سامانه ضد سرقت خودرو ارائه شده جهت پروژه کارشناسی الکترونیک در دانشگاه فردوسی
دارای فایل word با توضیحات کامل در مورد پروتکل های GPS و GSMT، نرم افزار، سخت افزار، قطعات انتخابی و ویژگی هر کدام
دارای فایل command مربوطه به GPS و GSM
دارای کد یرنامه نویسی با کامپایلر code vision به زبان C
دارای power point ارائه
دارای نرم افزارهای اختصاصی مربوط به پروژه جهت ارتباط سریال و GPS
مقاله کامل بعد از پرداخت وجه
لینک پرداخت و دانلود در "پایین مطلب"
فرمت فایل: word (قابل ویرایش و آماده پرینت)
تعداد صفحات: 4
درباره سامانه TCS بیشتربدانیم :
قابلیت کنترل خودرو در شرایط خاص حتی برای رانندگان حرفه ای می تواند درد سر ساز باشد چرا که مهارت در رانندگی تنها فاکتور تعیین کننده برای رهایی یافتن از مهلکه نیست از این رو خودرو سازان تلاش میکنند با بالا بردن ضریب امنیتی محصولاتشان بوسیله سامانه های هوشمند تا حدی از خطرات احتمالی پیشگیری کنند. شروع عصر حکم رانی سامانه های هوشمند بر فرامین راننده را میتوان از زمان تولد ABS دانست، سیستمی که در مراحل بعدی مکمل کار سامانه هایی از قبیل TCS , ESP , EBD , ABA ... شد .
هرزگشتن چرخهای متحرک در هنگام حرکت بر روی سطوح یخ زده از مشکلاتی است که بیشتر رانندگان آنرا تجربه کرده اند، مشابه همین مشکل در مورد اتومبیلهایی با موتورهای قوی حتی بر روی سطوح خشک نیز وجود دارد.راه حلی که از گذشته به منظور جلوگیری از هرزگردی چرخهای اتومبیلهایی که نیروی خروجی دیفرانسیل آنها زیاد است استفاده می شود، دیفرانسیل های limited slip differential LSD میباشد.به زبان ساده در خودروهای تک دیفرانسیل معمولی (دیفرانسیل آزاد) که گشتاور به هر دو چرخ منتقل میشود اگر یکی از چرخهای متحرک تماسی با سطح زمین نداشته باشد ویا بر روی سطوح یخ زده قرار گیرد ،آن چرخ آزادنه می چرخد و چرخ دیگربر روی زمین خشک در حالت سکون قرار میگیرد. در نتیجه خودرو ثابت میماند .سکون چرخ دوم به این دلیل است که، به چرخی که اصطکاک بیشتری دارد گشتاور کمتری منتقل میشود و این ایراد اصلی دیفرانسیل های آزاد می باشد.ولی در صورت وجود دیفرانسیل LSDگشتاور لازم جهت به حرکت در آوردن چرخ ثابت به آن منتقل می شود و در نتیجه خودرو میتواند به حرکت خود ادامه دهد در واقع تقسیم گشتاور بین هر یک از چرخ ها با توجه به میزان نیروی اصطحکا ک آنها با سطح جاده می باشد (هر چه نیروی اصطکاک کمتر گشتاور دریافتی هم کمتر).
از دیگر ترفندهایی که به منظور جلوگیری از هرزگردی چرخها انجام شده است، سامانه MAX TRAC بود که بر روی برخی از محصولات جنرال موتوردر اوایل دهه 70 نصب می شد که از آن جمله میتوان به بیوک زیبا و قدرتمند Rivera ا شاره کرد که به صورت آپشنال این سامانه بر روی آن قابل سفارش بود.این سیستم بوسیله کامپیوتر های اولیه اتومبیل و سنسورهایی که در هر چهار چرخ نصب شده بود کار میکرد ،کامپیوتر با توجه به میزان اختلاف سرعت در چرخ های جلو و عقب میزان تورک موتور را به گونه ای تنظیم میکرد که کمترین هرز گردی در هنگام حرکت بوجود آید .این سامانه به دلیل بهای زیادی که مالک باید برای آن پرداخت میکرد مورد استقبال عموم قرار نگرفت.در همان سالها بود که کادیلاک نیزسامانه TMS Traction Monitoring System را بر روی مدل الدرادو نصب کرد ولی بخاطر واکنشهای ضعیف و نواقصی که در ECU به وجود می آمد بسیار مورد انتقاد قرار گرفت و عمر کوتاهی داشت.
