بعنوان عملگرهای لغزش ترمز در زاویه 4 درجه می باشد.

شرایط لاستیک خودرو در هنگام چرخش خودرو

a : زاویه

FS : نیروی جانبی

VS : شتابثقل مرکز چرخ

m : خط ثقلی چرخ

طراحی

جهت طراحی سوپاپ تنظیم فشار ترمز بایستی توجه داشت که توزیع نیروی واقعی ، پایین تر از مقدار تئوری ایده آل آن باشد سایر ملاحظات جهت طراحی عبارتند از:

نوسانات در ضریب نیروی اصطکاکی، گشتاور ترمزی موتور و تلرانس رگلاتور فشار.

سیستم ترمز چرخ

تحقیق درباره سیستم مغناطیسی برای تحقیق سوپررسانای

اختصاصی از هایدی تحقیق درباره سیستم مغناطیسی برای تحقیق سوپررسانای دانلود با لینک مستقیم و پر سرعت .

لینک دانلود و خرید پایین توضیحات

فرمت فایل word  و قابل ویرایش و پرینت

تعداد صفحات: 6

سیستم مغناطیسی برای تحقیق سوپررسانای

دمای بالا در یک میدان مغناطیسی

مقدمه

مشخصه ی رفتاری سوپر رساناهای دمای بالا، اندوکتانسی خیلی شدید از میدان بحرانی دوم BC2 می باشد که می تواند به اندازه ی 100-200 T بزرگ باشد.بررسی رفتار رساناها در دمای بالا در چنین میدانی ناگزیر به تولید میدانی به اندازه کافی بزرگ (تا 100cm3) می باشد که قادر به تطبیق حامل عایق گرمایی و اندازه گیری اجزاء سیستم می باشد انرژی باید در جمع کننده نسبی تا نزدیک j106 ذخیره شود که استفاده از ژنراتورها ی مغناطیسی انفجاری [1] یا بانکهای خازنی بزرگ [2] را لازم می کند . با این وجود ، مشکلات تنه مانند دمای سنگین و بارهای مکانیکی روی سلونوئید ها مانع کاربردهای پیچکهای چند دوره و راهنمای استفاده از سلونوئید های تک کاربره با قابلیت جابجایی المنتها یا وسایل مصرفی می شود.

این مقاله امکان تست(سیستم) مگاگوسی باهدفی شفاف راتوصیف می کند که اجازه میدهد آزمایشها با هر دوی المنتهای تجدیدپذیر ومصرفی اجراشود.

2-امکان تست مگاگوسی

منبع تغذیه شامل یک سیستم مغناطیسی و یک بانک خازنی Fμ 640 قادر به ذخیره 800Kj انرژی و دربالاتر، ولتاژ شارژ 50KV می باشد(انرژی کل ذخیره می تواند تا kj1600بالا باشد، با این وجود، امکان تست فقط نصف ظرفیت بانک برای آزمایشهای توصیف شده در این مقاله را استفاده می کند) . بانک خازنی شامل 24 مدل است ، که هر کدام ازنه خازن ازIKM-50-3 ساخته شده وبوسیله ی باسهای مسطح بهم متصل شده اند طراحی مخصوص عایقهای پلی اتیلن یک کلوز الکترودی فضایی و یک اندوکتانس خروجی پایینتر را اجازه می دهد . بانک در یک سطح حفاظتی که 2.5 متر از زمین فاصله دارد قرار گرفته است (شکل a1). هر مدل یک کموتاتور خودش را دارد و با 6 تا 10 mکابل دراز به باسهای جمع کننده متصل است . اندوکتانسهای فردی کابل گروهها بوسیله طول کابل برای هر گروه (30 یا 50) برابر می شود. کل کابلهای استفاده شده در جمع کننده در حدود هزاراست.اندوکتانس یک مدل خازنی با یک کابل ورودی کلوز در حدود nH20 است. اندوکتانس طراحی کل مدلها در حدود nH0.8 است و اندوکتانس کابل سیستم (شامل خاتمه ) nH0.7 است.

