هایدی

مرجع دانلود فایل ,تحقیق , پروژه , پایان نامه , فایل فلش گوشی

هایدی

مرجع دانلود فایل ,تحقیق , پروژه , پایان نامه , فایل فلش گوشی

مقاله درباره تستهای استاندارد (بر اساس استاندارد I E C ) بر روی ترانسفورماتور های قدرت و بررسی و تحلیل تست

اختصاصی از هایدی مقاله درباره تستهای استاندارد (بر اساس استاندارد I E C ) بر روی ترانسفورماتور های قدرت و بررسی و تحلیل تست دانلود با لینک مستقیم و پر سرعت .

لینک دانلود و خرید پایین توضیحات

فرمت فایل word  و قابل ویرایش و پرینت

تعداد صفحات: 116

 

دانشگاه آزاد اسلامی

واحد کلیبر(مرکز هوراند)

عنوان پروژة :

تستهای استاندارد (بر اساس استاندارد I.E.C ) بر روی ترانسفورماتور های قدرت و بررسی و تحلیل تست

(Swiching impulse & Lightning impulse)

تست ترانسفورماتور

تست ترانسفورماتور را می‌توان به سه دسته تقسیم کرد:

I: تست عمومی (Routine) شامل یک سری تست می‌باشد که بر روی کلیه ترانسفورماتورهای ساخته شده انجام می‌گیرد.

II: تست انفرادی (Type) شامل یک سری تست می‌باشد که فقط بر روی یک یا چند دقیقه ترانسفورماتور که از میان یک سری ترانسفورماتور مشابه انتخاب می‌شوند. انجام می‌گیرد.

III: تست اختصاصی (Special) که بنابر توافق بین خریدار و فروشنده انجام می‌گیرد.

I : تست‌های عمومی ترانسفورماتور

اندازه‌گیری مقاومت سیم‌پیچ: مقاومت اهمی سیم پیچ‌ها از طریق ولتاژ دائم و توسط یکی از متدهای موجود (معمولاً پلی الکتریکی ) اندازه‌گیری می‌شود. علاوه بر مقاومت درجه حرارت سیم‌پیچ نیز بایستی هنگام تست اندازه‌گیری شود. این درجه حرارت برای ترانسفورماتورهای روغنی برابرست با مقدار توسط حرارت روغن در بالا و پایین مخزن روغن

تعیین تسبت تبدیل : تعیین نسبت تبدیل بین دو سیم‌پیچ، با اعمال ولتاژ به یک سیم پیچ و اندازه‌گیری ولتاژ هر دو سیم پیچ، انجام می‌گیرد. نسبت تبدیل بایستی برای کلیه انشعابات (Tapping) ترانسفورماتور تعیین گردد.

تعیین اختلاف فاز: برای ترانسفورماتورهای سه فاز لازم است که اختلاف فاز بین دو ولتاژ مشابه در اولیه و ثانویه معلوم باشد. این اختلاف فاز که همواره مضربی از 30 درجه خواهد بود بصورت یک عدد (از صفر الی 11) مشخص می‌گردد.

تعیین پلارتیه: هر گاه دو سر سیم پیچ ولتاژ زیاد را با H2 , H1 و دو سر سیم پیچ ولتاژ کم را با X2 , X1 مشخص کنیم.

طبق تعریف دو ترمینال X1 , H1 را “هم پلارتیه” می‌نامند هر گاه طبق شکل 1-الف جهت مغناطیسی سیم پیچ آنها (با توجه به جهت پیچش بدور هسته) یکسان باشد. یک متد برای تعیین پلارتیه در شکل 1-ب رسم شده است که در آن ولتاژی به H1 - H2 اعمال گردیده و H1 به H2 , X1 به X2 می‌‌باشد و بعبارت دیگر این دو ولتاژ همفاز می‌باشد.

تست بی‌باری: هدف از این تست تعیین تلف بی‌باری (تلف آهن یا تلف هسته) و جریان بی باری در ولتاژ و فرکانس اسمی می‌باشد. در این تست به یکی از سیم پیچ‌ها ولتاژ با فرکانس اسمی اعمال می‌گردد در حالیکه سیم پیچ‌های دیگر باز می‌ماند.

5-1- اندازه‌گیری:

در حین تست، ولتاژ اعمالی از حدود 115% بتدریج کاهش داده می‌شود و کمیات توان ورودی Pm فرکانس منبع تغذیه، جریان ورودی (جریان بی باری)، ولتاژ اعمالی و همچنین هارمونی‌های جریان ورودی اندازه‌گیری می شوند.

5-2- محاسبات :

الف) جریان بی باری: جریان های ورودی در سه فاز توسط سه آمپرمتر که مقدار مؤثر را اندازه‌گیری می‌کند، قرائت گردیده و سپس مقدار متوسط حسابی آبها تعیین می‌گردد.

ب) تلف بی باری: توان قرائت شده Pm تلف بی باری می باشد، خطائی که غیر سینوسی بودن ولتاژ بر Pm دارد به ترتیب زیر تصحیح می‌گردد:

برای اندازه گیری ولتاژ در این تست از دو ولتمتر استفاده می‌گردد که یکی مقدار متوسط ولتاژ اعمالی (V) و دیگری مقدار مؤثر ولتاژ اعمالی (V() را قرائت می‌کنند در صورتیکه V( = 1.11 V باشد، ولتاژ سینوسی و خطا صفر می‌گردد.


دانلود با لینک مستقیم


مقاله درباره تستهای استاندارد (بر اساس استاندارد I E C ) بر روی ترانسفورماتور های قدرت و بررسی و تحلیل تست