ولی پیروز میدان درنصب سیستمی کامل، با کمترین نقص که بتواند میزان هرزگردی چرخهای متحرک را به حد اقل برساند وکمترین میزان پرت انرژی را داشته یاشد کارخانه مرسدس بنز بود که همواره در معرفی این گونه سامانه ها به لطف تلاش مهندسین BOSCH یکی از پیشگامان می باشد،این کارخانه در سال 1971 سامانه ETCS
Electronic Traction Control System را معرفی کرد
311-جزوه درس طراحی سامانه های VLSI -
دانشگاه صنعتی امیر کبیر
دکتر شالچیان
تایپ شده و مرتب در دو قسمت134+133 صفحه -فارسی- pdf
فصل اول: مقدمه .............................................................................................................. 1
2 ..............................................................................................................VLSI 2.2 چیستی و اهمیت فن آوری
1 ....................................................................................................................... VLSI 2.1 تاریخچه فن آوری
به عنوان اصلی ترین محرک توسعه فن آوری مدار های مجتمع ............................................. 8 CMOS 2 فن آوری . 1. 2
1 مقیاس تراکم ترانزیستور ها در مدار های مجتمع ............................................................................... 21 . 1. 2
9 عوامل موثر در توسعه گسترده فن آوری طراحی مدار های مجتمع دیجیتال ........................................... 21 . 1. 2
9.2 مروری بر مطالبی که در این درس ارایه می شود .................................................................................... 29
4.2 ارایه تصویر کلی از موضوعات درس در قالب یک مثال )تکمیلی( ............................................................. 21
11................................................................................................ VLSI 1.2 شاخص های مهم در ارزیابی مدار های
2 قیمت .................................................................................................................................... 12 . 1. 2
1 سرعت یا کارایی ......................................................................................................................... 19 . 1. 2
9 قابلیت اعتماد ............................................................................................................................ 14 . 1. 2
4 مصرف توان و انرژی ................................................................................................................ 12 . 1. 2
92 ........................................................................ VLSI فصل دوم : فن آوری ساخت و جانمایی مدار های
2.1 مقدمات ساخت مدار های مجتمع ........................................................................................................... 13
2 ویفر سیلیکان ............................................................................................................................ 13 . 2. 1
92........................................................................................................... (clean room) 1 اطاق تمیز . 2. 1
1.1 فن آوری های پایه مورد استفاده در ساخت .............................................................................................. 92
2 فتولیتوگرافی ............................................................................................................................. 92 . 1. 1
99.................................................................. (Diffusion and Ion Implantation) 1 نفوذ و کاشت یونی . 1. 1
99.......................................................................................................... (oxidation) 1.1.9 اکسیداسیون
94.......................................................................................................... (deposition) 1.1.4 لایه نشانی
94.............................................................................................................. (etching) 1.1.1 لایه برداری
91........................................................................................................... (planarization) 1.1.2 تسطیح
91........................................................................................................................ CMOS 9.1 فرآیند ساخت
92 .................................................................................................... N-WELL : 2 گام فتولیتوگرافی اول . 9. 1
1.9.1 گام فتولیتوگرافی دوم: ناحیه فعال ............................................................................................. 92
9.9.1 مرحله تشکیل گیت ترانزیستور ها ............................................................................................ 98
93....................................................................................