طراحی مدلها اجازه نصب بازدارنده های دشارژ گازی را می دهد [3] ، با این وجود عملی خواهد بود برای مورد دشارژهای نسبتا کمیاب برای اینکه از سیستمهای انتقال با اندوکتانس کم و کم هزینه استفاده کنیم که یا شامل بازدارنده های حالت جامد دشارژ افزایشی یا عایق متغییر است یا اعمال قانون جمع کننده های انرژی مگا ژول اولیه، بازدارنده های حالت جامد را استفاده می کردند جایی که عایق با محصولات انفجار الکتریکی خراب می شد [4]. بانک خازنی توصیف شده قانون راه اندازی شارژ، شامل شکست قطعه ای از عایق را استفاده می کنند،هنگامی که میدان در نصف گپ دشارژ تقویت می شود (بین الکترود 1و2،شکل 1b) با بکار گیری یک ولتاژ پالسی به الکترود میانی 2،برای بدست آوردن یک شکست چند کاناله،یک ولتاژ با سرعت فراخیز

درحدود باید تامین می شود. پالس های ولتاژ بوسیله ی دو ژنراتور سه مرحله ای Fitch[6] تولید می شوند و بوسیله کابلها به 24 بازدارنده ارسال می شوند [12 واحد برای بازدارنده رئیس ]، بعد بوسیله بازدارنده با 4 اتم نیتروژن اطراف دربا یک گپ دشارژ mm 4.5 به پیک می رسد . بار ژنراتور12 کابل11AKPV-11- با طول 10m و بصورت موازی وصل شده اند. با ولتاژ شارژ KV 35 در ورودی ژنراتور، خروجی آن با یک مقاومت موثر ohm2 شکل کابلها بار می شود یک ولتاژ پالسی با یک موج جلویی زیر nS50 و دامنه ای در حدود KV100 که شکست چند کاناله هر یک از 12 بازدارنده ی حالت جامد را تامین می کند. اندوکتانس سیستم انتقال در حدود nH -110 است یعنی خیلی پایینتر ازالمنتهای دیگر مدار دشارژ .

تنظیم آزمایشها برای تولید میدانهای مگا گوسی در سلونوئیدی با حجم بزرگ با استفاده از یک بازدارنده کشویی امکان پذیر می شود . اینجا ،برای تامین جریان المنتهای بازدارنده حالت جامد ،باس مسی با یک نوار پلاستیکی محکم فایبر گلاس با ضخامت mm2 جایگزین می شود در حالیکه یک الکترود آتشی را که به کابل آتشی بوسیله یک صحفه مسی قابل انعطاف وصل است حمل می کند . دشارژ کشویی در24 مدل خازنی بوسیله سیستمهای آتشی یکسان که در کموتاتور متناوب حالت جامد استفاده می شود راه اندازی می شود .اندوکتانس این نوع بازدارنده به اندازه ی مورد حالت جامد(درحدود nH5 برای هر مدل) خوب است . یک اشکال بازدارنده کاهش%20دامنه اولین جریان است که بعلت مقاومت اهمی نسبتا بالای کانالها در اولین نیم سیکل در ولتاژ شارژ بانکی نسبتا کم (V0<30KV) است. در V0>30KV یعنی در جریانهای بالاتر از KA200 برای هر مدل،در واقع هیچ مزیتی وجود ندارد. ارتباط های کابلی در یک کلکتور بخشی (شکل d1) مرتب شده اند که بخشهای آن خیلی شبیه آنهایی است که در منابع [7و8] توصیف شده اند.کلکتور بوسیله ی باسهای مسطح گپهای عایق کننده mm2به بار متصل شده است . اندوکتانس کل طراحی سیستم کلکتور و باسهای مسطح nH3.4 است، با باسهایی نزدیک به cm25 طول هر بخش است .اندوکتانس کل اتصال کوتاه کلکتورL0 در این مورد نزدیک به nH5 است.

توانایی جمع کننده انرژی توضیح داده شده در بالا بعنوان یک منبع تامین سیستمهای مغناطیسی با کاهش دامنه Bm در مرکز دور و با پارامترهای هندسی سلونوئیدهای تک – دوری که تولید یک میدان با چنین کاهشی در یک بانک دشارژ را بدون بدفرمی در دور را اجازه می دهند مشخص می شود .جدول زیر پارامترهای سلونوئید مقطع عرضی قائم الزاویه را ارئه می دهد، طول آنها L ،شعاع داخلی r وحجم عمل کننده ؛ میدان با Bm مشخص می شود . فرض می شود که شعاع داخلی خیلی بزرگتر از شعاع داخلی باشد ویک تقریب اثر پوستی بیان شده استفاده شود . دلیل این فرض اینست که در نیم-سیکل دوره در حدود s 10-5ضخامت لایه پوستی در برنز و آهن نزدیک به mm1 است یعنی خیلی کوچکتر از شعاع درونی دور می باشد . این طول توسط فرمول زیر محاسبه می شود .