NMOS 4 نواحی سورس و درین ترانزیستور های
1.9.2 مرحله ایجاد پنجره کنتاکت های اتصال به ترانزیستور ها ............................................................. 41
1.9.2 مرحله ایجاد اتصال میانی با لایه فلز ......................................................................................... 41
4.1 جانمایی مدار های مجتمع .................................................................................................................... 49
2 لایه های مورد استفاده در جانمایی ................................................................................................... 49 . 4. 1
1 بر قراری اتصال بین لایه ها ............................................................................................................. 41 . 4. 1
9 قواعد طراحی .............................................................................................................................. 42 . 4. 1
4 نمونه های از قواعد طراحی ........................................................................................................... 42 . 4. 1
1 جانمایی ترانزیستور ...................................................................................................................... 48 . 4. 1
1.1 تولید بدون کارخانه ............................................................................................................................ 11
2.1 بسته بندی مدار های مجتمع )تکمیلی( .................................................................................................. 11
55 ............................................................ [2] MOSIS پیوست فصل دوم: تعدادی از قواعد طراحی شرکت
46 ........................................................................................ MOSFET فصل سوم : مدل ترانزیستور
21 ............................................................................................................................ P-N 2.9 یادآوری پیوند
28 .................................................................................................... MOSFET 1.9 ساختار و عملکرد ترانزیستور
2 ولتاژ آستانه ترانزیستور ................................................................................................................ 23 . 1. 9
1 هدایت کانال در ناحیه خطی ........................................................................................................... 21 . 1. 9
9 هدایت کانال در ناحیه اشباع ........................................................................................................... 29 . 1. 9
4 اثر مدولاسیون طول کانال ............................................................................................................. 21 . 1. 9
1 هدایت کانال کوتاه و اشباع سرعت .................................................................................................. 21 . 1. 9
2 مدل ساده کانال کوتاه با تقریب برای تحلیل دستی ............................................................................... 28 . 1. 9
28........................................................................................ MOS 2.1.9 مشخصه جریان - ولتاژ ترانزیستور
8 هدایت زیر آستانه )تکمیلی( .......................................................................................................... 81 . 1. 9
3 مدل یکپارچه و ساده برای تحلیل دستی ............................................................................................ 82 . 1. 9
9.9 مدل دیجیتال ترانزیستور ..................................................................................................................... 89
2 مدل سوییچ مقاومتی در تحلیل پویای مدار های دیجیتال ....................................................................... 89 . 9. 9
81............................................................................................................. MOS 1.9.9 خازن های ساختار
9.9.9 خازن های پیوند .................................................................................................................... 82
83.......HSPICE و تحلیل با نرم افزار BSIM3V 4.9 مدل 3
29 ................................................................................................... CMOS فصل چهارم : وارونگر
34................................................................................................................ CMOS 2.4 تحلیل ایستای وارونگر
2 عملکرد وارونگر ......................................................................................................................... 34 . 2. 4
1 مشخصه انتقالی وارونگر ............................................................................................................... 32 . 2. 4
9 تحلیل پارامتری ولتاژ آستانه سوییچینگ ........................................................................................... 33 . 2. 4
4 تحلیل پارامتری حاشیه نویز ......................................................................................................... 211 . 2. 4
1 نکات تکمیلی.......................................................................................................................... 211 . 2. 4
211 ............................................................................................................... CMOS 1.4 تحلیل پویای وارونگر
2 محاسبه مولفه های خازن بار ........................................................................................................ 212 . 1. 4
1.1.4 تحلیل تاخیر انتشار .............................................................................................................. 222
9 بررسی تاثیر پارامتر های طراحی روی تاخیر دریچه وارونگر ......................................................... 221 . 1. 4
4 طراحی وارونگر با هدف بهینه کردن تاخیر .................................................................................... 224 . 1. 4
1 تاثیر تغییر اندازه ترانزیستور های وارونگر به یک نسبت روی تاخیر ................................................ 221 . 1. 4
2.1.4 سایز بندی زنجیره وارونگر ها .............................................................................................. 222
2 انتخاب تعداد طبقات در زنجیره وارونگر ها ................................................................................... 228 . 1. 4