جایی که W انرژی ذخیره شده در جمع کننده است .

این فرمول از بالانس معادله انرژی در مدار ژنراتور در لحظه جریان ماکزیمم بدست آمده است :

جایی که دامنه جریان است L0،اندوکتانس درونی ژنراتور ، اندوکتانس سلونوئید تک دور. این فرمول اگر L≥2r درست است و اگرنباشد بصورت فوق العاده برای جریان مرده با حرکت اولین ماکزیمم آن در طول یک دشارژ نوسانی [9] ساخته می شود.

پارامتراهای طراحی سیستم مغناطیسی (nH5=L0،W=800Kj )

از جدول می توان فهمید که ظرفیت ذخیره انرژی جمع کننده و اندوکتانس درونی ، تولید یک میدان القایی T 100 در یک حجم نزدیک به cm3100(تلفات و بدفرمی بوجود نمی آید ) را اجازه می دهد.

در حجم مشخص از شعاع (r=rm)و طول(L=Lm) حجم سلونوئید با یک القا ویژه در مرکز ماکزیمم (V=Vm) است. برای بدست آوردن میدانی با 75T= Bm ماکزییم حجم فضای سلونوئید( در حدود cm3200 ) در cm2.4=rm و Lm=11cm ، و با Bm=100T ، Vm=110 cm3 ، rm=2 cm و Lm=8.5 cm است.

یک سلونوئیدویژه برای آزمایشها ی تست مگا گوسی تواناییها ، طراحی شد .شامل یک واحد حامل جریان و یک سیستمی نگهداری مطمئن آنها . واحد حامل جریان برای تستها با میدانهای بالاتراز T50 (شکل 2)از یک ورقه برنز بریلیومی با ضخامت mm3 ساخته شده است.

تستهای میدانهای قوی ترشامل 70تا80 T القا با یک واحد دو لایه از ورقه های برنز بریلیومی و تانتانیوم برای لایه های داخلی و خارجی بترتیب با ضخامت mm 2.5جوش خوردنی انفجاری ساخته شده است. واحد حامل جریان به یک آلیاژ سخت خطی U-7 با استحکام نهایی Kg/mm2170 برای تستهای میدان T50 ،برای میدانهای قوی به آلیاژ تنگستن با بیس کربید با استحکام نهایی Kg/mm2400 جوش خورده است. واحد حامل جریان سلونوئید به باسهای جمع کننده توسط هادی های مسی 3،4و 5(شکل 2) متصل است. خط وهادی ها بوسیله ی یک نگهدارنده بزرگ (شکل C1) که از استیل با استحکام نهایی در حدود Kg/mm2100ساخته شده، با هم نگه داشته می شود سلونوئید با یک واحد حامل جریان برنز بریلیومی تستها را دریک میدان T50تحمل کند.

3-سلونوئید با القا داخلی با المنتهای قابل بد فرم شدن

در میدانهایی با القا در حدودT 100 یک قسمتی از سلونوئید بوسیله نیروهای دمایی و الکترومغناطیسی خراب می شود.بنابراین سیستم مغنا طیسی که عزم تولید چنین میدانی را دارد باید یک قسمت داخلی متغیرداشته باشد همچنانکه در مورد آزمایشهای میدانهای مگا گوسی سلونوئید تک دور کم حجم وجود دارد [10] سلونوئیدهای با قطر طویل ضخامت لایه ای که درون آن ماده ذوب می شود در مقایسه با شعاع کوچک است .

احیه ای که بد فرمی های پسماند را ارائه می دهد، در مقایسه خیلی ضخیم تر است.این لازم می سازد که ابعاد ومواد المنت متغییر سلونوئید را چنان انتخاب کنیم که خرابی باقی مانده از واحد تست را حذف کند. همچنین خیلی مطلوب است که از فیکسچرهای بی خطرسنگین و بیش ازاندازه جلوگیری کنیم که قسمت غیرانهدام پذیرسیستم مغناطیسی است.