223 .................................................................................................. CMOS 9.4 انرژی و توان مصرفی در وارونگر
2 تلفات پویای ناشی از سوییچینگ خازنها ......................................................................................... 211 . 9. 4
1 تلفات پویای ناشی جریان مستقیم در زمان سوییچینگ ....................................................................... 211 . 9. 4
9 تلفات ایستا ............................................................................................................................. 211 . 9. 4
4 معادله کامل توان ...................................................................................................................... 212 . 9. 4
212 ................................. PDP: Power-Delay Product ) 1 حاصلضرب توان – تاخیر )انرژی بازای یک عملیات . 9. 4
212 ............................................................... EDP: Energy Delay Product 2.9.4 حاصلضرب انرژی در تاخیر
218 .......................................................................................... HSPICE 2 نحوه محاسبه توان در نرم افزار . 9. 4
پیشرفته( ......................................................................... 218 ( CMOS 4.4 تاثیر کاهش مقیاس فن آوری روی وارونگر
مراجع .......................................................................................................... 191
فصل پنجم: گیت های ترکیبی CMOS ........................................................................................... 1
3 گیت های . 5 CMOS مکمل ایستا ...................................................................................................... 2
3 ساختار کلی و نکات مهم . 3. 5 ..................................................................................................... 2
2 مشخصه انتقالی گیت های مکمل ایستا . 3. 5 .................................................................................... 7
1 تاخیر انتشار گیت های مکمل ایستا . 3. 5 ........................................................................................ 8
4 چالش های طراحی گیت های مکمل ایستا . 3. 5 .............................................................................. 33
5 روش های طراحی گیت های با تعداد ورودی زیاد . 3. 5 31
6 بهینه سازی کارآیی در شبکه های ترکیبی )پیشرفته( . 3. 5 .................................................................. 35
7 مصرف توان در گیت های منطقی ایستا )پیشرفته( . 3. 5 ..................................................................... 23
5 . چینش گیت های CMOS ایستا .................................................................................................... 26 2
3 نمودار میله ای . 2. 5 (stick diagram) ........................................................................................... 27
2 گراف اولر و پیوستگی خط نفوذ . 2. 5 ............................................................................................ 23
منطق نسبتی (RATIOED LOGIC) ................................................................................................... 13 1.5
3 محاسبه . 1. 5 VOL ................................................................................................................. 13
2.1.5 منطق DCVSL ................................................................................................................ 11
5 . منطق های ترانزیستور عبوری و گیت انتقالی 15 4
3 منطق ترانزیستور عبوری . 4. 5 .................................................................................................... 15
2 منطق گیت انتقالی . 4. 5 .......................................................................................................... 43
1 بهینه سازی گیت ها در منطق ترانزیستور عبوری و گیت انتقالی . 4. 5 .................................................... 44
5 . منطق های CMOS پویا ............................................................................................................. 43 5
3 مبانی عملکرد گیت های . 5. 5 CMOS پویا .................................................................................... 43
2 گیت پویا با شبکه ارزیابی بالاکش . 5. 5 ......................................................................................... 53
1 سرعت و تلفات در منطق پویا . 5. 5 )پیشرفته( ................................................................................ 53
4 ملاحظات طراحی گیت های پویا . 5. 5 .......................................................................................... 54
5 اتصال پشت سر هم گیت های پویا . 5. 5 ........................................................................................ 58
6 منطق دومینو . 5. 5 ................................................................................................................. 53
7 منطق . 5. 5 np-CMOS ............................................................................................................ 62
5 . جمع بندی ................................ ................................ ................................ ................................ ................................ ...........................
اتصالات میانی .. .. .. .. .. .. .. .. .. .. .. .. .. .. .. .. .. .. .. .. .. .. .. .. .. .. .. .. .. .. .. .. .. .. .. .. .. .. .. .. .. .. .. .. .. .. .. .. .. .. .. .. .. .. .. .. .. .. .. .. .. .. .. .. .. .. .. .. .. .. .. .. .. .. .. .. .. .. .. .. .. .. .. .. .. .. .. .. .. .. .. .. .. .. .. .. .. .. .. .. .. .. .. .. .. .. .. .. .. .. .. .. .. .. .. .. .. .. .. .. .. .. .. .. .. .. .. .. .. .. .. .. .. .. .. .. .. .. .. .. .. .. .. .. .. 66
6 . تحلیل پارامتر های اتصالات میانی .. .. .. .. .. .. .. .. .. .. .. .. .. .. .. .. .. .. .. .. .. .. .. .. .. .. .. .. .. .. .. .. .. .. .. .. .. .. .. .. .. .. .. .. .. .. .. .. .. .. .. .. .. .. .. .. .. .. .. .. .. .. .. .. .. .. .. .. .. .. .. .. .. .. 67 3
3 خازن اتصالات میانی . 3. 6 ......................................................................................................... 67
2 مقاومت اتصالات میانی . 3. 6 ...................................................................................................... 72
1 اندوکتانس )پیشرفته( . 3. 6 ....................................................................................................... 77