چون دوره موثرالقاء T100 پالس های میدان درتوانایی این تست نسبتا" کم است ( در حدود s5- 10) بنظر می رسد که بتوانیم اندازه حرکت المنتهای ساختاری بزرگ را بدون مرزبندی آنها با اجزاء محکم ، استفاده کنیم. سیستم مغنا طیسی برای تحقیق ابر رساناها ، یک مادهای با رسانایی بالای پلاستیکی (برنز،برنج) که با نیم دور بزرگ ساخته شده بوسیله بخشهای بیرونی ونوار نوک تیز دو مخروطی ، که دارای طول قابل تعویض mm 20 درازی ، قطر داخلی mm30 ،mm44 قطر خارجی خطی (شکل 3) استفا ده می کند. این جملات در معرض بارهای سنگین قرار گرفته و می تواند هنگامی که از رده خارج شدند جایگزی شوند نیم دورهایی که بصورت مکانیکی متصل نیستند برای باس 4 بوسیله ی پوشش 5و وزن 6 مطمئن هستند. یک ارتباط مکانیکی نیم دورها با پوشش و باسها در سطح 7 ایمن هستند.

بعد از دشارژ ، خطها و قطعه نیم دورها بصورت افقی بد فرم می شوند (شکل 4) . انرژی که در طول شوک آشکار می شود بوسیله ی اصطکاک سطوح ارتباطی و تا حدی بوسیله ی وزنه ها جذب می شود . یک ارزیابی ساده نشان می دهد که با T100القا ء دشارژی با دوره (تناوب) موثر S5-10 .2 نیم دورهای cm10 را با یک پالسی در حدود ns100 آشکار می کند. با یک جرم Kg15 آنها به اندازه کوچک mm0.2 در طول زمان ارائه شیفت داده می شوند(بدون فوق العاده ای برای اثر وزنه ها ) در حالی که یک در انرژی در حدود j500 را جذب میکند .سیستم مغناطیسی در یک میدانی با دامنه القاء T70 تست می شود .نبود بدفرمی ذاتی سطح درونی نیم دورها ثبت شده، که به وسیله ی خطهای دگردیس پذیر جذب کننده شوک محاسبه می شود.هر نیم دور بعد از دشارژ در حدود mm2 شیفت می خورد.

4.اندازه گیری پارامترهای مواد ابر رسانا در میدان مغناطیسی پالسی

مطالعه ی نفوذ میدان مغناطیسی پالسی قوی در ابر رسانا های نوع سوم به اندازه ی اندازه گیری میدان مغناطیسی بحرانی دوم مهم است،اندازه گیری عمق نفوذی Cambell لازم است [11] وبنابراین تعیین نیروی مزاحم یکی از مشخصه های بحرانی یک ماده ابر رسانا است . چنین اندازه گیری در میدانهای قوی و بالاتر از قوی ( مگا گوس ) بوسیله ی تداخل سنگین تحریک شده ی ناشی از قانون ومدارهای کمکی ، پیچیده تر می شود و بنابراین توسعه تکنیکهای تداخل آزاد را واجب می کند در حالیکه سیگنال قانونی را برای کریر مدولاسیون دامنه در فرکانس بالا استفاده می کند و برای جلوگیری از نویز تحریک شده با فیلترها ، اگر فرکانس اساسی نوسانات پارازیتی از کریر بطورعمده متفاوت باشد.

روشهای اندازه گیری برای تعیین تغییر در اندوکتانس پیچک مرجع با تغییرات نفوذ میدان مغناطیسی به داخل بدنه ی رسانا مجاور، اساسی است. برای افزایش دقت اندازه گیری ، یک مدار رزونانس برای ثبت تغییرات در ولتاژ آن بعلت تغییرات فرکانس رزونانس آن ، استفاده می شود .

یک شماتیک از مدار اندازه گیری در شکل 5 نشان داده شده است . یک مثال از یک ماده ابر رسانای دمای بالا با یک ناحیه ای در حدود یک سانتی متر مربع بصورت یک پیچک مارپیچی L2 مسطح فشرده شده که ابعادش از ابعاد مثال تجاوز نمی کند . پیچک و مثال در یک نگهدارنده داخل یک فلاسک Dewerقرار داده می شوند که، در دورش ، در داخل یک سلونوئید مرتب شده و یک میدان مغناطیسی پالسی تولید می کند . نقشه پیچک وسطح مثال بصورت موازی به خطهای نیروی میدان مغناطیسی ست شده اند .فرکانس منبع ولتاژ اعمال شده بوسیله ی ژنراتور برای مدار رزونانس C1، L1و L2طوری انتخاب می شود که برابر با فرکانس رزونانس این مدار (Hz 10- 5) باشد. ولتاژ مدار رزونانس به یک اسیلوگراف از طریق یک فیلتر فرکانس پایین C2،3R، یک تشخیص گر، و فیلتر فرکانس بالای C3،4R خورانده می شود . تا زمانی که ولتاژ روشن است مدار تغییر نمی کند و سیگنال ثبت شده بوسیله ی اسیلوگراف صفر می باشد.

در ابتدا ولتاژ مدار Um با ماکزیمم نمودار رزونانس f(ω)=Um رابطه دارد جایی که ω فرکانس ومدور نوسانات مدار در مدار اندازه گیری ، می باشد .همچنانکه L2بعلت نفوذ میدان مغناطیسی به داخل نمونه افزایش می یابد رزونانس کوک می شود و ولتاژ Um می افتد.

زمانی که بانک خازنی C0 از طریق سلونوئید دشارژ می شود یک میدان مغناطیسی پالسی تولید می شود در حالیکه یک پالس با پلاریته منفی را در ورودی اسیلو گراف نتیجه می دهد.پالس پوش سیگنال فرکانس بالای

تحقیق درباره تغییرات میدان مغناطیسی زمین در زمان و مکان

اختصاصی از هایدی تحقیق درباره تغییرات میدان مغناطیسی زمین در زمان و مکان دانلود با لینک مستقیم و پر سرعت .

لینک دانلود و خرید پایین توضیحات

فرمت فایل word  و قابل ویرایش و پرینت

تعداد صفحات: 14

تغییرات میدان مغناطیسی زمین در زمان و مکان

دید کلی

در هر نقطه‌ای در نزدیکی سطح زمین ، عقربه مغناطیسی آویزان از رشته یا واقع روی یک نقطه به ترتیب خاصی سمت گیری می‌کند (تقریبا در جهت شمال به جنوب). این واقعیت مهم به این معنا است که زمین میدان مغناطیسی ایجاد می‌کند، مطالعه میدان مغناطیسی زمین برای مقاصد عملی و علمی از اهمیتی اساسی برخودار است.

از زمانهای قدیم ، قطب نماها ، یعنی وسایلی بر اساس استفاده از میدان مغناطیسی زمین برای سمت گیری نسبت به چهار جهت اصلی ، بکار گرفته می‌شدند. قطب نمای مرسوم شامل یک عقره مغناطیسی و یک صفحه مدرج است و در جهت یابیها کاربرد وسیعی دارد.

از میدان مغناطیسی زمین چه استفاده‌هایی می‌شود؟

در دریانوردی و هوانوردی جدید ، دیگر قطب نمای مغناطیسی تنها وسیله‌ای برای سمت گیری و تعیین مسیر کشتی یا هواپیما نیست. برای این منظور وسایل دیگری نیز وجود دارد. با وجود این ، از اهمیت قطب نمای مغناطیسی به هیچ وجه کاسته نشده است. تمام کشتیها و هواپیماهای امروزی به قطب نمای مغناطیسی مجهزند. زمین شناسان ، شکارچیان و مسافران نیز از قطب نما خیلی استفاده می‌کنند. وجود میدان مغناطیسی زمین انجام پاره‌ای از بررسیهای مهم دیگر را میسر ساخته است. از آن جمله می‌توان از روشهای اکتشاف و مطالعه ذخایر آهن نام برد.