6 . مدل های الکتریکی سیم ........................................................................................................... 78 2
3 مدل سیم ایده ال . 2. 6 ............................................................................................................ 78
2.2.6 مدل فشرده (Lumped) ..................................................................................................... 78
1 مدل . 2. 6 RC فشرده ............................................................................................................... 73
4 مدل خط . 2. 6 rc گسترده ........................................................................................................ 82
6 . مدل خط انتقال .. .. .. .. .. .. .. .. .. .. .. .. .. .. .. .. .. .. .. .. .. .. .. .. .. .. .. .. .. .. .. .. .. .. .. .. .. .. .. .. .. .. .. .. .. .. .. .. .. .. .. .. .. .. .. .. .. .. .. .. .. .. .. .. .. .. .. .. .. .. .. .. .. .. .. .. .. .. .. .. .. .. .. .. .. .. .. .. .. .. .. 85 1
6 . مدل SPICE خط RC گسترده برای سیم .......................................................................................... 85 4
................................ ................................ ................................ ................................ ........ 7 طراحی گیت های ترتیبی . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 77
7 . مقدمه ............................................................................................................................... 87 3
3 معیار های زمانی در مدار های ترتیبی . 3. 7 .................................................................................... 88
2 دسته بندی عناصر حافظه . 3. 7 .................................................................................................. 83
7 . لچ ها و رجیستر های ایستا ......................................................................................................... 33 2
3 اصول پایداری دو حالته . 2. 7 ..................................................................................................... 33
2 لچ های مبتنی بر مالتی پلکسر . 2. 7 ............................................................................................. 34
1.2.7 رجیستر حساس به لبه پایه پیرو – (Master Slave) ................................................................... 35
7 . لچ ها و رجیستر های پویا )دینامیکی( ......................................................................................... 311 1
3 رجیستر های پویای حساس به لبه با گیت انتقالی . 1. 7 .................................................................... 311
2 ساختار . 1. 7 C2MOS ساختار غیر حساس به همپوشانی کلاک – ......................................................... 312
1.1.7 رجیستر های با کلاک کاملا تک فاز (TSPCR) ......................................................................... 315
7 . سایر انواع عناصر ترتیبی ....................................................................................................... 318 4
3 رجیستر پالسی . 4. 7 ............................................................................................................ 318
2 عناصر ترتیبی دارای . 4. 7 reset ............................................................................................... 331
1 عناصر ترتیبی دارای . 4. 7 enable ............................................................................................. 333
7 . ساختار PIPELINE برای بهینه سازی مدار های ترتیبی
3 مقایسه پایپ لاین با استفاده از لچ و رجیستر . 5. 7 .......................................................................... 334
2.5.7 پیاده سازی مدار های پایپ لاین با استفاده از منطق NORA-COMS .............................................. 334
7 . مدارهای ترتیبی غیر دوحالته ................................................................................................... 336 6
3 اشمیت تریگر . 6. 7 ............................................................................................................... 337
2.6.7 نوسانگر حلقه ای ................................ ................................ ................................ ................................ ............................... 333. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
7 . کلاک و زمانبندی در مدار های ترتیبی سنکرون ........................................................................... 321 7
3 پدیده جابجایی کلاک . 7. 7 (Clock Skew) .................................................................................. 323
2 پدیده تشویش کلاک . 7. 7 (Jitter) ........................................................................................... 324
1 روش های توزیع کلاک . 7. 7 ....................................................................................................
فرمت فایل : word (قابل ویرایش) تعداد صفحات : 8 صفحه
بخشی از متن :
الف)GPS و برد GSM
ذخیره اطلاعات در کارت حافظه داخلی
ارتباط دو طرف از طرف راننده به مرکز و برعکس
ب)MDT (کنسول راننده)
دارای قابلیت‌ها و خصوصیات زیر:
برای هر 500 اتوبوس یک مرکز کنترل در نظر گرفته شده است و به ازای هر 100 اتوبوس یک نفر مسئول کنترل و توزیع اتوبوس در مسیر
الف) سخت‌افزار
ب) نرم افزار
قابلیت تعریف محل‌های خاص (مثلا موقعیت ایستگاه‌ها یا تقاطعات) برای نرمافزار و ارائه گزارش از میزان تاخیر و توقف در موقعیت تعیین شده
پایان نامه برای سامانه های سوناری
پایان نامه ای بی نظیر و جدید و کامل با نازل ترین قیمت.
این کتاب در تاریخ 1395:03:22 به پایان رسیده و تا کنون در هیچ دانشگاهی در ایران ارایه نشده است. و فقط چند نسخه انگشت شمار در اختیار نیرو های مسلح جهت آموزش به تکنسین ها و مهندسین برق و الکترونیک و زیر مجموعه ی خودشان قرار خواهد گرفت.
در 100صفحه شش فصل
برای توضیحات بیشتر با شماره ی 09214052901 تماص حاصل نمایید.
جهت دریافت فایل کامل هر عنوان از طریق بخش پرداخت و دانلود در پایان معرفی هر محصول اقدام نمایید. پس از خرید علاوه بر لینک دانلود مستقیم سایت، فایل به ایمیل شما بصورت پیوست نیز ارسال خواهد شد.
توجه توجه!!!
!!لطفا قبل از خرید از فرشگاه اینترنتی کتیا سایت جامع طراحان مهندسی مکانیک قیمت محصولات ما را با سایر محصولات مشابه و فروشگاه ها مقایسه نمایید!!
خوشحال می شویم با ما همراه و در ارتباط باشید.
از قسمت تماس با ما:09214052901