قطبهای مغناطیسی زمین

مغناطیس زمین پیرامون زمین را میدان مغناطیسی که ماینوتسفر یا مغناطو کره نامیده می‌شود احاطه نموده است. باید توجه داشت که نقاط به هم رسیدن خطوط میدان مغناطیسی روی سطح زمین قرار ندارد، بلکه قدری از آن پایینتر هستند. همچنین قطبهای مغناطیسی زمین با قطبهای جغرافیایی آن منطبق نیستند. محور میدان مغناطیسی زمین ، یعنی خط مستقیمی که از هر دو قطب مغناطیسی می‌گذرد، از مرکز زمین نمی‌گذرد و از اینرو قطر زمین نیست. مغناطو کره توسط دو عامل مشخص می‌شود: انحراف مغناطیسی و شیب مغناطیسی.انحراف مغناطیسی عبارت است از زاویه انحراف عقربه مغناطیسی از نصف النهار جغرافیایی مورد نظر. خطوط واصل نقاط دارای انحراف مغناطیسی مساوی که خطوط هم گوشه نام دارند، در جنوب و شمال قطبین مغناطیسی که مخالف قطبین جغرافیایی است، همگرا می شود. برخی از محققان ، عدم تطابق قطبهای مغناطیسی و جغرافیایی را به توزیع نایکنواخت خشکی و آب در زمین توجیه می‌نمایند.شیب مغناطیسی عبارت است از زاویه میان عقربه مغناطیسی نسبت به افق (در نیمکره شمالی سر شمالی عقربه و در نیمکره جنوبی عقربه به افق متمایل می شود). ضمن حرکت از استوا به سوی قطبین ، شیب مغناطیس افزایش می یابد. خط واصل نقاط دارای شیب صفر استوای مغناطیسی نام دارد . استوای مغناطیسی ، استوای جغرافیایی را در دو نقطه، یکی با 169˚ طول شرقی و دیگری با ˚23 طول غربی به جنوب و در نیمکره شرقی به شمال منحرف می گردد. در قطبین مغناطیسی شیب به ˚90 می رسد.

مغناطش خود بخودی مواد در میدان مغناطیسی زمین

از مغناطش خودبخودی مواد در میدان مغناطیسی زمین استفاده‌های زیادی می‌شود. از جمله در ساخت مینهای مغناطیسی است که در عمق معینی زیر سطح آب قرار می‌دهند و با عبور کشتی از بالای آنها منفجر می‌شود. ساز و کاری که باعث صعود مین به سطح و انفجار آن می‌شود وقتی عمل می‌کند که عقربه مغناطیسی که می‌تواند حول میله‌ای افقی بچرخد، بر اثر میدان مغناطیسی کشتی که از بالای مین می گذرد، بتواند بگردد. معلوم شده است که کشتی همیشه خودبخود آهنربا می‌شود. برای محافظت در مقابل مینهای مغناطیسی دو روش بکار می‌برند:

مین روبی

این روش عبارت است از حمل مغناطیس نیرومندی که با طنابهای سیمی از هواپیمای در حال پرواز در ارتفاع کم در منطقه مین گذاری شده آویزان می‌شود. گاهی کابل سیمی دایره شکلی را بطور شناور روی آب قرار می‌دهند و جریانی از آن می‌گذرانند. بر اثر

طرح توجیهی کارآفرینی تسمه مغناطیسی

اختصاصی از هایدی طرح توجیهی کارآفرینی تسمه مغناطیسی دانلود با لینک مستقیم و پر سرعت .

لینک دانلود و خرید پایین توضیحات

فرمت فایل word  و قابل ویرایش و پرینت

تعداد صفحات: 25

فهرست مطالب

عنوان صفحه

خلاصه طرح

مطالعات اقتصدی

2-1. تعریف محصول

2-2. موارد مصرف و کاربرد

2-3. کالاهای رقیب یا جانشین

2-4. قیمت فروش محصول تولیدی

3. بررسی های فنی

3-1. بررسی تکنولوژی های مختلف

3-2. بررسی روشهای مختلف تولید محصول

3-3. بررسی شیوه های کنترل تولید محصول

3-4. مشخصات مواد اولیه

3-5. مشخصات ماشین آلات و تجهیزات خط تولید و ...

3-6. نقشه استقرار ماشین آلات در خط تولید

3-7. مشخصات ماشین آلات و تجهیزات حمل و نقل در ارتباط با تولید

3-8. برآورد زیربنا و زمین مورد نیاز

3-9. محاسبه میزان برق و آب و سوخت

3-10. نیروی انسانی مورد نیاز 3-11. پلان کلی کارخانه

3-12. نمودار گردش مواد

4. بررسی های مالی

4-1. برآورد سرمایه ثابت

4-2. برآورد سرمایه در گردش

4-3. برآورد کل سرمایه مورد نیاز

4-4. نحوة تأمین مالی

4-5. محاسبه هزینه استهلاک

4-6. محاسبه هزینه های نگهداری و تعمیرات

4-7. محاسبه قیمت تمام شده و قیمت فروش

4-8. توجیه اقتصادی و مالی طرح

4-8-1. مقایسه قیمت فروش محصول و قیمت عمده فروشی در بازار

4-8-2. نقطة سر بسر طرح

4-8-3. نرخ بازگشت سرمایه

4-8-4. زمان برگشت سرمایه

4-8-5. سود بعد از کسر مالیات

4-8-6. درصد مواد اولیه خارجی طرح

4-8-7 . ارزش افزوده طرح

4-8-8 . صرفه جوئی ارزی طرح

4-8-9 . سرمایه ثابت سرانه طرح

1- خلاصه طرح :

عنوان محصول

: ته مغناطیسی دائمی

ظرفیت سالیانه

: یکصد تن

تعداد روز کار

: 270

تعداد شیفت

: 2 شیفت

مساحت زمین

: 594 متر مربع

سطح زیر بنا

: 199 متر مربع

سرمایه ثابت

: 5/330 میلیون ریال

سرمایه کل

3/370 میلیون ریال

تعداد کارکنان

: 20 نفر

فروش کل محصول

: 500 میلیون ریال

سود ویژه

: 3/110 میلیون ریال

ارزش افزوده

4/390 میلیون ریال

سرمایه گذاری سرانه

: 6/10 میلیون ریال

ظرفیت در نقطه سر به سر

: 70 تن

نرخ بازده سرمایه

: 33%

صرفه جوئی ارزی سالیانه

: 1.300.000دلار

درصد صرفه جوئی ارزی

: 30%

2- مطالعات اقتصادی

2-1- تعریف محصول

تسمه مغناطیسی محصولی است ساخته شده از فریت مغناطیسی که پس از عبور از یک میدان مغناطیسی قوی به آهنربای دائمی تبدیل می شود.

دانسیته تسمه مذکور حدود 7/3 – 6/3 گرم بازای هر سانتیمتر مکعب، سختی آن حدود 90-85 (در شاخص A ) و قدرت جذب مغناطیسی به مقدار 37/0 – 3/0 پوند بازای هر اینچ مربع (26-21 گرم بر سانتیمتر مربع) می باشد.

مقطع تسمه و ابعاد آن متناسب با کاربرد آن و سفارش مشتری بایستی انتخاب شود یک نمونه از آن در شکل زیر نشان داده شده است. کاربرد نمونه مذکور در اطراف درب یخچال می باشد. در حال حاضر استاندارد ملی برای این محصول وجود ندارد.

2-2- موارد مصرف و کاربرد

تسمه مغناطیسی مورد نظر معمولاً در اطراف درب یخچال و فریزر و به میزان کمتر در لوازمی از قبیل جعبه های جامدادی و ساخت علائم مورد استفاده در «وایت برد» و تخته های مهندسی می باشد. تسمه مذکور در داخل نوار پلاستیکی اطراف درب یخچال و فریزر قرار گرفته و باعث می شود پس از اعمال گشتاور به درب وپس از نزدیک شدن در به بدنه یخچال، با جاذبه بیشتری درب به یخچال نزدیک شده و پس از تماس از آن جدا نشود. و به این ترتیب از تبادل حرارت و اتلاف انرژی جلوگیری بعمل آید.

2-3- کالاهای رقیب یا جانشین :

در حال حاضر رقیب یا جانشین برای این محصول در بازار وجود ندارد.

2-4- قیمت فروش بازار :

با توجه به محاسبات قسمت (2-7-4) قیمت فروش هر کیلو تسمه تولیدی 1690 ریال تعیین گردیده است.

3- بررسی های فنی :

تحقیق درمورد انرژی مغناطیسی

اختصاصی از هایدی تحقیق درمورد انرژی مغناطیسی دانلود با لینک مستقیم و پر سرعت .

فرمت فایل:  ورد ( قابلیت ویرایش ) 

---

قسمتی از محتوی متن ...

تعداد صفحات : 18 صفحه

محاسبه متوسط ممان مغناطیسی هسته در یک میدان H و دمای T Application of canonical distribution in (Nuclear Magnetism) ماده را در نظر می گیریم که دارای N0 هسته در واحد حجم باشد.
و در یک میدان مغناطیسی H قرار گرفته باشد. هر هسته دارای اسپین و ممان مغناطیسی است. ممان متوسط مغناطیسی ماده (در جهت H) در درجه حرارت T چقدر است؟
فرض می کنیم که هر هسته دارای برهم کنش ضعیف با سایر هسته ها و سایر درجات آزادی است.
همچنین یک هسته را بعنوان سیستم کوچک در نظر می گیریم و بقیه هسته ها و سایر درجات آزادی را بعنوان منبع حرارتی می گیریم. هرهسته می‌تواند دارای دوحالت باشد+یا هم‌جهت بامیدان واقع در تراز انرژی پائین یا در خلاف جهت میدان واقع در تراز انرژی بالا (Cثابت تناسب است ) چون این حالت دارای انرژی متر است پس احتمال یافتن هسته در آن بیشتر است. از طرفی احتمال یافتن هسته در حالت تراز بالای انرژی برابر است با و چون این حالت دارای انرژی بیشتری است پس احتمال یافتن هسته در آن کمتر است.
(چون تعداد حالات بیشتر است با افزایشE، افزایش می یابد و ذره شکل پیدا می شد در حالت بخصوص) و چون احتمال یافتن هسته در حالت + بیشتر است پس ممان مغناطیسی هسته نیز باید در این جهت باشد. با توجه به دو رابطه های مقابل مهمترین متغیر در این دو رابطه که نسبت انرژی مغناطیسی به انرژی حرارتی را نشان می دهد پارامتر زیر می باشد. که نسبت انرژی مغناطیسی به انرژی حرارتی را نشان می دهد پارامتر زیر می باشد: واضح است که اگر نمای هر دو e یعنی احتمال اینکه هم جهت با H باشد برابر با احتمال اینکه در خلاف جهت H باشد. در اینصورت تقریباً کاملاً بطور نامنظم جهت گیری می کند بطوریکه: از طرف دیگر اگر اگر احتمال هم جهت بودن ؛ H بیشتر از خلاف جهت است تمام این نتایج کیفی را به نتایج کمی تبدیل می کنیم. بوسیله محاسبه واقعی متوسط Magnetization mean magnetization per unit nolume in the direction of H حالا چک کنیم که آیا استدلالهای کیفی قبلی را نمایان می کند؟
اگر اگر مستقل از H است که ثابت تناسب است X(chay)ij که به آن پذیرایی ماده مغناطیسی گفته می شود.
Magnetic Susceptibility of Substance X برحسب کمیات میکروسکوپیک و اینکه باد، رابطه عکس دارد به قانون کوری معروف است Curie’s Law از طرف دیگر مستقل از H است یا T اگر و مساوی با Mmax مغناطیسی شدن max of magnetization که ماده می تواند نمایش بدهد. بستگی کامل متوسط مغناطیسی شدن به دمای T و میدان مغناطیسی H در شکل زیر نشان داده شده است. منحنی زیر منحنی tanhy است که اگر y با نسبت کمتر از یک باشد آنگاه بستگی به مقدار H افزایش می یابد و اگر باشد این نسبت 0.63 است و اگر بیشتر از یک باشد آنگاه مغناطیس شدن به حالت اشباع و ماکزیمم خود می‌رسد. متوسط مغناطیس شدن برای مشاهده رزونانس در یک ماکروسکپی سیستمی را در نظر می گیریم که هسته‌های آن دارای چون تعداد زیادی هسته در نمونه ماکروسکپی وجود دارند، تعداد هسته های در حالتهای ms برابر را با مشخص می کنیم. تعداد کل اسپینها یعنی N ثابت است ولی بکار بردن یک میدان متناوب تحریک باعث تغییر در N+ یا N- بخاطر انتقالهایی که صور

متن بالا فقط تکه هایی از متن به صورت نمونه در این صفحه درج شده است.شما بعد از پرداخت آنلاین فایل را فورا دانلود نمایید

بعد از پرداخت ، لینک دانلود را دریافت می کنید و ۱ لینک هم برای ایمیل شما به صورت اتوماتیک ارسال خواهد شد.